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首页 > 热门关键词 > 威世二极管
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特性:薄型单列直插式封装。 玻璃钝化芯片结。 高浪涌电流能力。 高外壳介电强度:2500Vrms。应用:开关电源、家用电器、办公设备、工业自动化应用中的通用交流/直流桥式全波整流。
数据手册
  • 1+

    ¥8.3
  • 30+

    ¥7.26
  • 有货
  • 高共模瞬态抗扰度和非常高的电流比,以及5300 VRMS绝缘,通过将LED与集成高增益光电探测器耦合在一个八引脚双列直插式封装中实现。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与TTL兼容的饱和电压和高速运行。访问基极端子可以调整增益带宽。适用于涉及CMOS和低功耗TTL应用的低功耗逻辑应用。保证仅需0.5 mA的LED电流即可实现400%的电流传输比。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.66
    • 10+

      ¥8.48
    • 30+

      ¥8.36
    • 100+

      ¥7.828 ¥8.24
  • 有货
  • 肖特基整流器系列针对高温下的低反向泄漏进行了优化。专有势垒技术允许在高达175℃的结温下可靠运行。典型应用于开关电源、转换器、续流二极管和反向电池保护。
    • 1+

      ¥9.05
    • 10+

      ¥8.86
    • 50+

      ¥7.39
  • 有货
  • 特性:沟槽MOS肖特基技术。低功耗,高效率。RoHS合规。低正向压降。高正向浪涌能力。高频操作。应用:开关电源的高频整流器。续流二极管
    • 1+

      ¥9.52
    • 10+

      ¥7.86
    • 50+

      ¥6.94
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化片芯片结。 超快恢复时间。 低开关损耗,高效率。 低正向压降。 高正向浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为245℃(D2PAK (TO-263AB)封装)。应用:开关电源的高频整流器。 逆变器
    • 1+

      ¥9.82
    • 10+

      ¥8.21
    • 50+

      ¥7.33
  • 有货
  • 由四个单二极管连接成全桥的2 A单相封装桥式整流器,适用于工业和消费设备的一般应用。
    • 1+

      ¥10.01
    • 10+

      ¥9.79
    • 30+

      ¥9.64
  • 有货
  • 特性:沟槽MOS肖特基技术。 非常低的外形,典型高度为1.7mm。 适合自动贴装。 低正向压降,低功耗。 高效运行。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃。应用:高频DC/DC转换器。 开关电源
    • 1+

      ¥10.29
    • 10+

      ¥10.06
    • 30+

      ¥9.9
  • 有货
  • 特性:沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降,低功耗。 高效运行。 低热阻。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为245℃(适用于TO-263AB封装)。 焊浴温度最高275℃,持续10秒,符合JESD 22-B106(适用于TO-220AB、ITO-220AB和TO-262AA封装)。应用:高频转换器。 开关电源
    数据手册
    • 1+

      ¥10.31
    • 10+

      ¥8.7
    • 30+

      ¥7.81
  • 有货
  • 高电压整流器,针对极低正向压降和适度泄漏进行了优化。这些器件适用于主整流(单相或三相桥)。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.89
    • 10+

      ¥9.22
    • 50+

      ¥8.17
  • 有货
  • 特性:非常低的外形,典型高度为1.1mm。 适用于自动贴装。 沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降,低功率损耗。 高效运行。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃。应用:低压高频逆变器。 续流
    • 1+

      ¥11.1
    • 10+

      ¥10.86
    • 30+

      ¥10.7
  • 有货
  • 作为SurfLightTM产品系列的一部分,VSMY5940X01是一款基于GaAlAs表面发射芯片技术的940 nm红外发射二极管,具有高辐射强度、高光功率和高速特性,采用低矮型0805表面贴装(SMD)封装。
    • 1+

      ¥12.02
    • 10+

      ¥10.08
    • 30+

      ¥8.87
  • 有货
  • 特性:UL认证文件编号E54214。 薄型单列直插式封装。 玻璃钝化芯片结。 高浪涌电流能力。 高外壳介电强度2500 VRMS。 浸焊温度最高275℃,时间10s,符合JESD 22-B106。应用:开关电源、家用电器、办公设备、工业自动化应用中的AC/DC桥式全波整流通用用途
    数据手册
    • 1+

      ¥12.09
    • 10+

      ¥10.14
    • 40+

      ¥8.92
  • 有货
  • 该中心抽头肖特基整流器针对极低正向压降进行了优化,具有适度的漏电流。其专有势垒技术允许在高达150℃的结温下可靠运行。典型应用于开关电源、转换器、续流二极管和电池反接保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.09
    • 10+

      ¥10.58
    • 30+

      ¥9.64
  • 有货
  • 肖特基整流器系列针对高温下的低反向泄漏进行了优化。专有势垒技术允许在高达175°C的结温下可靠运行。典型应用于开关电源、转换器、续流二极管和电池反接保护。
    • 1+

      ¥12.41
    • 10+

      ¥12.11
    • 50+

      ¥11.9
  • 有货
    • 1+

      ¥12.68
    • 10+

      ¥12.41
    • 50+

      ¥12.23
  • 有货
    • 1+

      ¥12.82
    • 10+

      ¥12.54
    • 50+

      ¥12.35
  • 有货
  • 作为SurfLightTM产品系列的一部分,VSMY7852X01是一款基于表面发射技术的850 nm红外发射二极管,具有高辐射功率和高速性能,采用低热阻Little Star封装。该器件采用20密耳芯片,正向电压极低,允许最高250 mA的直流工作电流。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.594 ¥22.6
    • 10+

      ¥15.3042 ¥22.18
    • 30+

      ¥15.1041 ¥21.89
    • 100+

      ¥14.904 ¥21.6
  • 有货
  • Gen 4 Fred技术,先进的超低VF,针对不连续(临界)模式(DCM)和IGBT F/W二极管进行软开关优化。最小化的传导损耗、优化的存储电荷和低恢复电流可最小化开关损耗,并减少开关元件和缓冲器的过耗散。
    • 1+

      ¥16.63
    • 10+

      ¥16.24
    • 25+

      ¥15.98
  • 有货
  • 表面贴装肖特基整流器专为需要低正向压降和在印刷电路板上占用小面积的应用而设计。典型应用包括磁盘驱动器、开关电源、转换器、续流二极管、电池充电和电池反接保护。
    • 1+

      ¥19.31
    • 10+

      ¥18.89
    • 30+

      ¥18.61
  • 有货
    • 1+

      ¥28.52
    • 10+

      ¥27.87
    • 30+

      ¥27.43
  • 有货
    • 1+

      ¥32.68
    • 10+

      ¥31.97
    • 50+

      ¥31.49
  • 有货
  • 是一款先进的中心抽头超快恢复二极管。采用最新的外延结构和先进的加工技术,具有卓越的特性组合,性能超越以往任何整流器。基本额定值为1200V和30A连续电流,特别适合作为IGBT和MOSFET的配套二极管。除了超快恢复时间外,该产品系列还具有极低的峰值恢复电流,并且在恢复的tp部分不会出现“快速关断”的趋势。这些特性为设计师提供了一种在二极管和开关晶体管中具有更低噪声和显著更低开关损耗的整流器。这些优势有助于显著减少缓冲、元件数量和散热器尺寸。非常适合用于需要高速、高效率的电源和功率转换系统(如逆变器)、电机驱动器和许多其他类似应用。
    • 1+

      ¥36.82
    • 10+

      ¥31.83
    • 25+

      ¥25.5
  • 有货
  • 高压整流器,针对极低正向压降和适度泄漏进行了优化。这些器件适用于主整流(单相或三相桥)。
    数据手册
    • 1+

      ¥38.33
    • 10+

      ¥37.4
    • 25+

      ¥36.77
  • 有货
  • 是一款先进的中心抽头超快恢复二极管。采用最新的外延结构和先进的加工技术,具有卓越的特性组合,其性能超越了以往任何整流器。基本额定值为600 V和每支路25 A连续电流,特别适合作为IGBT和MOSFET的配套二极管。除了超快恢复时间外,该产品线的峰值恢复电流(IRRM)极低,并且在恢复的tp部分不会出现“快速关断”现象。这些特性为设计人员提供了一种整流器,可降低二极管和开关晶体管的噪声和开关损耗。这些优势有助于显著减少缓冲、元件数量和散热器尺寸。适用于需要高速、高效的电源和功率转换系统(如逆变器)、电机驱动器等应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥172.41
    • 10+

      ¥165.94
    • 30+

      ¥154.73
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%,订货代码中用“C”表示;若公差为±2%,则用“B”替换“C”。可提供AEC-Q101认证。ESD能力符合AEC-Q101:人体模型>8kV,机器模型>800V。符合RoHS标准,商业级。符合RoHS标准,AEC-Q101认证
    • 1+

      ¥0.1001
    • 10+

      ¥0.0982
    • 30+

      ¥0.0969
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。 非常高的稳定性。 低噪声。 TZMC的Vz公差为±5%。 TZMB的Vz公差为±2%。应用:电压稳定
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.275055 / 个
    特性:硅外延平面二极管。应用:极快开关
    • 10+

      ¥0.1813
    • 100+

      ¥0.1777
    • 300+

      ¥0.1753
  • 有货
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