DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

MOC3081M、MOC3082M和MOC3083M器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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￥3.45
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型号：TLP627(TP1,F) 编号：C30336

封装：SMD-4P

东芝TLP627 - 2和TLP627 - 4由砷化镓红外发光二极管与达林顿连接的光电晶体管光耦合而成，该光电晶体管带有一个集成基极 - 发射极电阻，用于优化开关速度和高温特性。TLP627 - 2采用八引脚塑料DIP封装，提供两个隔离通道，而TLP627 - 4每个封装提供四个隔离通道。

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￥5.41
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型号：TLP350H(TP1,F) 编号：C261928

封装：SOP-8-2.54mm

是一款DIP8封装的光耦合器，由GaAAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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￥3.22

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型号：HCPL-0710-500E 编号：C188706

封装：SO-8

采用8引脚DIP或SO-8封装形式，利用最新的CMOS IC技术，实现了低功耗下的出色性能。只需两个旁路电容即可实现完全的CMOS兼容性。基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，为LED提供电流。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。

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型号：TCD1209DG(8Z,K) 编号：C5179035

封装：DIP-22

TCD1209DG是一款高灵敏度、低暗电流的2048像元CCD线性图像传感器。该器件包含一排2048像元的光电二极管，在B4尺寸纸张上可实现每毫米8线的分辨率。该器件由5个（此处原文未完整说明5个什么，可能是引脚、电源等，需结合完整原文确定）进行操作

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￥165.1
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￥149.51

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型号：MOC3041M(UMW) 编号：C6169228

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC304X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

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型号：TLP5702(D4-TP,E 编号：C2929223

封装：SOP-6

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小、更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准。因此，它为需要安全标准认证的应用提供了更小的占用空间解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。非常适合中小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：MOC3052M 编号：C8965

封装：DIP-6

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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￥2.07
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￥1.44

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型号：PC817AS 编号：C22375537

封装：SMD-4P

品牌：AOTE(奥特)

PC817AS是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装( DIP、DIP-M、SMD) 广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等。

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￥0.26082 ￥0.2835
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￥0.206448 ￥0.2244
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型号：HCPL-817-56BE 编号：C40666

封装：SMD-4P

包含一个发光二极管，该二极管与光电晶体管进行光耦合。采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距选项和引脚弯曲贴片选项。输入输出隔离电压为5000 Vrms。响应时间tr通常为4 μs，在输入电流为5 mA时，最小电流传输比（CTR）为50%。

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￥2.376
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￥1.6602
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￥1.260868 ￥1.2866
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￥1.073786 ￥1.0957

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型号：BC2213 编号：C596508

封装：DIP-7

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：50mA(MAX)，漏电流：100uA(MAX)，主要应用：家电、智能家居、智能开关、传感设备、医疗设备等

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￥3.895 ￥4.1
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型号：BC3223 编号：C596511

封装：DIP-7

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：50mA(MAX)，漏电流：100uA(MAX)，主要应用：家电、智能家居、智能开关、传感设备、医疗设备等

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￥4.7595 ￥5.01
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型号：HCPL-2630-000E 编号：C28575

封装：DIP-8

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥9.31
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￥7.69
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型号：G6B-2114P-US DC24 编号：C397218

封装：DIP,19.9x10.9mm

品牌：OMRON(欧姆龙)

特性：可连接P6B型号插座。高绝缘性，线圈与触点间介电强度为3000VAC（脉冲耐受电压为6kV）。标准型号符合UL/CSA标准。有适用于产生浪涌电压负载（如感性负载、容性负载等）的AgSnIn触点（-FD型）。有可进行超声波清洗的型号（-U型）。有带操作指示灯和内置浪涌吸收二极管的型号（-ND型）。应用：控制设备的输出应用

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￥14.03
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￥8.65

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型号：MOC3062M(UMW) 编号：C2842966

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC306X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

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￥0.6334

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型号：AT852-CuH-S 编号：C22390125

封装：SMD-4P

品牌：AOTE(奥特)

AT852是一款由发光二极管和达林顿晶体管组成的高耐压(VCEO≥350V)光电耦合器。四引脚封装（DIP4、SMD4、 DIP4-M）。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等.

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￥1.3293 ￥1.477
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￥1.05714 ￥1.1746
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型号：SFH6106-3T 编号：C118291

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，间距为 2.54mm。选项 6 和选项 8 可实现 >8.0mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于高达 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。规格可能会有所变化。

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￥3.14
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￥2.43
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￥1.75
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￥1.49

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型号：MOC3163M 编号：C463825

封装：DIP-6

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥1.81

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型号：TLP627M(TP1,E 编号：C39286670

封装：SMD-4P

TLP627M是一款光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电达林顿晶体管光耦合而成。它采用4引脚DIP封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间的击穿电压较高，TLP627M适用于可编程控制器的100 V直流输出模块等应用

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￥4.09
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￥3.26
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￥2.45
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￥2.08

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型号：MOC3063M 编号：C8920

封装：DIP-6

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥4.8
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￥2.62

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型号：6N136M 编号：C9067

封装：DIP-8

HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光电耦合器包含耦合高速光电检测器晶体管的AlGaAs LED。通过降低输入晶体管的基极-集电极电容，单独连接实现光电二极管偏压使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。 HCPL4503M不会内部连接到光电晶体管基极，有助于改善抗噪能力，内部噪声屏蔽提供一流的共模抑制性能，高达50,000V/us。

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￥5.22
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￥4.18
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￥3.54
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￥2.72
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￥2.56

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型号：HCPL-4504-500E 编号：C17130

封装：SMD-8-300mil

包含 GaAsP LED 和 AlGaAs LED，LED 与集成高增益光电探测器光耦合。具有短传播延迟和高 CTR，保证传播延迟差 (tPLH-tPHL)，适用于解决 IPM 逆变器死区时间和其他开关问题。CTR、传播延迟和 CMR 针对 TTL 和 IPM 条件进行了规定，便于应用。单通道、二极管-晶体管光耦合器，有 8 引脚 DIP、SO-8 和宽体封装配置。LED 和集成光电探测器之间的绝缘层提供输入和输出之间的电气绝缘，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过降低基极集电极电容将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。

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￥6.84
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￥5.56
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￥4.92
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型号：PC-817-C-F 编号：C42368114

封装：DIP-4

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

由红外发射二极管和光电晶体管检测器通过光学耦合封装组成，晶体管光耦可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能等应用输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.35V,输出类型：直流晶体管，输出电流：50mA，隔离电压：5KV.铁框架

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￥0.1627
200+
￥0.1263
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￥0.106
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￥0.0833
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型号：TLP185(GR-TPL,SE 编号：C128776

封装：SOP-4-2.54mm

由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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5+
￥0.7764
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￥0.5242
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型号：TLP785(GR-TP6,F 编号：C146376

封装：SMD-4P

由与砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管光耦合的硅光电晶体管组成，采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装，具有高隔离电压 (AC:5 kVRMS (min))。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。

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5+
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￥0.5966
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￥0.5318
2000+
￥0.416
4000+
￥0.39

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型号：6N137S(TA) 编号：C16496

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：EVERLIGHT(亿光)

6N137、EL2601和EL2611由一个红外发光二极管和一个高速集成光电探测器逻辑门通过光耦合组成，具有可选通输出。它采用8引脚双列直插式封装（DIP），还有宽引脚间距和贴片（SMD）封装可选。

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25+
￥1.6202
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￥1.2421
1000+
￥1.0575
2000+
￥0.8928
12000+
￥0.8476
25000+
￥0.8205

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型号：ASSR-1510-503E 编号：C6795975

封装：SO-4