DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MOC3021D 编号：C7472397

封装：DIP

品牌：国芯佳品

三端双向可控硅元件驱动器输出光耦合器，400V 随机相 MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光隔离三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关，其功能与三端双

5+
￥1.0803
50+
￥0.8492
130+
￥0.7502

有货

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型号：OR-MOC3023(L) 编号：C22678116

封装：DIP-6

品牌：Orient(奥伦德)

由一个砷化镓红外发光二极管与一个单片硅非零电压交叉光控双向可控硅光耦合组成。它们设计用于逻辑系统接口中的分立功率双向可控硅，如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器。

6+
￥1.128
60+
￥0.8917
198+
￥0.7905
594+
￥0.6641
2970+
￥0.6079

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型号：SFH617A-2X009T 编号：C5334420

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110℃的SFH617A（DIP）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用砷化镓（GaAs）红外二极管发射器，通过光耦合至硅平面光电晶体管探测器，并封装在塑料DIP - 4封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

5+
￥1.1683
50+
￥1.1423
150+
￥1.1249

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型号：ZGY1120(ITR) 编号：C277763

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和NPN硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自IR的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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5+
￥1.266
50+
￥0.9888
150+
￥0.8946
500+
￥0.7464

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型号：CYTLP627 编号：C47115519

封装：DIP-4

品牌：OCIC(卓睿科)

CYTLP627由砷化镓红外发光二极管与带积分基极-发射极电阻的达林顿光电晶体管组成的高压光电耦合器，VCEO达到300V以上。

5+
￥1.3956
50+
￥1.1033
200+
￥0.978
500+
￥0.8217

有货

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型号：ZGY8102(ITR) 编号：C277766

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和NPN硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自IR的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

数据手册

5+
￥1.408
50+
￥1.1056
200+
￥0.976
500+
￥0.8143

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型号：CNY172TVM 编号：C899076

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

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￥1.5732 ￥2.28
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￥1.18 ￥2
50+
￥0.9163 ￥1.87
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￥0.8526 ￥1.74
500+
￥0.8085 ￥1.65
1000+
￥0.7889 ￥1.61

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型号：6N137 编号：C48997862

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

6N137由一个红外发射二极管和一个高速集成光电探测器逻辑门组成，后者具有频闪输出。产品应用于开关电源、数据传输、消除接地回路等。

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￥1.772
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￥1.389
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￥1.2248
495+
￥1.02

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型号：CNY173M 编号：C391249

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。

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5+
￥1.9973
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￥1.4949
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￥1.3091
500+
￥1.0772
2000+
￥0.974
5000+
￥0.912

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型号：HCPL-817-50BE 编号：C2927831

封装：SMD-4P

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 817包含一个发光二极管和一个光电晶体管，二者通过光耦合。它采用4引脚双列直插式封装（DIP），有宽引脚间距选项和弯引脚贴片（SMD）选项。输入 - 输出隔离电压为5000 Vrms

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5+
￥2.0674
50+
￥1.6147
150+
￥1.4207

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型号：DS34C87N 编号：C434594

封装：DIP-16

品牌：HGSEMI(华冠)

是一款用于平衡线路上数字数据传输的四路差分线路驱动器，满足EIA标准RS-422的所有要求，同时保留了CMOS的低功耗特性，可构建串行和终端接口，同时保持最低功耗。接受TTL或CMOS输入电平，并将其转换为Rs-422输出电平。使用特殊的输出电路，使各个驱动器能够在不加载总线的情况下断电。还包括特殊的上电和断电电路，在上电或断电期间将输出设置为三态，防止其输出出现杂散干扰。每个驱动器对都有独立的使能电路，引脚与DS3487兼容。所有输入都通过连接到Vcc和地的二极管来防止因静电放电而损坏。

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1+
￥2.61
10+
￥2.08
25+
￥1.71
100+
￥1.43
500+
￥1.3
1000+
￥1.23

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型号：CNY75C 编号：C118290

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

CNY75A、CNY75B、CNY75C、CNY75GA、CNY75GB、CNY75GC 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成，采用 6 引脚塑料双列直插式封装。

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1+
￥2.83
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￥2.25
50+
￥1.99

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型号：PS2505L-1-F3-A 编号：C350662

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是光耦合隔离器，包含砷化镓发光二极管和 NPN 硅光电晶体管。采用塑料双列直插式封装（DIP），为表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。

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1+
￥2.87
10+
￥2.27
30+
￥2.01
100+
￥1.7

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型号：HCPL-3120-C1LO 编号：C20612451

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

HCPL-3120/HCPL-3120S是一种2.5A输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大多数中功率IGBT和MOSFET。在电机控制逆变器以及高性能电力系统中，其非常适用于快速切换驱动功率IGBT和MOSFET。其包含一个镓铝砷化合物（AlGaAs）的发光二极管组成，通过红外光耦合到光敏集成电路，该集成电路具有用于推挽MOSFET输出级的高速驱动器。

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￥3.29
10+
￥2.58
50+
￥2.28

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型号：NSG2153DP 编号：C46473162

封装：DIP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2153(1)DP 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)DP 的 CT 端在低电压（1/6thVCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)DP 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)DP 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)DP 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)DP 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

1+
￥3.344 ￥3.52
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￥2.679 ￥2.82
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￥2.3465 ￥2.47
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￥2.0235 ￥2.13
500+
￥1.824 ￥1.92
1000+
￥1.729 ￥1.82

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型号：SFH617A-3X017T 编号：C17559107

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

110°C 额定值的产品具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠，间距为 2.54mm。选择选项 6 可实现爬电距离和电气间隙距离 >8.8mm。

1+
￥4.69
10+
￥4.58
30+
￥4.51
100+
￥4.218 ￥4.44

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型号：TLP2662(D4-TP1,F) 编号：C5370567

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高强度GaAs红外发光二极管 (LED) 与高增益、高速感光芯片光耦合组成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。两个LED感光对有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制能力，可将抗噪能力提高至±20kV/μs。

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1+
￥5.3
10+
￥4.76
30+
￥4.46
100+
￥4.12
500+
￥3.97

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型号：SFH6186-2T 编号：C136193

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。有GaAs红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，引脚间距2.54mm。选择选项6时，爬电距离和电气间隙>8mm。

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1+
￥6.55
10+
￥5.4
30+
￥4.83

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型号：SFH6186-5X001T 编号：C5361071

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm，可端对端堆叠。选择选项6时，爬电距离和电气间隙距离>8mm。

1+
￥6.6
10+
￥5.42
30+
￥4.83

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型号：6N136-X007T 编号：C241873

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

光耦合器带有 GaAlAs 红外发射二极管，与集成光电探测器光耦合，该探测器由光电二极管和高速晶体管组成，采用 DIP-8 塑料封装。信号可以在两个电气隔离的电路之间传输，最高频率可达 2 MHz。要耦合的电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。

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1+
￥6.65
10+
￥5.51
30+
￥4.89

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型号：SFH6206-3 编号：C7473279

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm，可端部堆叠。选择选项6时，爬电距离和电气间隙距离大于8mm。此版本符合IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高400VRMS或直流的工作电压的加强绝缘。

1+
￥6.77
10+
￥5.64
30+
￥5.01

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型号：TLP3083(TP1,F 编号：C146363

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅和砷化镓红外发射二极管光耦合组成。采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值），因此符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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1+
￥7.14 ￥8.5
10+
￥5.7868 ￥7.82
30+
￥4.736 ￥7.4
100+
￥4.4608 ￥6.97
500+
￥4.3392 ￥6.78
1500+
￥4.2816 ￥6.69

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型号：SFH6286-3 编号：C17514152

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH628A（DIP）和 SFH6286（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器配有一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管，该二极管与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

1+
￥7.75
10+
￥6.44
30+
￥5.72

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型号：VO3063 编号：C68036

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

由砷化镓红外发光二极管与单片光敏过零三端双向可控硅探测器芯片光耦合组成。600V 阻断电压允许控制高达 240VAC 的离线电压，安全系数超过 2，足以应对高达 380V 的电压。

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1+
￥8.1
10+
￥6.77
50+
￥6.04

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型号：L293D 编号：C12340

封装：DIP-16

品牌：ST(意法半导体)

具有二极管的推挽四通道驱动器

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1+
￥20.01
10+
￥17.03
30+
￥15.25

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型号：SPE10S60H-A 编号：C51037308

封装：DIP-26-FP

品牌：SPEIPM(吉林华微斯帕克)

·600V/10A三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT ·信号高电平有效，兼容3.3V和5V的MCU ·内置自举二极管 ·内置欠压保护、过流保护 ·使能关断功能 ·恒流温度检测输出

1+
￥22.3
10+
￥21.13
30+
￥20.43

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型号：HCPL-3700-300E 编号：C17363327

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

电压/电流阈值检测光耦合器。低电流版本采用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高光输出。器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在宽范围的输入电压上控制阈值水平。输入缓冲器具有滞后功能，可增强抗噪声和抗开关干扰能力；配备二极管桥，便于与交流输入信号配合使用；内置钳位二极管，可保护缓冲器和LED免受各种过电压和过电流瞬变的影响。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

1+
￥40.15
10+
￥39.27
50+
￥38.67

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型号：HCNR201 编号：C6267442

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

高线性模拟光耦合器由高性能AlGaAs LED组成，该LED为两个紧密匹配的光电二极管提供照明。输入光电二极管对LED的光输出进行监测，从而使其稳定。因此，实际上可以消除LED的非线性和漂移特性。输出光电二极管产生与LED光输出呈线性关系的光电流。光电二极管的紧密匹配和封装的先进设计确保了光耦合器的高线性和稳定增益特性。高线性模拟光耦合器在各种需要良好稳定性、线性度、带宽和低成本的应用中隔离模拟信号。通过适当设计应用电路，高线性模拟光耦合器能够以多种不同模式工作，包括单极/双极、交流/直流和反相/同相。高线性模拟光耦合器是许多模拟隔离问题的优秀解决方案。

1+
￥78.51
10+
￥68
42+
￥61.6

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型号：ATLS3A201D 编号：C7501666

封装：DIP

品牌：ATI(恒光)

产品参数：ATLSXA201D系列二极管激光驱动器是CWD-01-V2激光驱动器的升级替代版，启动时间更短：仅需要4mS，而CWD-01-V2需100mS启动。这款二极管激光驱动器专为驱动低噪声恒流高效的激光二极管而设计。产品型号：ATLSXA201D;高效：≥90;最大输出电流：500mA，1A, 2A, 3A, 4A, 6A;电流输出噪声：0.05%;高稳定性：100ppm/℃;高可靠性以及防电磁干扰; 　　尺寸小巧;

单价：
￥525.33 / 个

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型号：CYPC357(C-TR) 编号：C20417313

封装：SOP-4

品牌：OCIC(卓睿科)

CYPC357是一块小外形的贴片光电耦合器件，适合表面贴装生产。CYPC357是由一个砷化镓发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器，它的体积比DIP小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器等。

10+
￥0.4124
100+
￥0.326
300+
￥0.2828

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