DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

AT4N37是一款由发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器。六引脚封装（DIP6、 SMD6）。广泛应用于：电源调节器、数字逻辑输入、微处理输入。

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型号：SFH615A-3X009T 编号：C499481

封装：SMD-4P

SFH615A具备多种传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓（GaAs）红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP - 4封装中。这些耦合器件用于在两个电气隔离的电路之间进行信号传输

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型号：AT4N36-CuH-S 编号：C22396206

封装：SMD-6P

AT4N36是一款由发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器。六引脚封装（DIP6、 SMD6）。广泛应用于：电源调节器、数字逻辑输入、微处理输入。

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型号：AT4N27-CuH-S 编号：C22396208

封装：SMD-6P

AT4N27是一款由发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器。六引脚封装（DIP6、 SMD6）。广泛应用于：电源调节器、数字逻辑输入、微处理输入。

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型号：QX814B-CuH-S 编号：C49023652

封装：SMD-4P

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

是一款由两个发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装，四种形式（DIP、DIP-M、SMD、SLM）。

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型号：SN74HC373N(LX) 编号：C22374123

封装：DIP-20

SN74HC/HCT373是一个带三态输出的8位D型锁存器。该器件具有锁存使能(LE)和输出使能(OE)输入。当LE为高电平时，输入端的数据进入锁存器中。在这种情况下，锁存器是透明的，每次其相应的D输入更改时，锁存器输出都会更改。当LE为低电平时，锁存器储存LE下降沿前一个建立时间的输入端信息。OE上的高电平使输出呈现高阻态。OE输入的运行不会影响锁存器的状态。输入内置钳位二极管。这样就可以使用限流电阻将输入接口连接到超过Vcc的电压。

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型号：AT4N29-CuH-D 编号：C22396203

封装：DIP-6

AT4N29是一款由 GaAs发光二极管和达林顿晶体管组成的光电耦合器。可以在保持驱动电路和负载电路之间的高度隔离的同时实现开关，具有使用寿命长、速度快等优点能让它替代常规继电器。广泛应用于：开关电源，工业控制、测量仪器、可编程控制器、家用电器等。

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型号：TLP781(GR-TP6,F) 编号：C58371

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP781由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。

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型号：SN74HC273N(LX) 编号：C22374056

封装：DIP-20

SN74HC273是一款8位上升沿触发D型触发器。该电路具有时钟(CP)和主复位(MR)输入端。输出端Qn会输出相对应的Dn的状态,满足从低到高时钟(CP)转换的建立和保持时间要求。MR为低电平时，输出变为低电平，与时钟和数据输入无关。输入内置钳位二极管。这样就可以使用限流电阻将输入接口连接到超过Vcc的电压。

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型号：AT4N30-CuH-D 编号：C22396204

封装：DIP-6

AT4N30是一款由 GaAs发光二极管和达林顿晶体管组成的光电耦合器。可以在保持驱动电路和负载电路之间的高度隔离的同时实现开关，具有使用寿命长、速度快等优点能让它替代常规继电器。广泛应用于：开关电源，工业控制、测量仪器、可编程控制器、家用电器等。

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型号：SN74HC541N(LX) 编号：C22374067

封装：DIP-20

SN74HC/HCT541是一个带三态输出的8位同相缓冲器/线驱动器。该器件具有两个使能控制口(OE1和OE2)。OEn上的高电平会导致输出呈现高阻态。输入内置钳位二极管。这样就可以使用限流电阻将输入接口连接到超过Vcc的电压。

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型号：VO615A-8X016 编号：C145351

封装：DIP-4

VO615A由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

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型号：SN74LS10N(LX) 编号：C22384769

封装：DIP-14

SN74LS10是一个3路3输入与非门。输入内置钳位二极管。这样就可以使用限流电阻将输入接口连接到超过Vcc的电压。

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型号：6N136M 编号：C20612602

封装：DIP-8

6N136M 是一种用于单通道的高速光耦合器，由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接，可以通过降低基极集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高 100 倍。广泛应用于：CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器等。

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型号：SN74HC173N(LX) 编号：C22466319

封装：DIP-16

SN74HC/HCT173 是一款四正沿触发 D 型触发器。输入包含钳位二极管，这使得可使用限流电阻将输入连接到高于 VCC 的电压。

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型号：DS34C87N 编号：C434594

封装：DIP-16

品牌：HGSEMI(华冠)

是一款用于平衡线路上数字数据传输的四路差分线路驱动器，满足EIA标准RS-422的所有要求，同时保留了CMOS的低功耗特性，可构建串行和终端接口，同时保持最低功耗。接受TTL或CMOS输入电平，并将其转换为Rs-422输出电平。使用特殊的输出电路，使各个驱动器能够在不加载总线的情况下断电。还包括特殊的上电和断电电路，在上电或断电期间将输出设置为三态，防止其输出出现杂散干扰。每个驱动器对都有独立的使能电路，引脚与DS3487兼容。所有输入都通过连接到Vcc和地的二极管来防止因静电放电而损坏。

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型号：MOC8050M 编号：C97210

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC8021M 和 MOC8050M 为光电达林顿型光耦合器,无基极联接。此类器件具有与硅达林顿光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管。

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型号：SFH6106-4T 编号：C503261

封装：SMD-4P

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器有砷化镓红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并采用塑料 DIP-4 或 SMD 封装。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，间距为 2.54mm。选项 6 和选项 8 可实现大于 8.0mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压下的加强绝缘。

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型号：SFH6186-5T 编号：C145241

封装：SMD-4P

SFH618A（DIP）和 SFH6186（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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￥2.69
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￥2.07

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型号：TLP2662(D4-TP1,F) 编号：C5370567

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高强度GaAs红外发光二极管 (LED) 与高增益、高速感光芯片光耦合组成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。两个LED感光对有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制能力，可将抗噪能力提高至±20kV/μs。

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￥5.3
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￥4.46
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型号：PS2561DL2-1Y-A 编号：C17270925

封装：SMD-4P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2561D - 1是一款光耦合隔离器，包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN型硅光电晶体管。PS2561D - 1采用塑料双列直插式封装（DIP，Dual In - line Package），而PS2561DL - 1是用于表面贴装的弯引脚型（鸥翼型）。

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￥3.26

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型号：FOD3120 编号：C119030

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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型号：CYHCPL2630S(TP1) 编号：C3018813

封装：SOP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL2630 和CYHCPL2631 由一个红外发光二极管和一个具有选通输出的高速集成光电检测器逻辑门IC组成的光耦。它有DIP-8，DIP8-M和SMD8三种封装形式。

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型号：AT226-CuH-D 编号：C22390118

封装：DIP-8

AT226 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、 MOSFET 组成。广泛应用于：通讯产品、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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型号：AT2222-CuH-S 编号：C42371486

封装：SMD-8P

AT2222光电继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET耦合组成 AT222-2采用8引脚封装（DIP、 SMD）。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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型号：G6B-2214P-1-US DC5 编号：C1563729

封装：DIP,19.9x10.9mm

品牌：OMRON(欧姆龙)

特性：可连接P6B型号插座。高绝缘性，线圈与触点间介电强度为3000VAC（脉冲耐受电压为6kV）。标准型号符合UL/CSA标准。有适用于产生浪涌电压负载（如感性负载、容性负载等）的AgSnIn触点（-FD型）。有可进行超声波清洗的型号（-U型）。有带操作指示灯和内置浪涌吸收二极管的型号（-ND型）。应用：控制设备的输出应用

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型号：L293D 编号：C12340

封装：DIP-16

品牌：ST(意法半导体)

具有二极管的推挽四通道驱动器

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型号：SN74HC138N(LX) 编号：C22436652

封装：DIP-16

SN74HC/HCT138 将 3 个二进制加权地址输入（A0，A1 和 A2）解码为 8 个互斥输出（Y0~Y7）。该器件具有 3 个使能输入（E1，E2 和 E3）。除非 E1 和 E2 为低电平且 E3 为高电平，否则每个输出都为高电平。该多重使能功能允许简单的并行扩展至 32 选 1（5-32）解码器，只需要一个反相器和 4 个 SN74HC/HCT138 IC。SN74HC/HCT138 可以通过将有效的低电平使能输入之一用作数据输入并将其余的使能输入用作频闪来作为一个 8 路输出解复用器。输入内置钳位二极管。这样就可以使用限流电阻将输入接口连接到超过 VCC 的电压。

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型号：AT3023-CuH-DE 编号：C20612723

封装：DIP-6