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首页 > 热门关键词 > DIP二极管
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FOD410、FOD4108、FOD4116和FOD4118器件包含一个红外线发光二极管,该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合三端双向可控硅开关,形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4116和FOD4118采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。 这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。
数据手册
  • 单价:

    ¥12.44532 / 个
FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成,该开关由两个逆向并联 SCR 构成,具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管,具有更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。
数据手册
  • 单价:

    ¥13.23924 / 个
FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成,该开关由两个逆向并联 SCR 构成,具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管,具有更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。
数据手册
  • 单价:

    ¥13.23924 / 个
FOD410、FOD4108、FOD4116 和 FOD4118 器件由与混合三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成,该开关使用两个逆向并联 SCR 形成,构成了能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4116 和 FOD4118 使用高效红外发光二极管,可提高触发灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。
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  • 单价:

    ¥13.2468 / 个
FOD420、FOD4208、FOD4216和FOD4218器件包含一个红外线发光二极管,该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合任意相位三端双向可控硅开关,形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4216和FOD4218采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。 这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。
数据手册
  • 单价:

    ¥13.2468 / 个
FOD410、FOD4108、FOD4116 和 FOD4118 器件由与混合三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成,该开关使用两个逆向并联 SCR 形成,构成了能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4116 和 FOD4118 使用高能效红外发光二极管提供更高的触发器灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插 (DIP) 封装。
数据手册
  • 单价:

    ¥16.19232 / 个
FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成,该开关由两个逆向并联 SCR 构成,具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管,具有更高的触发灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。
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  • 单价:

    ¥16.0854 / 个
FOD420、FOD4208、FOD4216 和 FOD4218 器件由与混合随机相位三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成,该开关由两个逆向并联 SCR 构成,具有能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4216 和 FOD4218 使用高能效红外发光二极管,具有更高的触发灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。
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  • 单价:

    ¥7.8222 / 个
UMW TLP185由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。UMW TLP185光电耦合器采用非常小巧轻薄的SO6封装。由于UMW TLP185比DIP封装更小,因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
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  • 10+

    ¥0.4103
  • 100+

    ¥0.3221
  • 300+

    ¥0.2767
  • 3000+

    ¥0.2215
  • 6000+

    ¥0.2084
  • 9000+

    ¥0.1996
  • 有货
  • UMW MINI FLAT COUPLER TLP181是一款小外形耦合器,适用于表面贴装。TLP181由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成,采用四引脚塑料DIP封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4942
    • 50+

      ¥0.3892
    • 150+

      ¥0.3352
    • 500+

      ¥0.2908
    • 3000+

      ¥0.2477
    • 6000+

      ¥0.2372
  • 有货
  • PC817CS是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。 四引脚封装( DIPDIP-M、SMD)。 广泛应用于:开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等。
    • 20+

      ¥0.21177 ¥0.2353
    • 200+

      ¥0.1656 ¥0.184
    • 600+

      ¥0.14508 ¥0.1612
    • 2000+

      ¥0.12114 ¥0.1346
    • 10000+

      ¥0.11493 ¥0.1277
    • 20000+

      ¥0.11079 ¥0.1231
  • 有货
  • 6N137、EL2601和EL2611由一个红外发光二极管和一个高速集成光电探测器逻辑门通过光耦合组成,具有可选通输出。它采用8引脚双列直插式封装(DIP),还有宽引脚间距和贴片(SMD)封装可选。
    数据手册
    • 25+

      ¥1.7332
    • 250+

      ¥1.3533
    • 1000+

      ¥1.1678
    • 2000+

      ¥1.0024
    • 12000+

      ¥0.9569
    • 25000+

      ¥0.9296
  • 有货
  • TLP240A和TLP240AF光电继电器由与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms,适用于需要加强绝缘的应用
    数据手册
    • 1+

      ¥4.88
    • 10+

      ¥4.05
    • 30+

      ¥3.46
    • 100+

      ¥2.98
    • 500+

      ¥2.9
    • 1500+

      ¥2.81
  • 有货
  • 是一款采用DIP8封装的光电耦合器,由砷化镓红外发光二极管 (LED) 与集成高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽,能保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出,可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.17
    • 10+

      ¥4.3
    • 30+

      ¥3.69
    • 100+

      ¥3.18
    • 500+

      ¥3.02
    • 1500+

      ¥2.93
  • 有货
  • 由与砷化镓 (GaAs) 红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成,采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装,具有高隔离电压 (交流:5kVRMS (最小值))。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6456
    • 50+

      ¥0.5113
    • 150+

      ¥0.4422
    • 500+

      ¥0.3853
    • 2000+

      ¥0.3654
    • 4000+

      ¥0.352
  • 有货
  • UMW公司的TLP521 - 1、TLP521 - 2和TLP521 - 4由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP521 - 2采用八引脚塑料DIP封装,提供两个隔离通道;而TLP521 - 4采用十六引脚塑料DIP封装,提供四个隔离通道。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8362
    • 50+

      ¥0.654
    • 150+

      ¥0.5629
    • 500+

      ¥0.4946
    • 2000+

      ¥0.3972
    • 4000+

      ¥0.3698
  • 有货
  • 由与砷化镓红外发光二极管光学耦合的光电晶体管组成。TLP521-2在八引脚塑料双列直插式封装中提供两个隔离通道,而TLP521-4在十六引脚塑料双列直插式封装中提供四个隔离通道。
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    • 5+

      ¥0.8834
    • 50+

      ¥0.6976
    • 200+

      ¥0.5507
    • 500+

      ¥0.481
    • 2500+

      ¥0.4253
    • 5000+

      ¥0.3974
  • 有货
  • UMW TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓(GaAs)红外发光二极管光耦合而成,采用四引脚塑料双列直插式封装(DIP4),具有高隔离电压(交流:5kVRMS(最小值))。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4362
    • 100+

      ¥0.342
    • 300+

      ¥0.2949
    • 2000+

      ¥0.2542
    • 4000+

      ¥0.2259
    • 10000+

      ¥0.2118
  • 有货
  • MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的分离电源三端双向可控硅开关元件,如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.74
    • 10+

      ¥3.83
    • 50+

      ¥3.17
    • 100+

      ¥2.72
    • 500+

      ¥2.45
    • 1000+

      ¥2.32
  • 有货
  • 由GaAs红外发光二极管和高速集成电路探测器光耦合组成。输出探测器集成施密特触发器,提供迟滞以实现抗噪和脉冲整形。采用6引脚DIP封装,有宽引脚间距和SMD可选。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0757
    • 50+

      ¥1.6467
    • 150+

      ¥1.4628
    • 1000+

      ¥1.2496
    • 2000+

      ¥1.1474
    • 5000+

      ¥1.0861
  • 有货
  • 由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7661
    • 50+

      ¥0.6002
    • 150+

      ¥0.5172
    • 500+

      ¥0.455
    • 3000+

      ¥0.4052
    • 6000+

      ¥0.3803
  • 有货
  • MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光隔离三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关,其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适用于电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口,可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.4437
    • 50+

      ¥1.7088
    • 150+

      ¥1.5062
    • 500+

      ¥1.2535
    • 2000+

      ¥1.141
    • 5000+

      ¥1.0734
  • 有货
  • MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件,如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.72
    • 10+

      ¥3.99
    • 50+

      ¥3.2
    • 100+

      ¥2.84
    • 500+

      ¥2.63
    • 1000+

      ¥2.51
  • 有货
  • CYTLP181是一块小外形的贴片光电藕合器件,适合表面贴装生产。是由一个砷化镓发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器,它的体积比DIP小,适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7657
    • 50+

      ¥0.6025
    • 150+

      ¥0.5209
    • 500+

      ¥0.4597
    • 3000+

      ¥0.4041
    • 6000+

      ¥0.3796
  • 有货
  • AC输入型光耦合器,由与两个砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装,具有高抗噪性和高隔离电压。由于尺寸比DIP封装小,适用于高密度表面贴装应用,如混合集成电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9811
    • 50+

      ¥0.7644
    • 150+

      ¥0.6715
    • 500+

      ¥0.5556
    • 3000+

      ¥0.504
    • 6000+

      ¥0.4731
  • 有货
  • TLP5701是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器,由一个GaAlAs红外发光二极管(LED)和一个集成的高增益、高速光电探测器IC芯片通过光耦合组成。它能在高达110 °C的温度下保证性能和规格。与采用8引脚DIP封装的产品相比,TLP5701在尺寸上更小/更薄,并且符合加强绝缘的国际安全标准
    数据手册
    • 1+

      ¥3.46
    • 10+

      ¥2.76
    • 30+

      ¥2.42
    • 100+

      ¥2.08
    • 500+

      ¥1.87
    • 1500+

      ¥1.77
  • 有货
  • MOC3081M、MOC3082M和MOC3083M器件包含GaAs红外线发光二极管,该二极管光学耦合至单片硅检测器,可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.82
    • 10+

      ¥3.17
    • 50+

      ¥2.66
    • 100+

      ¥2.34
    • 500+

      ¥2.14
    • 1000+

      ¥2.04
  • 有货
  • UMW MOC302X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7784
    • 50+

      ¥0.6873
    • 130+

      ¥0.5745
    • 520+

      ¥0.5258
    • 2470+

      ¥0.5041
    • 6500+

      ¥0.4911
  • 有货
  • 由红外发光二极管和硅光电晶体管封装在黑色热塑性外壳中。该器件的优点是封装小。光电晶体管仅接收红外LED的辐射,避免环境光的干扰。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4056
    • 50+

      ¥1.1018
    • 120+

      ¥0.9716
    • 480+

      ¥0.8091
    • 2520+

      ¥0.7368
    • 5040+

      ¥0.6933
  • 有货
  • UwW 6N137 光耦合器由一个 850 nm 的铝镓砷(AlGaAS)发光二极管(LED)组成,该 LED 与一个带选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门进行光耦合。此输出采用集电极开路结构,因此允许进行线或输出。在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内,可保证耦合参数
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9948
    • 50+

      ¥1.5099
    • 135+

      ¥1.3021
    • 495+

      ¥1.0428
    • 2880+

      ¥0.9273
    • 4320+

      ¥0.858
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