DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMD-4P

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可端部堆叠。选择选项 6 时，爬电距离和电气间隙距离 > 8mm。

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型号：SFH6206-2 编号：C143678

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可端部堆叠。选择选项 6 时，爬电距离和电气间隙距离 >8mm。此版本符合 IEC 60950 (DIN VDE 0805) 标准，适用于 400V_RMS 或直流的工作电压。

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型号：TLP715(TP,F) 编号：C45216

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，是一款6引脚SDIP。比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此可减少需要安全标准认证的设备的安装面积。探测器具有图腾柱输出级，可提供源极和漏极驱动。探测器IC有一个内部屏蔽层，可保证10kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：HCPL2531M 编号：C899497

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽提供了高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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型号：HCPL-2611-000E 编号：C692032

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 Vcm = 1000V 时可保证高达 15,000V/μs 的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃ 至 +85℃ 范围内得到保证，可实现无故障系统性能。

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型号：FOD3180 编号：C899257

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：4N46-300E 编号：C39556289

封装：DIP-6-300mil

品牌：Broadcom(博通)

4N45/46光耦合器包含一个GaAsP发光二极管，该二极管与一个高增益光电探测器IC进行光耦合。由于集成了发射极 - 基极旁路电阻，该电阻可分流光电二极管和第一级的泄漏电流，并将多余的基极驱动电流泄放到地，因此在不同温度下都能实现出色的性能。与传统的光电达林顿探测器相比，第二级基极可外接，从而具备更好的抗噪能力。可以在基极添加外部电阻或电容，以进行增益带宽或输入电流阈值调整。基极引脚也可用于反馈。

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型号：HCPL-0530-500E 编号：C193715

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

这些双通道光耦合器包含一对发光二极管和集成光电探测器，输入和输出之间具有电气绝缘。通过降低基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些双通道光耦合器有8引脚DIP和行业标准SO-8封装可供选择。

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型号：G6B-2014P-US DC12 编号：C1563508

封装：DIP,19.9x10.9mm

品牌：OMRON(欧姆龙)

特性：可连接P6B型号插座。高绝缘性，线圈与触点间介电强度为3000VAC（脉冲耐受电压为6kV）。标准型号符合UL/CSA标准。有适用于产生浪涌电压负载（如感性负载、容性负载等）的AgSnIn触点（-FD型）。有可进行超声波清洗的型号（-U型）。有带操作指示灯和内置浪涌吸收二极管的型号（-ND型）。应用：控制设备的输出应用

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型号：AT2222-CuH-S 编号：C42371486

封装：SMD-8P

品牌：AOTE(奥特)

AT2222光电继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET耦合组成 AT222-2采用8引脚封装（DIP、 SMD）。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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型号：IL4108 编号：C19631577

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

IL410和IL4108由一个与光敏晶闸管系统光耦合的砷化镓红外发光二极管组成，该系统集成了噪声抑制和过零电路。晶闸管系统可实现2 mA的低触发电流，其dV/dt比大于10 kV/μs，负载电压最高可达800 V。

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型号：CNY65EXI 编号：C80228

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

CNY65Exi 由一个光电晶体管和一个红外发光二极管通过光耦合组成，采用 4 引脚塑料封装。这些组件相对安装，输入和输出之间的距离大于 3.0 毫米，满足最高安全要求。根据欧洲指令 94/9/EG，CNY65Exi 获得了适用于爆炸性环境的 ATEX 认证

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型号：SPE30S60F-E 编号：C51037312

封装：DIP-25-DBC

品牌：SPEIPM(吉林华微斯帕克)

·下臂IGBT发射极输出，内置自举二极管。 ·600V/30A三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT驱动：增强型输入滤波，高速600V电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护，过温保护和温度输出。 ·故障信号：对应于短路（过流）、过温和低侧电源欠压故障。 ·输入接口：兼容3.3V&5V输入信号，高电平有效。

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型号：ATLS2A201D 编号：C7501667

封装：DIP

品牌：ATI(恒光)

产品参数：ATLSXA201D系列二极管激光驱动器是CWD-01-V2激光驱动器的升级替代版，启动时间更短：仅需要4mS，而CWD-01-V2需100mS启动。这款二极管激光驱动器专为驱动低噪声恒流高效的激光二极管而设计。产品型号：ATLSXA201D;高效：≥90;最大输出电流：500mA，1A, 2A, 3A, 4A, 6A;电流输出噪声：0.05%;高稳定性：100ppm/℃;高可靠性以及防电磁干扰; 　　尺寸小巧;