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首页 > 热门关键词 > 威世二极管
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  • 有货
  • 特性:外壳样式:GBU。UL认证文件编号E54214。适用于印刷电路板。高浪涌电流能力。高外壳介电强度:1500V RMS。浸焊温度最高275°C,持续10s,符合JESD22 B106标准。应用:用于显示器、电视、打印机、开关电源、适配器、音频设备和家用电器的交流/直流桥式全波整流的通用用途
    数据手册
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      ¥6.6906 ¥11.34
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      ¥4.0828 ¥6.92
  • 有货
  • 特性:沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降,低功率损耗。 高效运行。 低热阻。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值245℃(适用于TO-263AB封装)。 焊锡浴温度最高275℃,持续10s(适用于TO-220AB、ITO-220AB和TO-262AA封装)。应用:高频转换器。 开关电源
    数据手册
    • 1+

      ¥7.08
    • 10+

      ¥5.9
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      ¥5.24
  • 有货
  • 最先进的超快恢复整流器,在正向压降、超快恢复时间和软恢复方面具有优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源逆变器AC/DC部分的PFC升压级或作为续流二极管。其极其优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗,并减少开关元件和缓冲器的过耗散。
    数据手册
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      ¥5.62
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      ¥4.8
    • 100+

      ¥3.88
  • 有货
  • 特性:UL认证文件编号E54214。 适用于印刷电路板。 高浪涌电流能力。 高外壳介电强度1500VRMS。应用:用于显示器、电视、打印机、开关电源、适配器、音频设备和家用电器等应用中的AC/DC桥式全波整流的通用用途。
    • 1+

      ¥8.07
    • 10+

      ¥6.62
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    • 100+

      ¥4.8314 ¥4.93
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      ¥4.4394 ¥4.53
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      ¥4.263 ¥4.35
  • 有货
  • Schottky rectifier has been optimized for very low forward voltage drop, with moderate leakage. The proprietary barrier technology allows for reliable operation up to 150℃ junction temperature. Typical applications are in switching power supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse battery protection.
    • 1+

      ¥8.36
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      ¥6.99
    • 50+

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    • 100+

      ¥5.38
  • 有货
  • 特性:功率封装。玻璃钝化芯片结。超快恢复时间。低开关损耗,高效率。高正向浪涌能力。符合MSL 1级标准(针对TO-263AB封装),LP最大峰值245°C。应用:用于开关模式电源的高频整流器。逆变器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.78
    • 10+

      ¥7.26
    • 50+

      ¥6.42
  • 有货
  • 特性:UL认证,文件编号E54214。 适用于印刷电路板。 高浪涌电流能力。 塑料钝化结。 高外壳介电强度1500 VRMS。 浸焊温度最高275℃,持续10 s。应用:用于显示器、电视、打印机、开关电源、适配器、音频设备和家用电器等的通用AC/DC桥式全波整流
    • 1+

      ¥9
    • 10+

      ¥8.19
    • 50+

      ¥7.69
    • 100+

      ¥7.17
  • 有货
  • 300 V 系列是先进的超快恢复整流器,在正向压降和超快恢复时间方面具有优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制,保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源、不间断电源、DC/DC 转换器的输出整流阶段,以及低压逆变器和斩波电机驱动器中的续流二极管。其极优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗,并减少开关元件和缓冲器中的过耗散。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.65
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      ¥8.08
    • 30+

      ¥7.11
    • 100+

      ¥6.1
  • 有货
  • 最先进的超快速恢复整流器,在正向压降、超快速恢复时间和软恢复方面具有优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源交流/直流部分的PFC升压级、逆变器或作为续流二极管。其极其优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗,并减少开关元件和缓冲器中的过耗散。
    • 1+

      ¥10.24
    • 10+

      ¥8.59
    • 50+

      ¥7.56
  • 有货
  • 特性:UL认证文件编号E54214。 适用于印刷电路板。 高浪涌电流能力。 高外壳介电强度1500VRMS。应用:显示器、电视、打印机、电源、开关电源、适配器、音频设备和家用电器的AC/DC桥式全波整流通用用途
    数据手册
    • 1+

      ¥10.61
    • 10+

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    • 50+

      ¥7.82
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      ¥6.71
  • 有货
  • VEMD5060X01是一款高速、高灵敏度的PIN光电二极管,具有高度线性的光响应。它是一款薄型表面贴装器件(SMD),包含一个感光面积为7.5 mm²的芯片,可检测可见光和近红外辐射。
    • 1+

      ¥11.45
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      ¥9.64
    • 30+

      ¥8.51
    • 100+

      ¥7.34
  • 有货
  • 特性:UL认证文件编号E54214。 适用于印刷电路板。 典型IR小于0.5μA。 高浪涌电流能力。 高外壳介电强度1500 VRMS。应用:通用用途,用于电源、家用电器、办公设备、工业自动化应用的AC/DC桥式全波整流
    数据手册
    • 1+

      ¥12.83
    • 10+

      ¥10.83
    • 30+

      ¥9.57
    • 100+

      ¥7.7126 ¥7.87
    • 500+

      ¥7.1442 ¥7.29
    • 1000+

      ¥6.8992 ¥7.04
  • 有货
  • 具有低传导和开关损耗的独特组合,是高频转换器(软开关/谐振)的理想选择。专为提高电动汽车/混合动力汽车电池充电站的PFC和输出整流级、太阳能逆变器的升压级以及UPS应用的效率而设计,这些器件非常适合与MOSFET或高速IGBT配合使用。
    • 1+

      ¥18.33
    • 10+

      ¥15.59
    • 30+

      ¥13.97
  • 有货
  • 特性:UL认证,文件编号E54214。 适用于印刷电路板。 高浪涌电流能力。 高外壳介电强度1500VRMS。 浸焊温度最高275℃,持续10s,符合JESD22-B106标准。应用:用于监视器、电视、打印机、开关电源、适配器、音频设备和家用电器的通用AC/DC桥式全波整流
    数据手册
    • 1+

      ¥21.31
    • 10+

      ¥18.04
    • 50+

      ¥16.1
    • 100+

      ¥13.9986 ¥14.14
    • 500+

      ¥13.0977 ¥13.23
    • 1000+

      ¥12.6918 ¥12.82
  • 有货
  • 这些二极管经过优化,可减少高频功率调节系统中的损耗以及电磁干扰/射频干扰。恢复特性的软度使得在大多数应用中无需使用缓冲器。这些器件非常适合用于高频焊接、功率转换器以及其他开关损耗在总损耗中占比不大的应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥29.2
    • 10+

      ¥25.03
    • 30+

      ¥20.84
  • 有货
    • 1+

      ¥38.14
    • 10+

      ¥32.79
    • 30+

      ¥29.53
  • 有货
  • 高压整流器,针对极低正向压降和适度泄漏进行了优化。这些器件适用于主整流(单相或三相桥)。
    数据手册
    • 1+

      ¥38.33
    • 10+

      ¥37.4
    • 25+

      ¥36.77
  • 有货
  • 7.07-7.45V,500mW
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.1074 / 个
  • 订货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%,订货代码中用“C”表示;若公差为±2%,则用“B”替换“C”。可提供AEC-Q101认证。ESD能力符合AEC-Q101:人体模型>8kV,机器模型>800V。符合RoHS标准,商业级。符合RoHS标准,AEC-Q101认证
    • 10+

      ¥0.1891
    • 100+

      ¥0.1851
    • 300+

      ¥0.1824
  • 有货
  • 9.1V 0.5W
    数据手册
    • 5000+

      ¥0.09471
    • 15000+

      ¥0.09086
    • 45000+

      ¥0.08855
    • 60000+

      ¥0.08624
    特性:硅外延平面二极管。 快速开关二极管。 符合AEC-Q101标准。 符合RoHS标准,商业级。 符合RoHS标准,符合AEC-Q101标准
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2302
    • 100+

      ¥0.2249
    • 300+

      ¥0.2213
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。 非常高的稳定性。 低噪声。 TZMC的Vz公差为±5%。 TZMB的Vz公差为±2%。应用:电压稳定
    数据手册
    • 1+

      ¥0.231
    • 10+

      ¥0.1805
    • 30+

      ¥0.1525
    • 125+

      ¥0.1216
  • 有货
  • 特性:低开启电压和快速开关。 采用PN结保护环,防止过电压,如静电放电。 符合AEC-Q101标准。 符合RoHS标准,商业级。 符合RoHS标准,AEC-Q101合格
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2342
    • 100+

      ¥0.2294
    • 300+

      ¥0.2262
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。 非常高的稳定性。 低噪声。 TZMC的Vz公差为±5%。 TZMB的Vz公差为±2%。应用:电压稳定
    数据手册
    • 2500+

      ¥0.1416
    • 2500+

      ¥0.138
    • 10000+

      ¥0.1344
    特性:非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。非常高的稳定性。低噪声。应用:电压稳定
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2473
    • 200+

      ¥0.1949
    • 600+

      ¥0.1658
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。非常高的稳定性。低噪声。TZMC:Vz 容差 ±5%。TZMB:Vz 容差 ±2%。应用:电压稳定
    • 单价:

      ¥0.343818 / 个
    特性:低正向压降和快速开关特性。 AEC-Q101认证可选。 符合RoHS标准,商业级。应用:MOS器件保护。 快速开关和低逻辑电平应用中的转向、偏置和耦合二极管
    • 5+

      ¥0.2652
    • 50+

      ¥0.2584
    • 150+

      ¥0.2539
  • 有货
  • 特性:低正向压降。 低漏电流。 高正向浪涌能力。 浸焊温度最高275℃,持续10s,符合JESD22-B106。 符合RoHS指令2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC。应用:用于电源、逆变器、转换器的通用整流和续流二极管应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2694
    • 100+

      ¥0.2638
    • 300+

      ¥0.26
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。非常高的稳定性。低噪声。TZMC:Vz 容差 ±5%。TZMB:Vz 容差 ±2%。应用:电压稳定
    • 25+

      ¥0.276452
    • 50+

      ¥0.267388
    • 100+

      ¥0.262856
    • 200+

      ¥0.24926
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