DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：ATH11L2-CuH-D 编号：C20612623

封装：DIP-6

品牌：AOTE(奥特)

ATH11L2是由一个GaAs红外发射二极管和一个高速集成电路检测器组成。输出检波器内置施密特触发器，为抗噪和脉冲整形提供迟滞。高数据速率，典型频率为2MHZ；紧凑型双列直插式封装；广泛应用于：逻辑隔离器、可编程电流电

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￥1.62378 ￥1.8042
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￥1.28358 ￥1.4262
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￥1.13778 ￥1.2642
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￥0.95589 ￥1.0621
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￥0.87489 ￥0.9721
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￥0.8262 ￥0.918

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型号：AT6N139-CuH-D 编号：C20612707

封装：DIP-8

品牌：AOTE(奥特)

AT6N139通过发光二极管和集成高增益光检测器提供输入与输出之间高电流传输比。0.5mA的LED电流在0-70°C的工作温度范围内可保证400%的最小电流传输比。可适用于CMOS、LSTTL或其他低功耗应用中。广泛应用于：低输入电流接口、EIA RS-232C接口、117V交流电压状态指示器、低功耗系统–接地隔离

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￥1.78
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￥1.55
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￥1.45
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￥1.33
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￥1.27
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￥1.24

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型号：6N136M 编号：C20612602

封装：DIP-8

品牌：AOTE(奥特)

6N136M 是一种用于单通道的高速光耦合器，由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接，可以通过降低基极集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高 100 倍。广泛应用于：CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器等。

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￥1.84023 ￥2.0447
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￥1.45467 ￥1.6163
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￥1.28943 ￥1.4327
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￥1.08333 ￥1.2037
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￥0.99153 ￥1.1017
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￥0.93636 ￥1.0404

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型号：SN74LS20N(LX) 编号：C22449633

封装：DIP-14

品牌：LX(灵星芯微)

SN74LS20是一个2路4输入与非门。输入内置钳位二极管。这样就可以使用限流电阻将输入接口连接到超过VCC的电压。

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￥2.0597
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￥1.6414
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￥1.4621
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￥1.2384
2000+
￥1.1388
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￥1.079

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型号：SFH6186-3X001T 编号：C17622506

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH618A（DIP）和 SFH6186（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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￥2.81
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￥2.18
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￥1.91
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￥1.57

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型号：SLH11L1S 编号：C5155438

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：Slkor(萨科微)

SLH11Lx由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成，采用DIP6封装。该器件的工作参数在-55°C至100°C的温度范围内得到保证。

数据手册

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￥3.3
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￥2.61
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￥2.32
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￥1.95
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￥1.6

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型号：AT3120-CuH-D 编号：C41367997

封装：DIP-8

品牌：AOTE(奥特)

AT3120 是一种输出电流为 2.5A 的栅极驱动光电耦合器，具有一个砷化铝镓（ AlGaAs）的发光二极管，通过红外光耦合到光敏集成电路。广泛应用于：不间断电源、IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动、感应加热、工业逆变器等。

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￥3.483 ￥3.87
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￥2.826 ￥3.14
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￥2.493 ￥2.77
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￥2.169 ￥2.41
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￥1.971 ￥2.19
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￥1.872 ￥2.08

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型号：AT213-CuH-D 编号：C42371495

封装：DIP-4

品牌：AOTE(奥特)

AT213 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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￥3.582 ￥3.98
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￥2.88 ￥3.2
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￥2.178 ￥2.42
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￥1.863 ￥2.07

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型号：AT216-CuH-D 编号：C42371497

封装：DIP-4

品牌：AOTE(奥特)

AT216 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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￥3.645 ￥4.05
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￥2.952 ￥3.28
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￥2.601 ￥2.89
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￥1.935 ￥2.15

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型号：IK62083N 编号：C5157590

封装：DIP-18

品牌：IKSEMICON

是高电压、高电流的达林顿驱动器，由八个 NPN 达林顿对组成。所有单元均具有用于开关指示性负载的集成钳位二极管。

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￥3.86
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￥3.47
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￥3.15
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￥2.96
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￥2.84
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￥2.78

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型号：HCPL-3140-500E 编号：C692036

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

数据手册

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￥7.5
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￥6.17
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￥5.43
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￥4.5178 ￥4.61
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￥4.1552 ￥4.24
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￥3.9886 ￥4.07

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型号：TLP715(D4-TP,F) 编号：C914619

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外发射二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，为6引脚SDIP，比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。探测器有图腾柱输出级，提供源极和漏极驱动，探测器IC有内部屏蔽，保证共模瞬态抗扰度，为缓冲逻辑类型。

数据手册

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￥8.26
10+
￥6.85
30+
￥6.07
100+
￥5.2

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型号：FOD3120 编号：C119030

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

数据手册

1+
￥8.64
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￥7.18
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￥6.38
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￥5.47
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￥5.06
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￥4.88

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型号：HCPL-3180-000E 编号：C692040

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由 GaAsP 发光二极管组成。发光二极管与带功率级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合高频驱动用于等离子显示面板、高性能 DC/DC 转换器和电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。

数据手册

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￥13.14
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￥11.18
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￥8.92
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￥7.5068 ￥7.66
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￥6.9482 ￥7.09
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￥6.7032 ￥6.84

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型号：TLP250(TP1,F) 编号：C2802426

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAlAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装，适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路。

数据手册

1+
￥14.31
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￥12.05
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￥10.64

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型号：G6B-2114P-US DC12 编号：C51776

封装：DIP,19.9x10.9mm

品牌：OMRON(欧姆龙)

特性：可连接P6B型号插座。高绝缘性，线圈与触点间介电强度为3000VAC（脉冲耐受电压为6kV）。标准型号符合UL/CSA标准。有适用于产生浪涌电压负载（如感性负载、容性负载等）的AgSnIn触点（-FD型）。有可进行超声波清洗的型号（-U型）。有带操作指示灯和内置浪涌吸收二极管的型号（-ND型）。应用：控制设备的输出应用

数据手册

1+
￥17
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￥14.57
30+
￥13.05

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型号：IL300 编号：C222532

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

由一个AlGaAs红外发光二极管（IRLED）照射一个隔离的反馈和一个输出PIN光电二极管组成，采用分叉式排列。反馈光电二极管捕获LED光通量的一部分并产生一个控制信号，可用于控制LED驱动电流。这种技术补偿了LED的非线性、时间和温度特性。输出PIN光电二极管产生一个与LED产生的伺服光通量线性相关的输出信号。输入-输出耦合器增益（K3）的时间和温度稳定性通过使用匹配的PIN光电二极管来确保，这些二极管能精确跟踪LED的输出光通量。

数据手册

1+
￥18.65
10+
￥15.71
40+
￥13.87

有货

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型号：FOD4208SDV 编号：C899306

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

FOD420、FOD4208、FOD4216和FOD4218器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合任意相位三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4216和FOD4218采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。

数据手册

1+
￥24.33
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￥20.84
30+
￥18.77
100+
￥16.68
500+
￥15.71
1000+
￥15.28

有货

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型号：IL300-DEFG 编号：C222518

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

由一个AlGaAs红外发光二极管（IRLED）照射一个隔离的反馈和一个输出PIN光电二极管组成，采用分叉式排列。反馈光电二极管捕获LED光通量的一部分并产生一个控制信号，可用于控制LED驱动电流。这种技术补偿了LED的非线性、时间和温度特性。输出PIN光电二极管产生一个与LED产生的伺服光通量线性相关的输出信号。输入-输出耦合器增益（K3）的时间和温度稳定性通过使用匹配的PIN光电二极管来确保，这些二极管能精确跟踪LED的输出光通量。

数据手册

1+
￥28.01
10+
￥23.98
50+
￥19.25

有货

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型号：SPE15S60F-D 编号：C51037310

封装：DIP-25-DBC

品牌：SPEIPM(吉林华微斯帕克)

·下臂IGBT发射极输出，内置自举二极管。 ·600V/15A三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT 驱动：增强型输入滤波，高速600V电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护，过温保护和温度输出。 ·故障信号：对应于短路（过流）、过温和低侧电源欠压故障。 ·输入接口：兼容 3.3V &5V 输入信号，高电平有效。

1+
￥38.94
10+
￥33.29
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￥29.84
96+
￥26.95

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型号：6N140A/883B 编号：C39318318

封装：DIP-16

品牌：Broadcom(博通)

这些是单通道、双通道和四通道的密封光耦合器。既可以作为商业产品购买，也可以通过完整的MIL-PRF-38534 H级或K级测试购买，或从适当的DLA标准微电路图纸（SMD）购买。所有器件均在MIL-PRF-38534认证生产线上制造和测试，H级和K级器件包含在DLA混合微电路合格制造商列表QML-38534中。每个通道包含一个与集成高增益光子探测器光耦合的GaAsP发光二极管

1+
￥668.82
36+
￥612.275 ￥644.5

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型号：GX817B-S 编号：C2684624

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：国芯佳品

GX817系列器件均由一个红外发光二极管和一个与之光耦合的光电晶体管探测器组成。它们采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD可选封装。

数据手册

10+
￥0.257
100+
￥0.2042
300+
￥0.1778

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型号：LTV816D-S 编号：C20612586

封装：SOP-4-250mil

品牌：AOTE(奥特)

LTV816D-S 是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装，三种形式( DIP、DIP-M、SMD)。广泛应用于：开关电源，智能电表、工业控制，测量仪器、办公设备、家用电器等。

10+
￥0.33876 ￥0.3764
100+
￥0.26964 ￥0.2996
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￥0.23508 ￥0.2612
2000+
￥0.20916 ￥0.2324
4000+
￥0.18846 ￥0.2094
10000+
￥0.17811 ￥0.1979

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型号：AT4N37-CuH-S 编号：C22396207

封装：SMD-6P

品牌：AOTE(奥特)

AT4N37是一款由发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器。六引脚封装（DIP6、 SMD6）。广泛应用于：电源调节器、数字逻辑输入、微处理输入。

5+
￥0.57528 ￥0.6392
50+
￥0.56241 ￥0.6249
150+
￥0.55386 ￥0.6154
500+
￥0.54531 ￥0.6059

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型号：AT4N38-CuH-S 编号：C22396205

封装：SMD-6P

品牌：AOTE(奥特)

AT4N38是一款由发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器。六引脚封装（DIP6、 SMD6）。广泛应用于：电源调节器、数字逻辑输入、微处理输入。

5+
￥0.75537 ￥0.8393
50+
￥0.73854 ￥0.8206
150+
￥0.72729 ￥0.8081
500+
￥0.71604 ￥0.7956

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型号：SN74HC138N(LX) 编号：C22436652

封装：DIP-16

品牌：LX(灵星芯微)

SN74HC/HCT138 将 3 个二进制加权地址输入（A0，A1 和 A2）解码为 8 个互斥输出（Y0~Y7）。该器件具有 3 个使能输入（E1，E2 和 E3）。除非 E1 和 E2 为低电平且 E3 为高电平，否则每个输出都为高电平。该多重使能功能允许简单的并行扩展至 32 选 1（5-32）解码器，只需要一个反相器和 4 个 SN74HC/HCT138 IC。SN74HC/HCT138 可以通过将有效的低电平使能输入之一用作数据输入并将其余的使能输入用作频闪来作为一个 8 路输出解复用器。输入内置钳位二极管。这样就可以使用限流电阻将输入接口连接到超过 VCC 的电压。