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首页 > 热门关键词 > 维攀微二极管
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WPE1261KP1是一款12V双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用领先的单片硅技术,具有快速响应时间和低静电放电(ESD)钳位电压,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000-4-2(ESD)标准,可承受±15 kV空气放电和±8 kV接触放电。它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使WPE1261KP1成为保护手机、数码相机、音频播放器和其他众多便携式应用的理想选择。
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  • SMF系列瞬态电压抑制(TVS)阵列旨在保护敏感电子设备免受因静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或闭锁。它们专为电路板空间有限的应用而设计。每个器件最多可保护四条线路。这些器件为单向器件,可用于信号极性高于地电位的线路。TVS二极管是专门为瞬态抑制而设计的固态器件。它们具有大截面积的结,可传导高瞬态电流。它们具备电路板级保护所需的理想特性,包括快速响应时间、低工作电压和箝位电压,且器件不会老化。SMF系列器件可满足IEC 61000 - 4 - 2标准4级的抗扰度要求。
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  • WPE0501P1是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用领先的单片硅技术,具有响应速度快、电容极低和静电放电(ESD)钳位电压低等特点,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。WPE0501P1符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±25 kV,接触放电±22 kV。它采用超小型1.0x0.6x0.5 mm无铅DFN封装。其尺寸小、电容极低,是保护手机、数码相机、音频播放器、数据接口及其他众多便携式应用的理想选择。
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  • CLAMP0561P1是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用先进的单片硅技术,具有快速响应时间、极低电容和低静电放电钳位电压,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。CLAMP0561P1符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±15KV,接触放电±8KV。它采用超小型1.0×0.6×0.5mm无铅DFN封装。其小尺寸和极低电容特性,使CLAMP0561P1成为保护手机、数码相机、音频播放器、数据接口及其他众多便携式应用的理想选择。
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  • 该器件专门设计用于保护 1 条低压或信号线以及传统 RS - 485 接口,使其免受瞬态过电压影响。静电放电(ESD)电压由 2 个瞬态电压抑制(TVS)二极管钳位。浪涌由 2 个晶闸管抑制,其击穿电压接近 25V,漏电流低至 1μA。该器件不会老化,并且在短路时提供故障安全模式,以实现更好的保护。浪涌保护模块(WPM)用于帮助设备符合各种标准,如 IEC950 / CSA C22.2 和 FCC 第 68 部分。
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  • WPE8V0D3ULA是一款8V双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用领先的单片硅技术,响应速度快,静电放电(ESD)钳位电压低,是保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。WPE8V0D3ULA电容低,典型值为1pF,符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电和接触放电均可达±30 kV。该器件采用无铅SOD - 323封装。其尺寸小、电容低且具备高ESD浪涌保护能力,使其成为保护手机、无线系统和通信设备的理想选择。
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  • 是单向TVS二极管,采用领先的单晶硅技术,提供快速响应时间和低ESD钳位电压,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。符合IEC 61000-4-2(ESD)标准,空气放电和接触放电均为±30kV。采用超小型2.0×2.0×0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护使其成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。
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