DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMD-8P

是8引脚高速光电耦合器，在一个芯片的输入侧包含一个AlGaAs LED，输出侧包含一个PN光电二极管和一个高速放大晶体管。采用塑料DIP（双列直插式封装）。有长爬电距离的引脚弯曲类型、用于表面贴装的长爬电距离（鸥翼式）引脚弯曲类型和用于表面贴装的引脚弯曲类型（鸥翼式）。

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￥17.61
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￥15.11
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型号：HCNW4503-300E 编号：C6795901

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在 LED 和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有 8 引脚 DIP、SO-8 和宽体封装配置。部分产品适用于 TTL/CMOS、TTL/LSTTL 或宽带宽模拟应用，在 IF = 16mA 时，电流传输比（CTR）最低为 7%

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型号：HCPL-0314-000E 编号：C692006

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

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￥22.89
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型号：HCPL-0730-000E 编号：C17524607

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

这些双通道光耦合器包含一对分离的GaAsP发光二极管，它们与一对集成高增益光电探测器进行光耦合。它们提供极高的电流传输比和出色的输入-输出共模瞬态抗扰度。光电二极管和第一增益级的独立引脚（VCC）允许比传统光电达林顿型光耦合器更低的输出饱和电压和更高的速度操作。此外，VCC低至1.6V时也不会对参数性能产生不利影响。这些双通道光耦合器有8引脚DIP和行业标准SO-8封装。SO-8封装不需要在PCB上有“通孔”，该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的三分之一，引脚轮廓设计为与标准表面贴装工艺兼容。

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￥24.93
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型号：FOD4118SD 编号：C899298

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

FOD410、FOD4108、FOD4116 和 FOD4118 器件由与混合三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关使用两个逆向并联 SCR 形成，构成了能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4116 和 FOD4118 使用高效红外发光二极管，可提高触发灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。

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￥29.42
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型号：FDA217 编号：C17552966

封装：DIP-8

品牌：Littelfuse/IXYS

FDA217是一款双路光伏MOSFET驱动器。每个独立的驱动器由一个与光电二极管阵列光耦合的LED组成。驱动器输出通过输入端的高效红外LED进行控制

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￥30.74
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￥26.05
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型号：ICE2QR0680Z 编号：C5361083

封装：DIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolSET®-Q1系列（ICE2QRxx80Z）是第一代准谐振集成功率IC。它针对离线开关模式电源应用进行了优化，如液晶显示器、DVD读写器、DVD组合机、蓝光DVD、机顶盒等。通过使MOSFET开关工作在准谐振模式，开关电源有望实现更低的电磁干扰（EMI）、更高的效率以及更低的次级二极管电压应力。基于BiCMOS技术，CoolSET®-Q1系列的IC电源具有较宽的工作范围（高达25V）和较低的功耗。它还具备诸多优势，例如在极低负载下仍能进行准谐振操作，从而提高系统平均效率；采用有源突发模式操作，可在待机模式下实现超低功耗，且输出电压纹波小且可控等。

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￥30.74 / 个

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型号：HCPL-4701-000E 编号：C692051

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些器件是低功耗、高增益的单通道和双通道光耦合器。每个通道可以用低至 40μA 的输入电流驱动，典型电流传输比为 3500%。这些高增益耦合器使用 AlGaAs 发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行

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￥33
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￥28.08
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￥25.09

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型号：TD62064APG(O,J,S) 编号：C5370523

封装：DIP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TD62064APG/AFG 是高压、大电流达林顿驱动器，由四个 NPN 达林顿对组成。所有单元均内置箝位二极管，用于切换感性负载。应用领域包括继电器、锤击器、灯具和步进电机驱动器

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￥33.71
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￥29.02
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型号：ACNV2601-500E 编号：C6733590

封装：DIP-10

品牌：Broadcom(博通)

是一种光耦合门，结合了AlGaAs发光二极管和集成光电探测器，采用宽体封装。发射二极管和光电探测器之间的绝缘距离（DTI）为2mm。探测器IC的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在Vₑₘ = 1500V时提供20kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。爬电距离和电气间隙大于13mm，设计用于提供高隔离电压（7500Vᵣₘₛ），能够承受2262Vₚₑₐₖ的连续高工作电压和12,000Vₚₑₐₖ的浪涌电压，符合IEC60747-5-5、UL和CSA的加强绝缘标准，能在10MBd的高数据速率下提供高绝缘电压保护。

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￥33.85
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￥33.1
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￥32.6

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型号：FOD4108S 编号：C899278

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

FOD410、FOD4108、FOD4116和FOD4118器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4116和FOD4118采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。

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￥34.48
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￥29.87
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￥27.05

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型号：ASSR-V621-302E 编号：C6795987

封装：SMD-8

品牌：Broadcom(博通)

专为驱动高功率MOSFET而设计。它由一个AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级和一个输出检测电路光耦合而成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成，用于外部开关两个独立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为3mA时，继电器驱动器开启（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器驱动器关闭（触点断开）。双通道配置允许驱动2个独立的MOSFET。它具有多功能性，可以通过串联连接2个通道来使光伏电压加倍，或者通过并联连接2个通道来使短路电流加倍。它们有8引脚DIP和鸥翼表面贴装封装。

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￥36.17
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￥35.32
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型号：HE721C0510 编号：C142934

封装：DIP,7.2x19.1mm

品牌：Littelfuse(美国力特)

是一款DIL封装的微型干簧继电器，有常开、常开高压、常闭或转换触点可供选择，能够在10W功率下切换高达300Vdc的电压。它提供5V、12V和24V线圈以及二极管抑制功能，还可选配磁屏蔽。

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￥41.74
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￥40.76
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￥40.11

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型号：HCPL-0731-000E 编号：C6795969

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

这些双通道光耦合器包含一对分离的GaAsP发光二极管，它们与一对集成高增益光电探测器进行光耦合。它们提供极高的电流传输比和出色的输入-输出共模瞬态抗扰度。光电二极管和第一增益级的独立引脚（VCC）允许比传统光电达林顿型光耦合器更低的输出饱和电压和更高的速度操作。此外，VCC低至1.6V时也不会对参数性能产生不利影响。这些双通道光耦合器有8引脚DIP和行业标准SO-8封装。SO-8封装不需要在PCB上有“通孔”，该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的三分之一，引脚轮廓设计为与标准表面贴装工艺兼容。

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￥50.58
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￥43.81
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￥39.69

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型号：HE721C1210 编号：C27044

封装：DIP,19.1x7.2mm

品牌：Littelfuse(美国力特)

HE700是一款采用DIL封装的微型干簧继电器，提供常开、常开高压、常闭或转换触点可供选择，能够在10W功率下切换高达300Vdc的电压。该继电器有5V、12V和24V线圈可选，并带有二极管抑制功能，还可选择配备磁屏蔽。

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￥53.44
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￥46.68
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￥42.56

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型号：PVT212S-TPBF 编号：C538618

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。采用专有 HEXFET 功率 MOSFET 作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的辐射控制。专为工业控制和电信外围应用而设计。采用 6 引脚模制 DIP 封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚。有标准塑料运输管或卷带包装。

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￥57.64
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￥55.62

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型号：PVA3324NPBF 编号：C538583

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVA33系列交流继电器（PVA）是一种单极常开固态继电器，可替代用于模拟信号通用开关的机电继电器。它采用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制，该发光二极管与光伏发生器实现了光隔离。PVA33系列克服了传统机电继电器和干簧继电器的局限性，具备固态继电器的诸多优势，如长寿命、快速操作速度、低吸合功率、无触点抖动、低热失调电压和小型封装等。这些优势使得该系列产品在许多应用领域（如过程控制、多路复用、自动测试设备和数据采集）能够实现产品改进和设计创新。PVA33能够切换从热电偶电平到300V峰值交流或直流极性的模拟信号。可轻松控制高达射频范围的信号频率，且可实现高达500Hz的开关速率。极小的热生成失调电压可提高测量精度。这些继电器采用8引脚模塑DIP封装，有通孔或表面贴装（“鸥翼式”）引脚可供选择，采用塑料运输管包装。

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1+
￥67.6
10+
￥65.26

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型号：ASSR-1420-302E 编号：C1558760

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

博通ASSR - 14XX系列包含一个铝镓砷（AlGaAs）红外发光二极管（LED）输入级，该输入级与高压输出检测电路进行光耦合。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于控制两个分立高压MOSFET的开关。当输入LED的最小输入电流达到3 mA时，继电器导通（触点闭合）

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￥74.29
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￥72.11

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型号：PVG612ASPBF 编号：C538598

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVG612A系列光伏继电器是一种单极常开固态继电器，可以在许多应用中替代机电继电器。它利用国际整流器公司的专有HEXFET功率MOSFET作为输出开关，并由一种新颖结构的集成电路光伏发电机驱动。输出开关由一个GaAlAs发光二极管（LED）发出的辐射控制，该LED与光伏发电机光学隔离。这些装置在工作寿命、灵敏度、导通电阻稳定性、小型化、对磁场不敏感以及坚固性方面超过了机电继电器的性能能力。紧凑型PVG612A特别适用于从12到48伏交流或直流电源的高电流隔离切换。PVG612A系列继电器采用6引脚模塑DIP封装，具有通孔或表面贴装（鸥翼形）端子。它提供标准塑料运输管或卷带包装。

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￥96.95
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￥92.59
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￥85.05

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型号：PVD1352NPBF 编号：C538590

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVD13系列直流继电器（PVD）是一种单极常开固态继电器，用于替代通用模拟信号切换的机电继电器。它利用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，并由一种新型结构的集成光电池发电机驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管（LED）发出的辐射控制，该发光二极管与光电池发电机光学隔离。PVD13系列克服了传统电磁继电器和簧片继电器的局限性，提供了固态继电器的优势，如长寿命、快速操作速度、低启动功率、无触点跳动、低热偏移电压和小型封装。这些优势允许在许多应用中进行产品改进和设计创新，如过程控制、多路复用、自动测试设备和数据采集。PVD13可以切换从热电偶级别到100伏峰值直流的模拟信号。轻松控制射频范围内的信号频率，且可达到高达450赫兹的切换速率。极小的热生成偏移电压允许提高测量精度。这些继电器采用8引脚模塑DIP封装，提供通孔或表面贴装（“鸥翼”）引线版本，以塑料运输管包装。

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单价：
￥102.9 / 个

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型号：IFCM15P60GD 编号：C535974

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

CIPOsTM模块系列可集成各种功率和控制组件，以提高可靠性、优化PCB尺寸和系统成本。它旨在通过单相PFC控制三相交流电机和永磁电机，适用于变速驱动器，如空调和低功率电机驱动器。其封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离、EMI安全控制和过载保护的电源应用。TRENCHSTOPTM IGBT3和反并联二极管与优化的SOI栅极驱动器相结合，具有出色的电气性能。

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1+
￥108.94
10+
￥105.54

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型号：BPC-817C 编号：C2692100

封装：DIP-4

品牌：BrtLed(佰鸿)

是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个NPN硅光电晶体管。引脚间距为2.54mm

10+
￥0.3411
100+
￥0.2715
300+
￥0.2367

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型号：KMOC3021 编号：C136465

封装：DIP-6

品牌：Cosmo(冠西)

是光隔离双向可控硅 (TRIAC) 驱动器件。这些系列包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光激活硅双向开关，其功能类似于双向可控硅 (TRIAC)。它们设计用于电子控制器和功率双向可控硅 (TRIAC) 之间的接口，以控制 115 VAC 工作电压下的电阻和电感负载。

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5+
￥1.2028
50+
￥0.9508
130+
￥0.8428

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型号：TLP781(BL-TP6,F) 编号：C2840183

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP781由一个硅光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。

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1+
￥1.2987
10+
￥1.0118
30+
￥0.8888

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型号：KMOC3022 编号：C136464

封装：DIP-6

品牌：Cosmo(冠西)

是光隔离双向可控硅 (TRIAC) 驱动器件。这些系列包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光激活硅双向开关，其功能类似于双向可控硅 (TRIAC)。它们设计用于电子控制器和功率双向可控硅 (TRIAC) 之间的接口，以控制 115 VAC 工作电压下的电阻和电感负载。

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1+
￥1.4381
10+
￥1.1312
65+
￥0.9997

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型号：Aip2003DA16.TB 编号：C5138972

封装：DIP-16

品牌：I-CORE(中微爱芯)

AiP2003内部包含七个独立的达林顿管驱动电路，每路达林顿管输入均串联一个2.7K的基极电阻，输出内置续流二极管，单路达林顿管最大可输出500mA电流，多路并联可承受更大的电流。该电路主要应用于照明驱动、继电器驱动、步进电机驱动和逻辑缓冲器等。

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5+
￥1.4726
50+
￥1.1324
150+
￥0.9866
500+
￥0.8047
2000+
￥0.7237
5000+
￥0.675

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型号：ASSR-1218-003E 编号：C1525239

封装：SO-4

品牌：Broadcom(博通)

由红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级与高压输出检测电路光耦合。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。继电器通过输入LED的最小输入电流为3 mA时开启（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关闭（触点断开）。单通道配置相当于1 Form A机电继电器（EMR），双通道配置相当于2 Form A EMR。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼表面贴装DIP封装。ASSR-1219支持AC/DC和仅DC输出连接。对于仅DC连接，输出电流IO增加到0.4A，导通电阻R(ON)降至2.5Ω。

1+
￥12.48
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￥12.16
30+
￥11.95

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型号：HCPL-0500-000E 编号：C6795948

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在 LED 和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有 8 引脚 DIP、SO-8 和宽体封装配置。部分产品适用于 TTL/CMOS、TTL/LSTTL 或宽带模拟应用，在 IF = 16mA 时，电流传输比 (CTR) 最小为 7%

1+
￥19.91
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￥16.99
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￥15.16

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型号：PS9513-AX 编号：C7030197

封装：DIP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS9513、PS9513L1、PS9513L2和PS9513L3是光耦合隔离器，在单芯片的输入侧包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管，输出侧包含一个光电二极管和一个信号处理电路。PS9513专为实现高共模瞬态抗扰度（CMR）和随工作温度变化的低脉冲宽度失真而设计，适用于智能功率模块（IPM）驱动。

1+
￥21.77
10+
￥21.28
50+
￥20.96

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型号：CPC1510G 编号：C1558894

封装：DIP-6

品牌：Littelfuse/IXYS

CPC1510 是一款单刀常开（1-Form-A）固态继电器，具备集成式限流功能，可替代机电继电器，同时增强有线接口应用的稳健性。该继电器采用 GaAIAs 发光二极管进行驱动控制，并使用集成单片管芯作为开关输出。管芯采用高压介质隔离技术制造，包含光电二极管阵列、带有源限流电路的开关控制以及 MOSFET 开关

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￥21.98
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