DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：DIP-6

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥4.22
10+
￥3.48
50+
￥2.89
100+
￥2.52
500+
￥2.3
1000+
￥2.19

有货

立即购买

型号：SFH6286-3T 编号：C144899

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发射二极管，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可堆叠。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。该版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。

数据手册

1+
￥5.69
10+
￥4.78
30+
￥4.33
100+
￥3.88
500+
￥3.33

有货

立即购买

型号：HCPL-050L-500E 编号：C692011

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器使用 LED 和集成光电探测器之间的绝缘层，在输入和输出之间提供电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些光耦合器有 8 引脚 DIP 和行业标准 SO-8 封装。SO-8 封装不需要在 PCB 上打“通孔”，该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的三分之一，引脚轮廓设计为与标准表面贴装工艺兼容。这些光耦合器可用于 LVTTL/LVCMOS 或宽带模拟应用。这些光耦合器保证在 VCM = 10V 时，共模瞬态抗扰度最小为 1000 V/μs 至典型值。

数据手册

1+
￥5.84
10+
￥5.26
30+
￥4.94
100+
￥4.57
500+
￥4.15
1500+
￥4.08

有货

立即购买

型号：TD62783APG(O.J.S) 编号：C2762706

封装：DIP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

是 DMOS 晶体管阵列，有 8 个电路。每个输出端内置用于切换感性负载的钳位二极管。使用时请留意热条件。

数据手册

1+
￥6.56
10+
￥5.48
40+
￥4.71
100+
￥4.04

有货

立即购买

型号：BCW214 编号：C5348924

封装：DIP-8

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：3mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

数据手册

1+
￥7.201 ￥7.58
10+
￥6.023 ￥6.34
50+
￥5.3865 ￥5.67
100+
￥4.655 ￥4.9
500+
￥4.332 ￥4.56
1000+
￥4.18 ￥4.4

有货

立即购买

型号：HCNW136-500E 编号：C2985492

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层,以提供输入和输出之间的电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极集电极电容,使速度比传统光电晶体管耦合器提高了多达一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO 8和宽体封装配置。6N135、HCPL 0500和HCNW135适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用

数据手册

1+
￥13.05
10+
￥11.19
30+
￥10.02
100+
￥8.53

有货

立即购买

型号：HCPL-0710-500E 编号：C188706

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

采用8引脚DIP或SO-8封装形式，利用最新的CMOS IC技术，实现了低功耗下的出色性能。只需两个旁路电容即可实现完全的CMOS兼容性。基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，为LED提供电流。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。

数据手册

1+
￥13.9
10+
￥11.7
30+
￥10.33
100+
￥8.92

有货

立即购买

型号：CNY66 编号：C962625

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发射二极管组成，采用4引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，输入和输出之间的距离大于3mm，满足最高安全要求。

数据手册

1+
￥16.31
10+
￥13.96
25+
￥12.48
100+
￥10.98

有货

立即购买

型号：HCPL-053L-500E 编号：C545694

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器使用 LED 和集成光电探测器之间的绝缘层，在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接，通过降低基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些光耦合器有 8 引脚 DIP 和行业标准 SO-8 封装可供选择。SO-8 封装不需要在 PCB 上打“通孔”。该封装占用的面积约为标准双列直插封装的三分之一。引脚外形设计为与标准表面贴装工艺兼容。这些光耦合器可用于 LVTTL/LVCMOS 或宽带宽模拟应用。这些光耦合器保证在 VCM = 10V 时，共模瞬态抗扰度最小为 1000V/μs 至典型值。

数据手册

1+
￥16.37
10+
￥14.17
30+
￥12.79
100+
￥10.32
500+
￥9.68

有货

立即购买

型号：G6B-2014P-US DC12 编号：C1563508

封装：DIP,19.9x10.9mm

品牌：OMRON(欧姆龙)

特性：可连接P6B型号插座。高绝缘性，线圈与触点间介电强度为3000VAC（脉冲耐受电压为6kV）。标准型号符合UL/CSA标准。有适用于产生浪涌电压负载（如感性负载、容性负载等）的AgSnIn触点（-FD型）。有可进行超声波清洗的型号（-U型）。有带操作指示灯和内置浪涌吸收二极管的型号（-ND型）。应用：控制设备的输出应用

数据手册

1+
￥23.87
10+
￥20.55
30+
￥18.58
100+
￥15.58

有货

立即购买

型号：HCPL-3700-000E 编号：C692043

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是电压/电流阈值检测光耦合器，低电流版本使用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能：用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥，以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

数据手册

1+
￥25.34
10+
￥21.87
50+
￥19.81
100+
￥17.72

有货

立即购买

型号：SPE15S60F-E 编号：C52976370

封装：DIP-25-DBC

品牌：SPEIPM(吉林华微斯帕克)

·下臂IGBT发射极输出，内置自举二极管。 ·600V/15A三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT 驱动：高速600V电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护，过温保护和温度输出。 ·故障信号：对应于短路（过流）、过温和低侧电源欠压故障。 ·输入接口：兼容3.3V&5V输入信号，高电平有效。

1+
￥32.706 ￥36.34
10+
￥28.224 ￥31.36
24+
￥25.488 ￥28.32
96+
￥23.202 ￥25.78

有货

立即购买

型号：SPE15S60F-D 编号：C51037310

封装：DIP-25-DBC

品牌：SPEIPM(吉林华微斯帕克)

·下臂IGBT发射极输出，内置自举二极管。 ·600V/15A三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT 驱动：增强型输入滤波，高速600V电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护，过温保护和温度输出。 ·故障信号：对应于短路（过流）、过温和低侧电源欠压故障。 ·输入接口：兼容 3.3V &5V 输入信号，高电平有效。