DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

NSG2153(1)DP 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)DP 的 CT 端在低电压（1/6thVCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)DP 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)DP 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)DP 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)DP 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

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型号：6N135-L 编号：C571210

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

6N135/6N136 - L由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入侧和输出侧提供了出色的交流和直流隔离。光电耦合器偏置连接通过减小基极 - 集电极电容，提高了传统光电晶体管耦合器的速度

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型号：SFH6186-3X001T 编号：C17622506

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH618A（DIP）和 SFH6186（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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型号：PS2505L-1-F3-A 编号：C350662

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是光耦合隔离器，包含砷化镓发光二极管和 NPN 硅光电晶体管。采用塑料双列直插式封装（DIP），为表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。

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型号：CNY17-3 编号：C553958

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

是由砷化镓红外发射二极管与硅NPN光电晶体管光耦合组成的光耦合对。信号信息（包括直流电平）可通过该器件传输，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。可在许多数字接口应用以及诸如CRT调制等模拟应用中替代继电器和变压器。

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型号：CNY17F-3X009 编号：C17586651

封装：SMD-6P

品牌：VISHAY(威世)

CNY17F是一款光耦合器，由砷化镓红外发光二极管和硅平面光电晶体管探测器通过光耦合组成，采用塑料直插式DIP - 6封装。该耦合器件适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压

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型号：CNY17-4X006 编号：C3009239

封装：DIP-6-10.16mm

品牌：VISHAY(威世)

是一个光耦合对，由砷化镓红外发光二极管与硅 NPN 光电晶体管光耦合而成。信号信息（包括直流电平）可以通过该器件传输，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。可用于在许多数字接口应用以及诸如 CRT 调制等模拟应用中替代继电器和变压器。

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型号：LTV-3223 编号：C575505

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

固态继电器（SSR）是砷化镓铝发光二极管、光控三端双向可控硅探测器和主功率三端双向可控硅的集成器件。这些器件非常适合控制高压交流负载，具备固态可靠性，同时在输入与输出之间提供 5 KV 的隔离（Viso (rms)）。

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型号：SFH6186-2T 编号：C136193

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。有GaAs红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，引脚间距2.54mm。选择选项6时，爬电距离和电气间隙>8mm。

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型号：H11AA4M 编号：C258254

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11AAXM 系列由两个反相并联连接的砷化镓红外发光二极管组成，以驱动单个硅光电晶体管输出。

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型号：MOC3052TVM 编号：C899827

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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