DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：6N137-L 编号：C92648

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

6N137由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光电耦合器的输入侧和输出侧提供了出色的交流和直流隔离。光检测器的输出采用集电极开路的肖特基钳位晶体管

数据手册

5+
￥2.2962
50+
￥1.7934
150+
￥1.5779
500+
￥1.3091

有货

立即购买

型号：OB2269CAP 编号：C107220

封装：DIP-8

品牌：OB(昂宝)

是一款高度集成的电流模式PWM控制IC，针对高性能、低待机功耗和高性价比的离线反激式转换器应用进行了优化。PWM开关频率在正常工作时可通过外部编程设置，并可微调至较窄范围。在无负载或轻负载条件下，IC以扩展突发模式运行，以最小化开关损耗，从而实现更低的待机功耗和更高的转换效率。VDD低启动电流和低工作电流有助于实现可靠的上电启动设计，因此可在启动电路中使用大阻值电阻以降低待机功耗。内部斜率补偿可提高系统大信号稳定性，并减少高PWM占空比输出时可能出现的次谐波振荡。电流检测输入上的前沿消隐功能可消除由于缓冲电路二极管反向恢复引起的信号毛刺，这有助于减少应用中的外部元件数量和系统成本

数据手册

1+
￥2.83
10+
￥2.24
50+
￥1.98
100+
￥1.66
500+
￥1.52
1000+
￥1.43

有货

立即购买

型号：SFH6186-2 编号：C17356081

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH618A（DIP）和 SFH6186（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

1+
￥2.95
10+
￥2.88
30+
￥2.83

有货

立即购买

型号：SFH6106-3 编号：C2974188

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠，间距为 2.54 mm。选项 6 和选项 8 可实现大于 8.0 mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400 VRMS 或直流的工作电压下的加强绝缘。

1+
￥3.3
10+
￥2.62
30+
￥2.33
100+
￥1.97

有货

立即购买

型号：CNY17F2M 编号：C258249

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

数据手册

1+
￥3.402 ￥5.4
10+
￥2.772 ￥4.4
50+
￥2.4507 ￥3.89
100+
￥2.1357 ￥3.39
500+
￥1.9467 ￥3.09
1000+
￥1.8522 ￥2.94

有货

立即购买

型号：SFH6106-5T 编号：C3008979

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，间距为 2.54mm。选择选项 6 和选项 8 时，爬电距离和电气间隙距离 >8.0mm。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于高达 400Vₚ₋ₚ 或直流的工作电压的加强绝缘。

数据手册

1+
￥3.41
10+
￥3
30+
￥2.8
100+
￥2.59
500+
￥2.47

有货

立即购买

型号：CNY17-4X006 编号：C3009239

封装：DIP-6-10.16mm

品牌：VISHAY(威世)

是一个光耦合对，由砷化镓红外发光二极管与硅 NPN 光电晶体管光耦合而成。信号信息（包括直流电平）可以通过该器件传输，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。可用于在许多数字接口应用以及诸如 CRT 调制等模拟应用中替代继电器和变压器。

1+
￥3.48
10+
￥2.76
50+
￥2.45
100+
￥2.07

有货

立即购买

型号：VO615C-2X019T 编号：C17245116

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110°C的VO615C系列具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓（GaAs）红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP 4封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

1+
￥4.37
10+
￥4.27
30+
￥4.21
100+
￥4.14

有货

立即购买

型号：TLPN137(TP1,F) 编号：C99492

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出的GaAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成，采用DIP8封装。具有内部法拉第屏蔽，可保证10 kV/μs的共模瞬态抗扰度。

数据手册

1+
￥4.4
10+
￥3.87
30+
￥3.61
100+
￥3.36

有货

立即购买

型号：AQW214E-C1L0 编号：C19185365

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

AQW214光继电器由红外发光二极管和光电发生器、光MOSFET耦合组成。

1+
￥5.415 ￥5.7
10+
￥4.8925 ￥5.15
45+
￥4.598 ￥4.84
90+
￥4.275 ￥4.5
495+
￥4.123 ￥4.34
990+
￥4.066 ￥4.28

有货

立即购买

型号：CYHCPL2631S(TP1) 编号：C3018815

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL2630 和CYHCPL2631 由一个红外发光二极管和一个具有选通输出的高速集成光电检测器逻辑门IC组成的光耦。它有DIP-8，DIP8-M和SMD8三种封装形式。

数据手册

1+
￥6.12
10+
￥4.93
30+
￥4.34
100+
￥3.75

有货

立即购买

型号：ILD621GB 编号：C2926932

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

ILD621/ILQ621 和 ILD621GB/ILQ621GB 是多通道光电晶体管光耦合器，采用 GaAs 红外发光二极管发射器和高增益 NPN 硅光电晶体管。这些器件采用双模塑绝缘技术制造。这种组装工艺可承受 7500 VDC 的测试电压

数据手册

1+
￥6.77
10+
￥5.69
50+
￥4.71

有货

立即购买

型号：SFH6286-4X001T 编号：C17211847

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH628A（DIP）和 SFH6286（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器配有一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管，该二极管与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

1+
￥8.64
10+
￥7.18
30+
￥6.38

有货

立即购买

型号：AT226-CuH-D 编号：C22390118

封装：DIP-8

品牌：AOTE(奥特)

AT226 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、 MOSFET 组成。广泛应用于：通讯产品、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

1+
￥9.081 ￥10.09
10+
￥7.731 ￥8.59
45+
￥6.885 ￥7.65
90+
￥6.012 ￥6.68
495+
￥5.616 ￥6.24
990+
￥5.445 ￥6.05

有货

立即购买

型号：6N137 编号：C5346016

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

6N137、VO2601和VO2611是单通道10 MBd光耦合器，采用高效输入LED与集成光电二极管IC检测器耦合。该检测器具有漏极开路NMOS晶体管输出，与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比，泄漏电流更小。VO2630、VO2631和VO4661是双通道10 MBd光耦合器

1+
￥9.15
10+
￥7.56
50+
￥6.69

有货

立即购买

型号：H11F1M 编号：C899456

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11FXM 系列由一个与对称双向硅光电检测器耦合的砷铝镓红外发光二极管组成。该检测器可与输入进行电气隔离，就好像一个理想隔离的 FET，适用于低电平交流和直流模拟信号的无失真控制。H11FXM 系列器件安装在双线内封装内。

数据手册

1+
￥9.99
10+
￥8.21
50+
￥7.24
100+
￥6.14

有货

立即购买

型号：G6B-2214P-1-US DC5 编号：C1563729

封装：DIP,19.9x10.9mm

品牌：OMRON(欧姆龙)

特性：可连接P6B型号插座。高绝缘性，线圈与触点间介电强度为3000VAC（脉冲耐受电压为6kV）。标准型号符合UL/CSA标准。有适用于产生浪涌电压负载（如感性负载、容性负载等）的AgSnIn触点（-FD型）。有可进行超声波清洗的型号（-U型）。有带操作指示灯和内置浪涌吸收二极管的型号（-ND型）。应用：控制设备的输出应用

数据手册

1+
￥11.47
10+
￥11.21
30+
￥11.04

有货

立即购买

型号：MID400M 编号：C5207629

封装：PDIP-8

品牌：onsemi(安森美)

是一种光隔离交流线路到逻辑接口设备，采用8引脚塑料双列直插式封装。交流线路电压由两个与外部电阻串联的背对背砷化镓发光二极管监测。高增益检测电路感应发光二极管电流，并将输出门驱动到逻辑低电平状态。专为用作交流线路监测器而设计，推荐用于任何需要出色的光隔离、固态可靠性、TTL兼容性、小尺寸、低功耗和低频操作的交直流控制应用。

数据手册

1+
￥12.21 ￥20.35
10+
￥10.416 ￥17.36
50+
￥9.3 ￥15.5
100+
￥8.148 ￥13.58
500+
￥7.632 ￥12.72
1000+
￥7.41 ￥12.35

有货

立即购买

型号：TLP719(TP,F) 编号：C393902

封装：SDIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP719由GaAℓAs高输出发光二极管和高速探测器组成。该单元是6引脚SDIP。TLP719比8引脚DIP小50%，并符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

1+
￥12.28
10+
￥10.24
30+
￥8.95
100+
￥7.64

有货

立即购买

型号：G6B-2114P-1-US DC5 编号：C1564577

封装：DIP,19.9x10.9mm

品牌：OMRON(欧姆龙)

特性：可连接P6B型号插座。高绝缘性，线圈与触点间介电强度为3000VAC（脉冲耐受电压为6kV）。标准型号符合UL/CSA标准。有适用于产生浪涌电压负载（如感性负载、容性负载等）的AgSnIn触点（-FD型）。有可进行超声波清洗的型号（-U型）。有带操作指示灯和内置浪涌吸收二极管的型号（-ND型）。应用：控制设备的输出应用

数据手册

1+
￥13.94
10+
￥13.65
30+
￥13.46

有货

立即购买

型号：ILQ621 编号：C17554764

封装：DIP-16

品牌：VISHAY(威世)

ILD621、ILQ621、ILD621GB、ILQ621GB 是多通道光电晶体管光耦合器，采用砷化镓红外发光二极管（IRED）发射器和高增益 NPN 硅光电晶体管。这些器件采用双模塑绝缘技术制造。鉴于在 1.0 mA 的正向电流（lF）下，其集电极 - 发射极饱和电流传输比（CTRCEsat）最低为 30%，ILD621、ILQ621GB 非常适合用于 CMOS 接口

1+
￥17.3
10+
￥14.57
25+
￥12.95

有货

立即购买

型号：HCNW2601-000E 编号：C5756493

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

1+
￥17.77
10+
￥15.09
42+
￥13.49
84+
￥11.6424 ￥11.88
504+
￥10.9172 ￥11.14
1008+
￥10.584 ￥10.8

有货

立即购买

型号：SA36-11EWA 编号：C7071119

封装：DIP-10

品牌：Kingbright

高效红色光源器件由磷化镓上的磷砷化镓制成橙色发光二极管

1+
￥18.25
10+
￥15.36
36+
￥13.55
108+
￥11.69
504+
￥10.85
1008+
￥10.49

有货

立即购买

型号：HCNW2611-000E 编号：C188688

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。