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首页 > 热门关键词 > 威世二极管
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特性:标准齐纳电压公差:带“B”后缀为±5%,后缀“C”为±2%公差。 具备AEC-Q101认证选项。 ESD能力(根据AEC-Q101):人体模型>8kV,机器模型>800V
  • 5+

    ¥0.3243
  • 50+

    ¥0.3161
  • 150+

    ¥0.3106
  • 500+

    ¥0.305
  • 有货
  • 特性:硅外延平面二极管。应用:通用
    • 10+

      ¥0.336
    • 100+

      ¥0.2793
    • 300+

      ¥0.251
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。 非常高的稳定性。 低噪声。 TZMC:Vz 公差 ±5%。 TZMB:Vz 公差 ±2%。应用:电压稳定
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.351737 / 个
    • 5+

      ¥0.372
    • 50+

      ¥0.3627
    • 150+

      ¥0.3565
    • 500+

      ¥0.3503
  • 有货
    • 5+

      ¥0.3805
    • 50+

      ¥0.372
    • 150+

      ¥0.3664
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 非常高的稳定性。 电气数据与器件1N5221B至1N5267B相同。 低反向电流水平。 标准齐纳电压容差 ±5%。 AEC-Q101认证。应用:电压稳定
    数据手册
    • 2500+

      ¥0.190021
    • 5000+

      ¥0.183791
    • 10000+

      ¥0.180676
    • 20000+

      ¥0.171331
    特性:硅平面齐纳二极管。 齐纳电压根据国际E24标准分级。 可提供AEC-Q101认证。 根据AEC-Q101的ESD能力:人体模型> 8kV,机器模型> 800V。 基础型号E3,符合RoHS标准,商业级。 基础型号HE3_A,符合RoHS标准,通过AEC-Q101认证
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3973
    • 100+

      ¥0.3181
    • 300+

      ¥0.2786
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 非常高的稳定性。 电气数据与1N5221B至1N5267B器件相同。 低反向电流水平。 标准齐纳电压容差 ±5%。应用:电压稳定
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.609106 / 个
    特性:硅平面齐纳二极管。齐纳电压按照国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%;将“C”替换为“B”可实现±2%公差。AEC-Q101认证可用。符合AEC-Q101的ESD能力:人体模型>8kV,机器模型>800V。RoHS合规,商业级。RoHS合规,AEC-Q101认证
    • 5+

      ¥0.4222
    • 50+

      ¥0.4139
    • 150+

      ¥0.4084
  • 有货
  • 47V,1.3W
    数据手册
    • 100+

      ¥0.45765
    • 1000+

      ¥0.4407
    • 3000+

      ¥0.42375
    • 6000+

      ¥0.38985
    • 10000+

      ¥0.37968
    特性:非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。 非常高的稳定性。 低噪声。应用:电压稳定
    • 5+

      ¥0.4383
    • 50+

      ¥0.3416
    • 150+

      ¥0.2933
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。 可提供更严格的公差。 非常高的稳定性。 低噪声。 VZ 公差:±5%。应用:电压稳定
    • 10+

      ¥0.4549
    • 100+

      ¥0.3613
    • 300+

      ¥0.3145
  • 有货
  • 特性:节省空间。 密封部件。 电气数据与 BZT55 系列、TZM 系列器件相同。 适用于 SOD-323。 非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。应用:电压稳定
    • 5+

      ¥0.5217
    • 50+

      ¥0.5101
    • 150+

      ¥0.5024
    • 500+

      ¥0.4946
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 齐纳电压按照国际E24标准分级。 标准齐纳电压公差为±5%;将“C”替换为“B”可实现±2%的公差。 有AEC-Q101认证版本。 根据AEC-Q101的ESD能力:人体模型>8kV,机器模型>800V。 基础产品编号E3:符合RoHS标准,商业级。 基础产品编号HE3:符合RoHS标准,AEC-Q101认证
    数据手册
    • 5+

      ¥0.526
    • 50+

      ¥0.5164
    • 150+

      ¥0.51
    • 500+

      ¥0.5036
  • 订货
  • 特性:集成静电放电保护环。 低电容。 低漏电流。 低正向压降。 通过AEC-Q101认证。应用:高频探测器。 保护电路
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5301
    • 50+

      ¥0.4241
    • 150+

      ¥0.3711
    • 500+

      ¥0.3313
  • 有货
  • 特性:硅平面稳压二极管。 低漏电流,低噪声。 出色的稳定性。 浪涌额定。 稳压电压容差 ±2%。 无铅超小型 DFN1006-2A 封装(1mm×0.6mm×0.45mm)。 功耗优于 SOT-23。 表面贴装器件(SMD)塑料封装,侧面有可见且镀锡/可焊侧翼。 可通过标准目视检查焊接情况,无需 X 射线检查即可满足汽车自动光学检测(AOI)要求。 符合 AEC-Q101 标准。 材料分类:有关合规性定义请参考相关文档
    • 5+

      ¥0.5329
    • 50+

      ¥0.5213
    • 150+

      ¥0.5136
  • 有货
    • 5+

      ¥0.5367
    • 50+

      ¥0.5248
    • 150+

      ¥0.5168
  • 有货
  • 特性:适用于通用应用。 低正向压降和快速开关特性,适用于MOS器件保护、快速开关和低逻辑电平应用中的转向、偏置和耦合二极管。 是由PN结保护环保护的硅基金属肖特基势垒器件。 可提供AEC-Q101认证。 Base P/N-E3:符合RoHS标准,商业级。 Base P/N-HE3:符合RoHS标准,通过AEC-Q101认证
    • 5+

      ¥0.5627
    • 50+

      ¥0.4481
    • 150+

      ¥0.3909
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 齐纳电压按照国际 E24 标准分级。 标准齐纳电压公差为 ±5%;用 “B” 代替 “C” 可实现 ±2% 公差。 可提供 AEC-Q101 认证。 符合 AEC-Q101 的 ESD 能力:人体模型 >8kV,机器模型 >800V。 RoHS 合规,商业级。 RoHS 合规,AEC-Q101 认证
    数据手册
    • 10+

      ¥0.5732
    • 100+

      ¥0.4777
    • 300+

      ¥0.43
  • 有货
  • 特性:集成静电放电保护环。 极低的正向电压。 通过AEC-Q101认证。 无卤,符合RoHS标准。应用:需要极低正向电压的应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6234
    • 50+

      ¥0.4987
    • 150+

      ¥0.4363
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%,订购代码中用“C”表示。用“B”替换“C”可实现±2%的公差。可提供AEC-Q101认证。根据AEC-Q101的ESD能力:人体模型:>8 kV,机器模型:>800 V。RoHS合规,商业级。RoHS合规,AEC-Q101认证
    • 5+

      ¥0.6288
    • 50+

      ¥0.5122
    • 150+

      ¥0.4539
    • 500+

      ¥0.4102
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 齐纳电压根据国际E24标准分级。 标准齐纳电压公差为±5%;用“B”替换“C”可实现±2%公差。 有AEC-Q101认证版本。 根据AEC-Q101的ESD能力:人体模型>8kV,机器模型>800V。 基础型号E3:符合RoHS标准,商业级。 基础型号HE3:符合RoHS标准,AEC-Q101认证
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6475
    • 50+

      ¥0.5249
    • 150+

      ¥0.4636
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 标准齐纳电压公差:后缀“B”为±5%,后缀“C”为±2%。 符合AEC-Q101标准。 ESD能力:人体模型>8kV,机器模型>800V。 基础型号E3:符合RoHS标准,商业级。 基础型号HE3:符合RoHS标准,符合AEC-Q101标准
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6503
    • 50+

      ¥0.5202
    • 150+

      ¥0.4551
  • 有货
  • 特性:集成静电放电保护环。 低电容。 低泄漏电流。 低正向压降。 极短开关时间。 通过AEC-Q101认证。应用:高频探测器。 保护电路
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6576
    • 50+

      ¥0.5455
    • 150+

      ¥0.4894
  • 有货
  • 特性:沟槽MOS肖特基技术。 薄型封装。 适合自动贴装。 正向压降和功率损耗低。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃。 可采用波峰焊和回流焊。应用:用于高频逆变器、续流、DC/DC转换器以及商业、工业和汽车应用中的极性保护
    • 5+

      ¥0.6654
    • 50+

      ¥0.651
    • 150+

      ¥0.6414
  • 有货
  • 特性:非常低的外形。 典型高度为 0.65mm。 适合自动贴装。 沟槽 MOS 肖特基技术。 低正向压降。 低功耗,高效率。应用:用于低压高频逆变器、续流、DC/DC 转换器和极性保护应用。 应用于商业、工业和汽车领域
    数据手册
    • 5+

      ¥0.681
    • 50+

      ¥0.6662
    • 150+

      ¥0.6564
  • 有货
  • 特性:集成静电放电保护环。 低电容。 低泄漏电流。 低正向压降。 极短开关时间。应用:高频探测器。 保护电路
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7038
    • 50+

      ¥0.5718
    • 150+

      ¥0.5058
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 快速开关,效率高。 高正向浪涌能力。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值 260℃。 可提供 AEC-Q101 认证。应用:用于电源、逆变器、转换器的快速开关整流。 用于消费、汽车和电信领域的续流二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7104
    • 50+

      ¥0.581
    • 150+

      ¥0.5163
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化台面芯片结。 超快反向恢复时间。 低开关损耗,高效率。 高正向浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值260℃。应用:适用于消费、计算机、汽车和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7524
    • 50+

      ¥0.6015
    • 150+

      ¥0.5261
  • 有货
  • 特性:极低导通电压和快速开关。AEC-Q101合格(部分型号)。节省空间的SOD-523封装。RoHS合规,商业级
    • 5+

      ¥0.7629
    • 50+

      ¥0.6065
    • 150+

      ¥0.5283
  • 有货
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