DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

PC817AS是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装( DIP、DIP-M、SMD) 广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等。

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￥0.26082 ￥0.2835
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￥0.206448 ￥0.2244
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￥0.13248 ￥0.144

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型号：AT817C-FeL-SE 编号：C20612669

封装：SMD-4P

AT817X是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装 ( DIP、 DIP-M、 SMD) 广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等.

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￥0.220248 ￥0.2394
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￥0.118404 ￥0.1287

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型号：AT852-CuH-S 编号：C22390125

封装：SMD-4P

AT852是一款由发光二极管和达林顿晶体管组成的高耐压(VCEO≥350V)光电耦合器。四引脚封装（DIP4、SMD4、 DIP4-M）。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等.

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￥1.435292 ￥1.5601
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￥1.157084 ￥1.2577
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￥1.037852 ￥1.1281
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￥0.889088 ￥0.9664
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￥0.822848 ￥0.8944
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￥0.783012 ￥0.8511

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型号：MOC3022M(UMW) 编号：C2842958

封装：DIP-6

UMW MOC302X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

数据手册

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￥0.7784
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￥0.6873
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￥0.5745
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￥0.5258
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￥0.5041
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￥0.4911

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型号：MOC3041M 编号：C8921

封装：DIP-6

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

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￥3.67
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￥2.96
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￥2.44
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￥2.08
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￥1.87
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￥1.76

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型号：HCNR201-000E 编号：C9066

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

HCNR200/201 高线性模拟光耦合器由一个高性能的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和两个紧密匹配的光电二极管组成。输入光电二极管可用于监测并稳定 LED 的光输出。因此，LED 的非线性和漂移特性几乎可以消除

数据手册

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￥12.93
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￥7.57
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￥6.79

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型号：TLP719(TP,F) 编号：C393902

封装：SDIP-6

TLP719由GaAℓAs高输出发光二极管和高速探测器组成。该单元是6引脚SDIP。TLP719比8引脚DIP小50%，并符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

数据手册

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￥13.21
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￥11.1
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￥9.78
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￥8.43
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￥7.82
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￥7.56

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型号：G6B-2214P-US DC5 编号：C469147

封装：DIP,19.9x10.9mm

品牌：OMRON(欧姆龙)

特性：可连接P6B型号插座。高绝缘性，线圈与触点间介电强度为3000VAC（脉冲耐受电压为6kV）。标准型号符合UL/CSA标准。有适用于产生浪涌电压负载（如感性负载、容性负载等）的AgSnIn触点（-FD型）。有可进行超声波清洗的型号（-U型）。有带操作指示灯和内置浪涌吸收二极管的型号（-ND型）。应用：控制设备的输出应用

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￥19.73
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￥16.91
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￥15.15
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￥13.34
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￥12.53
1000+
￥12.17

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型号：SN74LS00N(XBLW) 编号：C42395504

封装：DIP-14

品牌：XBLW(芯伯乐)

SN74LS00是一款四路2输入与非门，输入包含钳位二极管，允许使用限流电阻将输入接口至超过Vcc的电压。

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￥0.982015 ￥1.0337
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￥0.7809 ￥0.822
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￥0.694735 ￥0.7313
500+
￥0.587195 ￥0.6181
2500+
￥0.539315 ￥0.5677
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￥0.51053 ￥0.5374

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型号：TLP627M(TP1,E 编号：C39286670

封装：SMD-4P

TLP627M是一款光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电达林顿晶体管光耦合而成。它采用4引脚DIP封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间的击穿电压较高，TLP627M适用于可编程控制器的100 V直流输出模块等应用

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￥4.21
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￥3.36
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￥2.94
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￥2.52
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￥2.27
1500+
￥2.14

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型号：SN74LS08N(XBLW) 编号：C42395507

封装：DIP-14

品牌：XBLW(芯伯乐)

SN74LS08是一款四路2输入与门，输入包含钳位二极管，允许使用限流电阻将输入接口至超过Vcc的电压。

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￥1.056
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￥0.8292
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￥0.6107
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5000+
￥0.5243

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型号：ITR9606 编号：C264271

封装：DIP-4

品牌：EVERLIGHT(亿光)

由红外发光二极管和硅光电晶体管组成，并排封装在黑色热塑性外壳中，光轴汇聚。光电晶体管仅接收红外LED的辐射，这是正常情况。但当物体位于两者之间时，光电晶体管无法接收辐射

数据手册

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￥1.3133
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￥1.0295
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￥0.9078
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￥0.756
2520+
￥0.6884
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￥0.6478

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型号：MOC3063M 编号：C8920

封装：DIP-6

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

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￥4.21
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￥3.48
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￥2.97
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￥2.61
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￥2.39
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￥2.28

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型号：TLP185GB-S 编号：C20612583

封装：SMD-4P

TLP185GB-S是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装，三种形式 ( DIP、DIP-M、SMD) 。广泛应用于：开关电源，智能电表、可编程控制器、家用电器等。

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￥0.418 ￥0.44
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￥0.33136 ￥0.3488
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￥0.28804 ￥0.3032
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￥0.246525 ￥0.2595
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￥0.22059 ￥0.2322
9000+
￥0.207575 ￥0.2185

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型号：SFH6106-3T 编号：C118291

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，间距为 2.54mm。选项 6 和选项 8 可实现 >8.0mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于高达 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。规格可能会有所变化。

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￥3.3
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￥2.56
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￥2.24
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￥1.85
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￥1.67
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￥1.56

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型号：H11L1M 编号：C16587

封装：DIP-6

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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￥3.4
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￥2.65
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￥2.34
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￥1.94
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￥1.76
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￥1.66

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型号：TLP250H(TP1,F) 编号：C3002258

封装：SOP-8-2.54mm

TLP250H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。其内部设有法拉第屏蔽层，可保证 ±40 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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1+
￥7.29
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￥6
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￥5.29
100+
￥4.48
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￥4.13
1500+
￥3.96

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型号：TLP250(TP1,F) 编号：C2802426

封装：SMD-8P

由GaAlAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装，适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路。

数据手册

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￥15.41
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￥11.73
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￥10.28
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￥9.35

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型号：TCD1209DG(8Z,K) 编号：C5179035

封装：DIP-22

TCD1209DG是一款高灵敏度、低暗电流的2048像元CCD线性图像传感器。该器件包含一排2048像元的光电二极管，在B4尺寸纸张上可实现每毫米8线的分辨率。该器件由5个（此处原文未完整说明5个什么，可能是引脚、电源等，需结合完整原文确定）进行操作

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1+
￥165.11
30+
￥149.51

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型号：PC817DS 编号：C22375538

封装：SOP-4-6.5mm-2.54mm

PC817DS是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装( DIP、DIP-M、SMD)。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等。

10+
￥0.2946
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￥0.2346
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￥0.2046
2000+
￥0.1733
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￥0.1553
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￥0.1463

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型号：TLP521GB-S 编号：C20612587

封装：SMD-4P

TLP521GB-S是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装，三种形式 ( DIP、DIP-M、SMD) 。广泛应用于：开关电源，智能电表、可编程控制器、家用电器等。

5+
￥0.68381 ￥0.7198
50+
￥0.54701 ￥0.5758
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￥0.47861 ￥0.5038
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￥0.42731 ￥0.4498
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￥0.37202 ￥0.3916
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￥0.351405 ￥0.3699

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型号：MOC3041M(UMW) 编号：C6169228

封装：DIP-6

UMW MOC304X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

5+
￥1.3305
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￥1.0392
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￥0.9143
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￥0.7585
2470+
￥0.6891
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￥0.6475

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型号：MOC3061M(UMW) 编号：C2842965

封装：DIP-6

UMW MOC306X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

数据手册

5+
￥1.5182
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￥1.1564
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￥1.0013
520+
￥0.8079
2080+
￥0.7217
4160+
￥0.67

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型号：6N137M 编号：C2841483

封装：DIP-8

UwW 6N137 光耦合器由一个 850 nm 的铝镓砷（AlGaAS）发光二极管（LED）组成，该 LED 与一个带选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门进行光耦合。此输出采用集电极开路结构，因此允许进行线或输出。在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内，可保证耦合参数

数据手册

5+
￥1.9948
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￥1.5099
135+
￥1.3021
495+
￥1.0428
2880+
￥0.9273
4320+
￥0.858

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型号：TLP5702(D4-TP,E 编号：C2929223

封装：SOP-6

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小、更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准。因此，它为需要安全标准认证的应用提供了更小的占用空间解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。非常适合中小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

1+
￥3.17
10+
￥2.83
30+
￥2.66
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￥2.49
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￥2.05
1500+
￥2

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型号：4N33M 编号：C4068

封装：DIP-6

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

数据手册

1+
￥3.29
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￥2.64
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￥2.22
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￥1.86
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￥1.71
1000+
￥1.61

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型号：HCPL-4504-500E 编号：C17130

封装：SMD-8-300mil

品牌：Broadcom(博通)

包含 GaAsP LED 和 AlGaAs LED，LED 与集成高增益光电探测器光耦合。具有短传播延迟和高 CTR，保证传播延迟差 (tPLH-tPHL)，适用于解决 IPM 逆变器死区时间和其他开关问题。CTR、传播延迟和 CMR 针对 TTL 和 IPM 条件进行了规定，便于应用。单通道、二极管-晶体管光耦合器，有 8 引脚 DIP、SO-8 和宽体封装配置。LED 和集成光电探测器之间的绝缘层提供输入和输出之间的电气绝缘，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过降低基极集电极电容将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。

数据手册

1+
￥6.76
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￥5.49
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￥4.86
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￥4.24
500+
￥3.3
1000+
￥3.1

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型号：PS2701-1-L 编号：C4944983

封装：SOP-4

PS2701是一款小型贴片光电耦合器件，适用于表面贴装生产。PS2701是由砷化镓发光二极管和光电晶体管组成的光耦合器。其体积比双列直插封装（DIP）更小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器

数据手册

5+
￥0.6036
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￥0.4762
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￥0.4126
500+
￥0.3648
3000+
￥0.2893
6000+
￥0.2702

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型号：6N136M 编号：C9067

封装：DIP-8