DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：CNY65B 编号：C118289

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

CNY64、CNY65 和 CNY66 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用 4 引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，为满足最高安全要求，输入和输出之间的间距大于 3 mm。

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1+
￥13.05
10+
￥11.45
30+
￥9.7
90+
￥8.67
510+
￥8.21
990+
￥8

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型号：HCNW4503-500E 编号：C188691

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在lF = 16 mA时，这些器件的CTR最小为19%。

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1+
￥14.34
10+
￥12.35
30+
￥11.11
100+
￥9.83
750+
￥9.26
1500+
￥9.01

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型号：G6B-2114P-US DC24 编号：C397218

封装：DIP,19.9x10.9mm

品牌：OMRON(欧姆龙)

特性：可连接P6B型号插座。高绝缘性，线圈与触点间介电强度为3000VAC（脉冲耐受电压为6kV）。标准型号符合UL/CSA标准。有适用于产生浪涌电压负载（如感性负载、容性负载等）的AgSnIn触点（-FD型）。有可进行超声波清洗的型号（-U型）。有带操作指示灯和内置浪涌吸收二极管的型号（-ND型）。应用：控制设备的输出应用

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1+
￥14.75
10+
￥12.69
30+
￥11.4
100+
￥9.96
500+
￥9.36

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型号：PS2501 编号：C364144

封装：DIP-4

品牌：UMW(友台半导体)

是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个 NPN 硅光电晶体管。

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5+
￥0.5814
50+
￥0.458
200+
￥0.3418
500+
￥0.2956
2500+
￥0.2586
5000+
￥0.24

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型号：TLP621GB-1(UMW) 编号：C388376

封装：DIP-4

品牌：UMW(友台半导体)

由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP621-2 在八引脚塑料双列直插式封装中提供两个隔离通道，TLP621-4 在十六引脚塑料双列直插式封装中提供四个隔离通道。

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5+
￥0.7688
50+
￥0.5887
200+
￥0.4987
500+
￥0.4312
2500+
￥0.3772
5000+
￥0.3502

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型号：MOC3043M 编号：C20624245

封装：DIP-6

品牌：AOTE(奥特)

MOC3043M是由一个 GaAs 红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等。

5+
￥1.20152 ￥1.306
50+
￥1.054688 ￥1.1464
130+
￥0.970784 ￥1.0552
520+
￥0.892308 ￥0.9699
2470+
￥0.857348 ￥0.9319
6500+
￥0.836372 ￥0.9091

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型号：MOC3042M(UMW) 编号：C2842961

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC304X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

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2+
￥0.95
20+
￥0.8356
60+
￥0.7866
200+
￥0.6601
1000+
￥0.6329
2000+
￥0.6165

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型号：MOC3051M(UMW) 编号：C2842963

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

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2+
￥1.0553
20+
￥0.8368
60+
￥0.7431
200+
￥0.5742
1000+
￥0.5222
2000+
￥0.4909

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型号：MOC3053M(UMW) 编号：C2842964

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

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5+
￥1.098
50+
￥0.9671
130+
￥0.8363
520+
￥0.7663
2470+
￥0.7352
6500+
￥0.7165

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型号：4N35M 编号：C4069

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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5+
￥2.1788
50+
￥1.5799
150+
￥1.387
500+
￥1.1464
2000+
￥1.0392
5000+
￥0.9749

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型号：SFH6206-3T 编号：C118295

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH620A（DIP）和 SFH6206（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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1+
￥4.05
10+
￥3.25
30+
￥2.86
100+
￥2.46
500+
￥2.23
1000+
￥2.11

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型号：BC3213 编号：C596510

封装：DIP-7

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：50mA(MAX)，漏电流：100uA(MAX)，主要应用：家电、智能家居、智能开关、传感设备、医疗设备等

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1+
￥4.69
10+
￥3.74
50+
￥3.26
100+
￥2.79
500+
￥2.5
1000+
￥2.36

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型号：TLP350H(TP1,F) 编号：C261928

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款DIP8封装的光耦合器，由GaAAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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1+
￥6.72
10+
￥5.46
30+
￥4.83
100+
￥4.2
500+
￥3.3
1500+
￥3.11

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型号：SN74LS11N(XBLW) 编号：C42395509

封装：DIP-14

品牌：XBLW(芯伯乐)

SN74LS11是一款三路3输入与门，输入包含钳位二极管，允许使用限流电阻将输入接口至超过Vcc的电压。

5+
￥1.63229 ￥1.7182
50+
￥1.29713 ￥1.3654
150+
￥1.15349 ￥1.2142
500+
￥0.97432 ￥1.0256
2500+
￥0.89452 ￥0.9416
5000+
￥0.846545 ￥0.8911

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型号：HCPL-817-56BE 编号：C40666

封装：SMD-4P

品牌：Broadcom(博通)

包含一个发光二极管，该二极管与光电晶体管进行光耦合。采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距选项和引脚弯曲贴片选项。输入输出隔离电压为5000 Vrms。响应时间tr通常为4 μs，在输入电流为5 mA时，最小电流传输比（CTR）为50%。

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5+
￥2.5694
50+
￥2.0039
150+
￥1.7615
1000+
￥1.3398
2000+
￥1.2052
5000+
￥1.1244

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型号：BC2223 编号：C596509

封装：DIP-7

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：50mA(MAX)，漏电流：100uA(MAX)，主要应用：家电、智能家居、智能开关、传感设备、医疗设备等

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1+
￥3.74
10+
￥3.06
50+
￥2.54
100+
￥2.17
500+
￥2.01
1000+
￥1.91

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型号：ASSR-1218-503E 编号：C6747780

封装：SO-4

品牌：Broadcom(博通)

由红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级与高压输出检测电路光耦合。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。继电器通过输入LED的最小输入电流为3 mA时开启（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关闭（触点断开）。单通道配置相当于1 Form A机电继电器（EMR），双通道配置相当于2 Form A EMR。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼表面贴装DIP封装。ASSR-1219支持AC/DC和仅DC输出连接。对于仅DC连接，输出电流IO增加到0.4A，导通电阻R(ON)降至2.5Ω。

1+
￥21.61
10+
￥18.72
30+
￥17
100+
￥15.27
500+
￥14.47

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型号：IKCM10H60GA 编号：C3615235

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

该模块系列可集成各种电源和控制组件，以提高可靠性、优化PCB尺寸和系统成本。它旨在控制三相交流电机和永磁电机，适用于高开关频率应用（约15kHz）的变速驱动器，如洗衣机，因为其关断开关损耗非常低。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的电源应用，同时具备EMI控制和过载保护功能。TRENCHSTOP IGBT和反并联二极管与优化的SOI栅极驱动器相结合，具有出色的电气性能。

1+
￥36.22
10+
￥29.99
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￥26.96
98+
￥23.9

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型号：ASSR-1510-503E 编号：C6795975

封装：SO-4

品牌：Broadcom(博通)

Broadcom ASSR-15XX 系列专为高电流应用设计，常见于工业应用中。ASSR-15XX 系列由一个AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级通过光学耦合到高压输出检测电路。检测器由高速光伏二极管阵列和驱动电路组成，以切换两个离散的高压MOSFET的开和关。当输入LED的电流最小为3 mA时，继电器开启（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器关闭（触点断开）。单通道配置的ASSR-1510和ASSR-1511相当于1 Form A 机电继电器（EMR），双通道配置的ASSR-1520和ASSR-1530相当于2 Form A EMR。它们提供4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP以及DIP封装的鸥翼表面贴装和真正的表面贴装SO-8引脚。其电气和开关特性在-40℃至+85℃的温度范围内指定。ASSR-1511支持AC/DC和仅DC输出连接。对于仅DC连接，输出电流I0增加到2A，导通电阻R(ON)降低到0.2Ω。

1+
￥38.94
10+
￥33.18
30+
￥29.66
100+
￥26.72

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型号：ASSR-1611-501E 编号：C5570486

封装：DIP-6

品牌：Broadcom(博通)

专为高电流应用而设计，常见于工业设备中。该继电器是单极、常开（1 Form A）机电继电器的固态替代品。由一个铝镓砷红外发光二极管（LED）输入级和一个高压输出检测电路光耦合而成。检测电路由一个高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为5mA时，继电器导通（触点闭合）；当输入电压为0.8V或更低时，继电器断开（触点打开）。连接方式A允许继电器切换交流或直流负载；连接方式B具有降低导通电阻和提高输出电流的优点，仅允许继电器切换直流负载。电气和开关特性在 -40℃至 +85℃的温度范围内规定。

1+
￥40.89
10+
￥35.24
30+
￥31.79
100+
￥28.9

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型号：MOC3023M(UMW) 编号：C2842959

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC302X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

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5+
￥0.7318
50+
￥0.644
130+
￥0.5539
520+
￥0.507
2470+
￥0.4861
6500+
￥0.4735

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型号：TLP785(GR-TP6,F 编号：C146376

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装，具有高隔离电压 (AC:5 kVRMS (min))。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。

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5+
￥0.8733
50+
￥0.7005
150+
￥0.6141
500+
￥0.5493
2000+
￥0.4335
4000+
￥0.4076

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型号：SN74LS32N(XBLW) 编号：C42395512

封装：DIP-14

品牌：XBLW(芯伯乐)

SN74LS32是一个四路2输入或门，输入包含钳位二极管，允许使用限流电阻将输入接口至超过VCC的电压。

5+
￥1.1733
50+
￥0.9213
150+
￥0.8133
500+
￥0.6786
2500+
￥0.6186
5000+
￥0.5825

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型号：SN74LS20N(XBLW) 编号：C42395510

封装：DIP-14

品牌：XBLW(芯伯乐)

SN74LS20是一个双4输入NAND门，包含钳位二极管，允许使用限流电阻将输入接口至超过VCC的电压。

5+
￥1.6426
50+
￥1.2898
150+
￥1.1386
500+
￥0.95
2500+
￥0.866
5000+
￥0.8155

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型号：MOC3043M 编号：C80489

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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