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UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

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￥1.7008
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￥1.3486
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￥1.1976
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￥0.9254
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￥0.8415
2000+
￥0.7912

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型号：6N138M 编号：C3001991

封装：DIP-8

结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极，该发射极通过光学方式耦合到塑料双列直插8引脚封装中的硅高速光电达林顿晶体管，具有不同的引脚成型选项。光电二极管和达林顿晶体管之间的独立设计降低了输入晶体管的基极-集电极电容，与传统光电晶体管光耦合器相比，速度提高了几个数量级。

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￥1.8379
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￥1.4375
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￥1.2659
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￥1.0519
2400+
￥0.9565
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￥0.8993

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型号：MOC3043M 编号：C80489

封装：DIP-6

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥3.46
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￥2.78
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￥2.33
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￥1.99
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￥1.78
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￥1.68

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型号：MOC3062M 编号：C8919

封装：DIP-6

MOC306XM和MOC316XM器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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￥3.8
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￥3.1
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￥2.75
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￥2.41
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￥2.2
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￥2.1

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型号：TLP560G(F) 编号：C2848505

封装：DIP-6

由一个光控三端双向可控硅和一个红外发光二极管组成，采用六引脚塑料双列直插式封装。

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￥4.55
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￥3.72
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￥3.31
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￥2.91
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￥2.66
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￥2.54

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型号：TLP352(TP1,F) 编号：C99497

封装：SOP-8-2.54mm

TLP352 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。TLP352 内部有一个法拉第屏蔽层，可保证 ±20 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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￥5.89
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￥4.74
30+
￥4.16
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￥3.59
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￥3.02
1500+
￥2.85

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型号：AT2122-CuH-S 编号：C42371485

封装：SMD-4P

品牌：AOTE(奥特)

AT2122光电继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET耦合组成。AT2122采用4引脚封装（DIP、 SMD、 DIP-M）。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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￥6.94
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￥5.72
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￥5.05
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￥4.29
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￥3.95
1000+
￥3.8

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型号：HCPL-2630-000E 编号：C28575

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥9.82
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￥8.11
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￥6.92
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￥5.86
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￥5.39
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￥5.18

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型号：74HC14D-HX 编号：C54529384

封装：SOP-14

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

74HC14D-HX为六反相器，带施密特触发器输入，兼容 TTL 电平，内置钳位二极管，可将缓慢波形转为清晰输出。特性：CMOS 电平、低功耗、-40~+125℃、高 ESD 防护、闭锁性能 ≤250 mA，提供 DIP14/SOP14 封装

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￥0.6571
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￥0.5227
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￥0.4555
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￥0.4051
2500+
￥0.3648

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型号：MOC3052M(UMW) 编号：C2841484

封装：DIP-6

UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

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￥1.049
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￥0.8287
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￥0.7044
520+
￥0.5866
2470+
￥0.5342
6500+
￥0.5027

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型号：MOC3053SM(UMW) 编号：C22469445

封装：SOP-6

将AlGaAs红外发射二极管作为发射极，与单片硅随机相光电三极管光耦合，采用塑料DIP6封装，有不同的引脚成型选项。凭借坚固的共面双模具结构，提供最稳定的隔离特性。

5+
￥1.1045
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￥0.8637
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￥0.7605
1000+
￥0.6317
2000+
￥0.5744
5000+
￥0.54

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型号：AT4N33-CuH-D 编号：C20612709

封装：DIP-6

品牌：AOTE(奥特)

AT4N33是一款由 GaAs发光二极管和达林顿晶体管组成的光电耦合器。可以在保持驱动电路和负载电路之间的高度隔离的同时实现开关，具有使用寿命长、速度快等优点能让它替代常规继电器。广泛应用于：开关电源，工业控制、测量仪器、可编程控制器、家用电器等。

5+
￥1.17081 ￥1.3009
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￥0.92133 ￥1.0237
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￥0.81441 ￥0.9049
520+
￥0.68094 ￥0.7566
2470+
￥0.62154 ￥0.6906
6500+
￥0.5859 ￥0.651

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型号：TLP385(GB-TPL,E 编号：C165905

封装：SOP-4-2.54mm

是高隔离型光耦合器，由光电晶体管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用 4 引脚 SO6L 封装，保证高隔离电压（5000 Vrms）。由于与标准 DIP 封装相比，具有体积小、薄的特点，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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5+
￥1.282
50+
￥1.019
150+
￥0.9063
500+
￥0.6549
3000+
￥0.5923
6000+
￥0.5547

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型号：MOC3083M(UMW) 编号：C6171201

封装：DIP-6

UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

5+
￥1.3409
50+
￥1.0488
130+
￥0.9236
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￥0.7674
2470+
￥0.6979
5005+
￥0.6561

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型号：SN74LS74N(LX) 编号：C22466308

封装：DIP-14

品牌：LX(灵星芯微)

SN74LS74是双路上升沿触发的D型触发器。它们具有单独的数据（nD），时钟（nCP），置数（nSD）和复位（nRD）输入以及互补的nQ和nQ输出。满足从低电平到高电平时钟转换的建立和保持时间要求的nD输入处的数据存储在触发器中，并出现在nQ输出中。输入内置钳位二极管。这样就可以使用限流电阻将输入接口连接到超过ΔVCC的电压。

5+
￥1.416735 ￥1.4913
50+
￥1.07255 ￥1.129
150+
￥0.94943 ￥0.9994
500+
￥0.795815 ￥0.8377
2000+
￥0.727415 ￥0.7657
5000+
￥0.68628 ￥0.7224

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型号：FOD817C3SD 编号：C241831

封装：SMD-4P

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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5+
￥1.4329
50+
￥1.1197
150+
￥0.9855
1000+
￥0.803
2000+
￥0.7285
5000+
￥0.6837

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型号：SN74HC21N(XBLW) 编号：C19708128

封装：DIP-14

品牌：XBLW(芯伯乐)

SN74HC21 提供四输入与功能。输入包含钳位二极管，这使得可使用限流电阻将输入连接到高于 VCC 的电压。

5+
￥1.73673 ￥1.9297
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￥1.37385 ￥1.5265
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￥1.21833 ￥1.3537
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￥1.02429 ￥1.1381
2000+
￥0.93789 ￥1.0421
5000+
￥0.88605 ￥0.9845

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型号：VO618A-3X017T 编号：C143748

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

110℃额定的VO618A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器具有一个GaAs红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料DIP-4封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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5+
￥2.3173
50+
￥1.8523
150+
￥1.653
1000+
￥1.266
2000+
￥1.1552

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型号：ACPL-827-00CE 编号：C445976

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是一款直流输入双通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含两个发光二极管，它们与两个独立的晶体管进行光耦合。采用8引脚双列直插式封装。同样，是一款直流输入四通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含四个发光二极管，它们与四个独立的晶体管进行光耦合。采用16引脚双列直插式封装。两款光耦合器都提供宽引脚间距选项和引脚弯曲的表面贴装器件（SMD）选项，输入-输出隔离电压为5000Vrms。响应时间tr通常为4μs，在输入电流为5mA时，最小电流传输比（CTR）为50%。

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1+
￥2.56
10+
￥2.24
50+
￥2.08
100+
￥1.93
500+
￥1.83
1000+
￥1.79

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型号：UCC27324P-JSM 编号：C20616625

封装：DIP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道同相 4A 超高速功率开关驱动器驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 含自举二极管电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4.0A 峰值拉电流：4.0A 带上下电保护、欠压保护。-40 to 125

1+
￥2.71
10+
￥2.38
50+
￥2.22
100+
￥2.06
500+
￥1.96

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型号：TC4424VPA-JSM 编号：C20616626

封装：DIP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道同相 4A 超高速功率开关驱动器驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 含自举二极管电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4.0A 峰值拉电流：4.0A 带上下电保护、欠压保护。-40 to 125

1+
￥3.357 ￥3.73
10+
￥2.952 ￥3.28
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￥2.754 ￥3.06
100+
￥2.547 ￥2.83
500+
￥2.43 ￥2.7
1000+
￥2.367 ￥2.63

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型号：LM13700MN-TD 编号：C52741404

封装：DIP-16

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

具有线性二极管和缓冲器的双路跨导运算放大器

1+
￥3.57
10+
￥2.89
25+
￥2.55
100+
￥2.21
500+
￥2.01

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型号：TLP351H(TP1,F) 编号：C695254

封装：SOP-8-2.54mm

TLP351H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125°C 的温度下保证性能和规格。TLP351H 内置法拉第屏蔽层，可保证 ±20 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

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1+
￥5.93
10+
￥4.85
30+
￥4.26
100+
￥3.59
500+
￥3.29
1500+
￥3.15

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型号：6N139M 编号：C4071

封装：DIP-8

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比，分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来，使得输出饱和电压更低，运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。

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1+
￥6.22
10+
￥5.01
30+
￥4.4
100+
￥3.52
500+
￥3.16
1000+
￥2.98

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型号：TLPN137(TP1,F) 编号：C99492

封装：SOP-8-2.54mm

由高输出的GaAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成，采用DIP8封装。具有内部法拉第屏蔽，可保证10 kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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1+
￥6.73
10+
￥5.37
30+
￥4.69
100+
￥4.01
500+
￥3.61
1500+
￥3.4

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型号：TLP715(D4-TP,F) 编号：C914619

封装：SOP-6-6.8mm

由红外发射二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，为6引脚SDIP，比8引脚DIP小50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。探测器有图腾柱输出级，提供源极和漏极驱动，探测器IC有内部屏蔽，保证共模瞬态抗扰度，为缓冲逻辑类型。

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1+
￥7.13
10+
￥5.97
30+
￥5.34
100+
￥4.63
500+
￥4.31
1500+
￥4.16

有货

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型号：TLP715(TP,F) 编号：C45216

封装：SOP-6-6.8mm