DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMD-4P

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发射二极管，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可堆叠。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。该版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。

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￥5.48
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￥4.57
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￥4.12
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￥3.67
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￥3.12
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￥2.98

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型号：HCPL-0453-500E 编号：C692009

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在lF = 16 mA时，这些器件的CTR最小为19%。

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￥6.65
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￥5.38
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￥4.74
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￥4.11
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￥3.69
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￥3.49

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型号：BCW252 编号：C5348926

封装：DIP-8

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：3mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

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￥9.063 ￥9.54
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￥7.4955 ￥7.89
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￥6.631 ￥6.98
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￥5.225 ￥5.5
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￥5.035 ￥5.3

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型号：HCPL-0500-500E 编号：C2938991

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用，在IF = 16mA时，电流传输比（CTR）最低为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16mA时，这些器件的CTR最低为19%。

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￥9.49
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￥7.15
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￥5.8374 ￥6.21
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￥4.5308 ￥4.82
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￥4.3522 ￥4.63

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型号：CNY65B 编号：C118289

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

CNY64、CNY65 和 CNY66 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用 4 引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，为满足最高安全要求，输入和输出之间的间距大于 3 mm。

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￥10.53
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￥8.82
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￥7.21

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型号：CNY66 编号：C962625

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发射二极管组成，采用4引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，输入和输出之间的距离大于3mm，满足最高安全要求。

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￥14.75
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￥10.92
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￥9.2316 ￥9.42
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￥8.2712 ￥8.44

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型号：LTV-356T-C 编号：C4944982

封装：SOP-4

品牌：UMW(友台半导体)

LTV-356T是一款小尺寸贴片式光电耦合器件，适用于表面贴装生产。LTV-356T是由砷化镓发光二极管和光电晶体管组成的光耦合器。其体积比双列直插封装（DIP）更小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程逻辑控制器

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￥0.3853
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￥0.2979
300+
￥0.2542
3000+
￥0.2096
6000+
￥0.1834
9000+
￥0.1702

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型号：MOC3052M(UMW) 编号：C2841484

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

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￥1.0508
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￥0.8216
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￥0.6922
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￥0.5697
2470+
￥0.5151
6500+
￥0.4824

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型号：MOC3053SM(UMW) 编号：C22469445

封装：SOP-6

品牌：UMW(友台半导体)

将AlGaAs红外发射二极管作为发射极，与单片硅随机相光电三极管光耦合，采用塑料DIP6封装，有不同的引脚成型选项。凭借坚固的共面双模具结构，提供最稳定的隔离特性。

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￥1.0538
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￥0.8304
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￥0.7346
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￥0.6152
2000+
￥0.562
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￥0.53

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型号：SN74LS10N(XBLW) 编号：C42395508

封装：DIP-14

品牌：XBLW(芯伯乐)

SN74LS10是一款三路3输入与非门，输入包含钳位二极管，允许使用限流电阻将输入接口至超过Vcc的电压。

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￥1.6299
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￥1.2771
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￥1.1259
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￥0.9373
2500+
￥0.8533
5000+
￥0.8028

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型号：6N138M 编号：C3001991

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极，该发射极通过光学方式耦合到塑料双列直插8引脚封装中的硅高速光电达林顿晶体管，具有不同的引脚成型选项。光电二极管和达林顿晶体管之间的独立设计降低了输入晶体管的基极-集电极电容，与传统光电晶体管光耦合器相比，速度提高了几个数量级。

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￥1.6598
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￥1.3013
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￥1.1477
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￥0.956
2400+
￥0.8707
4800+
￥0.8194

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型号：SFH6206-2T 编号：C144978

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH620A（DIP）和 SFH6206（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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￥3.26
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￥2.21
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￥1.7836 ￥1.82
500+
￥1.617 ￥1.65
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￥1.5092 ￥1.54

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型号：HCPL-0501-500E 编号：C6673

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带模拟应用。这些器件在IF = 16 mA时的电流传输比（CTR）最小为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。这些器件在IF = 16 mA时的电流传输比（CTR）最小为19%。

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￥6.52
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￥3.8906 ￥3.97
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￥3.3516 ￥3.42
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￥3.1654 ￥3.23

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型号：ATV252-CuH-D 编号：C22372856

封装：DIP-6

品牌：AOTE(奥特)

ATV252光继电器由红外发光二极管和光电发生器、 MOSFET耦合组成。 ATV252实现低导通电阻。广泛应用于：工业机械及设备、放盗、防灾市场、空调控制、娱乐市场.

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￥8.0085 ￥8.43
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￥6.6405 ￥6.99
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￥5.89 ￥6.2
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￥4.921 ￥5.18
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￥4.541 ￥4.78
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￥4.37 ￥4.6

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型号：HCPL-2601-000E 编号：C185846

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 Vcm = 1000V 时可保证高达 15,000V/μs 的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃ 至 +85℃ 范围内得到保证，可实现无故障系统性能。

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1+
￥10.15
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￥8.55
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￥6.65
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￥5.3675 ￥5.65
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￥4.9495 ￥5.21
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￥4.7595 ￥5.01

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型号：HCNW136-500E 编号：C2985492

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层,以提供输入和输出之间的电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极集电极电容,使速度比传统光电晶体管耦合器提高了多达一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO 8和宽体封装配置。6N135、HCPL 0500和HCNW135适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用

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￥12.12
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￥9.08
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￥7.448 ￥7.6
750+
￥6.9188 ￥7.06
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￥6.6836 ￥6.82

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型号：HCNW4503-500E 编号：C188691

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在lF = 16 mA时，这些器件的CTR最小为19%。

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1+
￥13.54
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￥11.38
30+
￥10.03
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￥8.65
750+
￥8.03
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￥7.76

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型号：ASSR-4118-503E 编号：C6795958

封装：SO-4

品牌：Broadcom(博通)

ASSR - 41XX系列由一个与高压输出检测电路光耦合的铝镓砷（AlGaAs）红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路构成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流达到3mA时，继电器导通（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）。单通道配置的ASSR - 4118和ASSR4119相当于1个A型机电继电器（EMR），双通道配置的ASSR4128相当于2个A型机电继电器。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼式表面贴装DIP封装可供选择。ASSR - 4119支持交流/直流和仅直流输出连接。对于仅直流连接，输出电流增加到0.2A，导通电阻R(ON)降至10Ω。

1+
￥23.32
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￥19.8
30+
￥17.71
100+
￥15.6
500+
￥14.62

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型号：ASSR-1611-501E 编号：C5570486

封装：DIP-6

品牌：Broadcom(博通)

专为高电流应用而设计，常见于工业设备中。该继电器是单极、常开（1 Form A）机电继电器的固态替代品。由一个铝镓砷红外发光二极管（LED）输入级和一个高压输出检测电路光耦合而成。检测电路由一个高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为5mA时，继电器导通（触点闭合）；当输入电压为0.8V或更低时，继电器断开（触点打开）。连接方式A允许继电器切换交流或直流负载；连接方式B具有降低导通电阻和提高输出电流的优点，仅允许继电器切换直流负载。电气和开关特性在 -40℃至 +85℃的温度范围内规定。

1+
￥43.63
10+
￥37.21
30+
￥33.31
100+
￥30.03

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型号：PC817C-CX(KTP) 编号：C51883204

封装：DIP-4

品牌：KTP(科泰普)

PC817C-CX消费类产品,由红外发光二极管和光耦合的光电晶体管探测器组成。

20+
￥0.1372 ￥0.1715
200+
￥0.10736 ￥0.1342
600+
￥0.0908 ￥0.1135
2000+
￥0.08088 ￥0.1011
10000+
￥0.07224 ￥0.0903
20000+
￥0.0676 ￥0.0845

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型号：TLP621GB-1S(UMW) 编号：C2904797

封装：SOP-4

品牌：UMW(友台半导体)

UMW TLP621 1、2 和 4 系列由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP621 2 在八引脚塑料双列直插式封装（DIP）中提供两个隔离通道，而 TLP621 4 在十六引脚塑料双列直插式封装（DIP）中提供四个隔离通道。

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5+
￥0.7489
50+
￥0.6
150+
￥0.5255
500+
￥0.4696
2000+
￥0.3784
4000+
￥0.356

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型号：TLP385(GB-TPL,E 编号：C165905

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高隔离型光耦合器，由光电晶体管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用 4 引脚 SO6L 封装，保证高隔离电压（5000 Vrms）。由于与标准 DIP 封装相比，具有体积小、薄的特点，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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5+
￥1.0012
50+
￥0.8823
150+
￥0.8313
500+
￥0.6475
3000+
￥0.6192
6000+
￥0.6022

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型号：MOC3023M(UMW) 编号：C2842959

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC302X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

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5+
￥1.0257
50+
￥0.8129
130+
￥0.6689
520+
￥0.5551
2470+
￥0.5045
6500+
￥0.4741

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型号：MOC3021M(UMW) 编号：C2842957

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC302X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

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5+
￥1.0944
50+
￥0.8681
130+
￥0.7173
520+
￥0.5963
2080+
￥0.5424
4160+
￥0.51

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型号：MOC3063M(UMW) 编号：C6171203

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC306X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

5+
￥1.0963
50+
￥0.8595
150+
￥0.758
500+
￥0.6314
2500+
￥0.5751
5000+
￥0.5412

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型号：SN74LS00N(LX) 编号：C22374089

封装：DIP-14

品牌：LX(灵星芯微)

SN74LS00是4路2输入与非门。输入内置钳位二极管。这样就可以使用限流电阻将输入接口连接到超过Vcc的电压。

5+
￥1.1825
50+
￥0.9255
150+
￥0.8153
500+
￥0.6778
2000+
￥0.6166
5000+
￥0.5799

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型号：TLP383(GR-TPL,E 编号：C150115

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP383是一款低输入、高隔离型光耦合器，由光电晶体管与InGaAs红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚SO6L封装。TLP383保证了高隔离电压（5000 Vrms）和宽工作温度范围（Ta = -55至125℃）。与标准DIP封装相比，TLP383的封装小巧轻薄，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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