DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：6N137 编号：C48997862

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

6N137由一个红外发射二极管和一个高速集成光电探测器逻辑门组成，后者具有频闪输出。产品应用于开关电源、数据传输、消除接地回路等。

5+
￥1.734
50+
￥1.351
135+
￥1.1868
495+
￥0.982

有货

立即购买

型号：PS2501AL-1-F3-A 编号：C17349957

封装：SMD-4P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2501A - 1和PS2501AL - 1是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个NPN硅光电晶体管，具有出色的性价比。PS2501A - 1采用塑料双列直插式封装（Dual In - line Package，DIP），PS2501AL - 1为用于表面贴装的弯引脚型（鸥翼型）。

1+
￥1.79
10+
￥1.74
30+
￥1.71

有货

立即购买

型号：PS2561DL-1Y-F3-A 编号：C17294181

封装：SMD-4P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2561D - 1是一款光耦合隔离器，包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN型硅光电晶体管。PS2561D - 1采用塑料双列直插式封装（DIP，Dual In - line Package），而PS2561DL - 1是用于表面贴装的弯引脚型（鸥翼型）。

1+
￥4.71
10+
￥4.61
30+
￥4.55

有货

立即购买

型号：PS2561DL-1Y-A 编号：C17310036

封装：SMD-4P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2561D - 1是一款光耦合隔离器，包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN型硅光电晶体管。PS2561D - 1采用塑料双列直插式封装（DIP，Dual In - line Package），而PS2561DL - 1是用于表面贴装的弯引脚型（鸥翼型）。

1+
￥5.45
10+
￥5.33
30+
￥5.25

有货

立即购买

型号：K3010P 编号：C3009282

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

由一个光控三端双向可控硅和一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成，采用6引脚塑料双列直插式封装。非过零功能可实现全波控制。具有电流隔离和电气噪声隔离功能，输出能够直接切换交流负载或驱动中高功率三端双向可控硅。

1+
￥5.55
10+
￥4.48
50+
￥3.95

有货

立即购买

型号：PS2501L-1-L-A 编号：C17190145

封装：SMD-4P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个NPN硅光电晶体管。采用塑料双列直插封装（DIP），还有用于表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。

1+
￥5.7
10+
￥5.58
30+
￥5.5

有货

立即购买

型号：PS2562L-1-A 编号：C22412242

封装：-

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是光学耦合隔离器，包含 GaAs 发光二极管和 NPN 硅达林顿连接光电晶体管。采用塑料 DIP（双列直插式封装），PS2562L-1 是用于表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。PS2562L1-1 是宽引脚弯曲型。PS2562L2-1 是用于表面贴装的宽引脚弯曲型。

1+
￥9.88
10+
￥9.67
30+
￥9.53

有货

立即购买

型号：PS2505L-4-A 编号：C19725703

封装：SMD-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2505 - 1、-4 和 PS2505L - 1、-4 是光耦合隔离器，包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个 NPN 硅光电晶体管。PS2505 - 1、-4 采用塑料双列直插式封装（DIP，Dual In - line Package），而 PS2505L - 1、-4 是用于表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）封装。

1+
￥10.01
10+
￥9.76
30+
￥9.59

有货

立即购买

型号：PS2513L-1-F3-A 编号：C22412154

封装：SMD-4P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个NPN硅光电晶体管。采用塑料双列直插封装（DIP），另一种为表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。

1+
￥10.43
10+
￥10.2
30+
￥10.05

有货

立即购买

型号：ASSR-1218-003E 编号：C1525239

封装：SO-4

品牌：Broadcom(博通)

由红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级与高压输出检测电路光耦合。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。继电器通过输入LED的最小输入电流为3 mA时开启（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关闭（触点断开）。单通道配置相当于1 Form A机电继电器（EMR），双通道配置相当于2 Form A EMR。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼表面贴装DIP封装。ASSR-1219支持AC/DC和仅DC输出连接。对于仅DC连接，输出电流IO增加到0.4A，导通电阻R(ON)降至2.5Ω。

1+
￥12.23
10+
￥11.92
30+
￥11.71

有货

立即购买

型号：HCNW4503-300E 编号：C6795901

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在 LED 和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有 8 引脚 DIP、SO-8 和宽体封装配置。部分产品适用于 TTL/CMOS、TTL/LSTTL 或宽带宽模拟应用，在 IF = 16mA 时，电流传输比（CTR）最低为 7%

1+
￥17.62
10+
￥17.21
42+
￥16.94

有货

立即购买

型号：HCPL-0500-000E 编号：C6795948

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在 LED 和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有 8 引脚 DIP、SO-8 和宽体封装配置。部分产品适用于 TTL/CMOS、TTL/LSTTL 或宽带模拟应用，在 IF = 16mA 时，电流传输比 (CTR) 最小为 7%

1+
￥19.91
10+
￥16.99
30+
￥15.16

有货

立即购买

型号：PS9513-AX 编号：C7030197

封装：DIP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS9513、PS9513L1、PS9513L2和PS9513L3是光耦合隔离器，在单芯片的输入侧包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管，输出侧包含一个光电二极管和一个信号处理电路。PS9513专为实现高共模瞬态抗扰度（CMR）和随工作温度变化的低脉冲宽度失真而设计，适用于智能功率模块（IPM）驱动。

1+
￥21.77
10+
￥21.28
50+
￥20.96

有货

立即购买

型号：CPC1510G 编号：C1558894

封装：DIP-6

品牌：Littelfuse/IXYS

CPC1510 是一款单刀常开（1-Form-A）固态继电器，具备集成式限流功能，可替代机电继电器，同时增强有线接口应用的稳健性。该继电器采用 GaAIAs 发光二极管进行驱动控制，并使用集成单片管芯作为开关输出。管芯采用高压介质隔离技术制造，包含光电二极管阵列、带有源限流电路的开关控制以及 MOSFET 开关

数据手册

1+
￥21.98
10+
￥21.47
30+
￥21.12

有货

立即购买

型号：HCPL-2200-500E 编号：C6955731

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合逻辑门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。探测器具有三态输出级，且探测器阈值具有滞后特性。三态输出无需上拉电阻，可直接驱动数据总线。滞后特性提供差模抗噪能力，消除输出信号抖动的可能性

1+
￥22.1
10+
￥21.61
30+
￥21.29

有货

立即购买

型号：HCPL-050L-000E 编号：C6795873

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器使用 LED 和集成光电探测器之间的绝缘层，在输入和输出之间提供电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些光耦合器有 8 引脚 DIP 和行业标准 SO-8 封装。SO-8 封装不需要在 PCB 上打“通孔”，该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的三分之一，引脚轮廓设计为与标准表面贴装工艺兼容。这些光耦合器可用于 LVTTL/LVCMOS 或宽带模拟应用。这些光耦合器保证在 VCM = 10V 时，共模瞬态抗扰度最小为 1000 V/μs 至典型值。

1+
￥23.67
10+
￥20.38
30+
￥18.43

有货

立即购买

型号：ACPL-072L-500E 编号：C6733624

封装：SOT-ALL-8

品牌：Broadcom(博通)

采用8引脚DIP或SO-8封装，利用最新CMOS IC技术，实现最低25MBd数据速率的出色速度性能和最大6ns的脉冲宽度失真。产品的基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，为LED提供电流。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。

1+
￥31.85
10+
￥31.15
30+
￥30.68

有货

立即购买

型号：ACNV2601-500E 编号：C6733590

封装：DIP-10

品牌：Broadcom(博通)

是一种光耦合门，结合了AlGaAs发光二极管和集成光电探测器，采用宽体封装。发射二极管和光电探测器之间的绝缘距离（DTI）为2mm。探测器IC的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在Vₑₘ = 1500V时提供20kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。爬电距离和电气间隙大于13mm，设计用于提供高隔离电压（7500Vᵣₘₛ），能够承受2262Vₚₑₐₖ的连续高工作电压和12,000Vₚₑₐₖ的浪涌电压，符合IEC60747-5-5、UL和CSA的加强绝缘标准，能在10MBd的高数据速率下提供高绝缘电压保护。

1+
￥33.85
10+
￥33.1
30+
￥32.6

有货

立即购买

型号：PVT412S-TPBF 编号：C538635

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

光伏继电器是单极常开固态继电器，可在许多应用中取代机电继电器。它采用专用的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的GaAlAs发光二极管 (LED) 的辐射控制。这些固态继电器专为全球电信应用而设计。PVT412L采用有源限流电路，在提供过压保护时，能够满足FCC第68部分和其他监管机构的电流浪涌要求。PVT412未采用限流电路，具有较低的导通电阻。系列继电器采用6引脚模制DIP封装，具有通孔或表面贴装（“鸥翼”）端子。它有标准塑料运输管或卷带包装。

数据手册

1+
￥35.95
10+
￥30.87
30+
￥27.77

有货

立即购买

型号：HCPL-0530-000E 编号：C6795919

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

这些双通道光耦合器包含一对发光二极管和集成光电探测器，输入和输出之间具有电气绝缘。通过降低基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些双通道光耦合器有 8 引脚 DIP 和行业标准 SO-8 封装可供选择。

1+
￥37.55
10+
￥32.34
30+
￥29.24

有货

立即购买

型号：HCNW2601-300E 编号：C6795915

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

1+
￥37.78
10+
￥32.81
42+
￥29.86

有货

立即购买

型号：HCPL-0731-000E 编号：C6795969

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

这些双通道光耦合器包含一对分离的GaAsP发光二极管，它们与一对集成高增益光电探测器进行光耦合。它们提供极高的电流传输比和出色的输入-输出共模瞬态抗扰度。光电二极管和第一增益级的独立引脚（VCC）允许比传统光电达林顿型光耦合器更低的输出饱和电压和更高的速度操作。此外，VCC低至1.6V时也不会对参数性能产生不利影响。这些双通道光耦合器有8引脚DIP和行业标准SO-8封装。SO-8封装不需要在PCB上有“通孔”，该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的三分之一，引脚轮廓设计为与标准表面贴装工艺兼容。

1+
￥50.58
10+
￥43.81
30+
￥39.69

有货

立即购买

型号：HCPL-4661-020E 编号：C6795978

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证，确保系统无故障运行。

1+
￥60.28
10+
￥52.21
30+
￥47.29

有货

立即购买

型号：HCPL-2300 编号：C6796003

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

光耦合器将 820 nm AlGaAs 光子发射二极管与集成高增益光子探测器相结合。这种半导体器件组合为隔离逻辑和数据通信电路的设计者带来了新的高性能能力。新的低电流、高速 AlGaAs 发射器采用独特的扩散结制造，在低驱动电流下具有快速上升和下降时间的优点。这些独特的特性使该器件可用于具有接地环路隔离和改进共模抑制的 RS-232-C 接口。作为线路接收器，由于较低的 IF 和 VF 规格，在给定数据速率下，其可在更长的线路长度上工作。

1+
￥85.42
10+
￥73.99
50+
￥67.02

有货

立即购买

型号：IKCM30F60GDXKMA1 编号：C3615227

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

该模块系列可集成各种功率和控制组件，以提高可靠性，优化PCB尺寸和系统成本。旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的电源应用，同时具备EMI安全控制和过载保护功能。TRENCHSTOP IGBT和反并联二极管与优化的SOI栅极驱动器相结合，可实现出色的电气性能。

1+
￥123.73
30+
￥117.22

有货

立即购买

型号：PC817S2(C)(TU)-F 编号：C48392938

封装：SOP-4

品牌：KTP(科泰普)

由红外发射二极管组成，四引脚封装。

10+
￥0.3546
100+
￥0.2778
300+
￥0.2394

有货

立即购买

型号：MPC3063-GV 编号：C47361116

封装：DIP-6

品牌：MP(美禄科技)

可控硅光耦：控制可控硅触发，低触发电流：≤5mA，正向电压：1.2V，正向电流：60mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V，静态dv/dt：1000V/us，可直接替代：3061(触发电流≤15mA)，3062(触发电流≤10mA)，其它规格详见规格书MPC30XX(ZC)。该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用6 引脚封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。