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碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、开关特性不受温度影响以及出色的热性能，使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。

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型号：STPSC20H12GY-TR 编号：C472556

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

汽车用1200 V、20 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

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单价：
￥41.074655 / 个

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型号：FFSH30120A-F155 编号：C3757986

封装：TO-247-2

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型号：FFSH40120ADN-F155 编号：C606122

封装：TO-247-3

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型号：IDW20G65C5BXKSA2 编号：C3757887

封装：TO-247-3

ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。新的、更紧凑的设计与薄晶圆技术相结合，产生了一系列新产品，这些产品在所有负载条件下都提高了效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（QC x Vf）。新的 ThinQ!TM 第五代旨在补充 650V CoolMOS 系列：这确保了满足该电压范围内最严格的应用要求。

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￥38.184951 / 个

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型号：PCFFS50120AF 编号：C906424

封装：-

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术，能够提供卓越的开关性能，且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能，使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI，以及减小的系统尺寸和成本。

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型号：STPSC30H12CWL 编号：C672168

封装：TO-247LL-3

品牌：ST(意法半导体)

1200 V 碳化硅功率肖特基二极管

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型号：STPSC10H065BY-TR 编号：C2970623

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

汽车级650 V、10 A DPAK碳化硅功率肖特基二极管

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型号：FFSH50120A 编号：C605114

封装：TO-247-2

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术，能够提供出色的开关性能，且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和出色的热性能，使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI，以及减小的系统尺寸和成本。

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型号：FFSH40120ADN-F085 编号：C605110

封装：TO-247-3

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术，能够提供卓越的开关性能，且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能，使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI，以及减小的系统尺寸和成本。

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单价：
￥155.708124 / 个

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型号：IDW40G120C5B 编号：C535958

封装：TO-247-3

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￥70.090103 / 个

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型号：NDC100170A 编号：C906341

封装：TO-247

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型号：S4D04120E 编号：C3757837

封装：DPAK

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型号：IDD03SG60CXTMA2 编号：C3758697

封装：TO-252-3

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￥6.099641 / 个

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型号：IDH02G65C5 编号：C3759793

封装：TO-220-2

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型号：IDK02G120C5XTMA1 编号：C42433298

封装：TO-263-2

系统效率比硅二极管更高。能够实现更高频率/更高功率密度的解决方案。由于减少了散热器需求和使用更小的磁性元件，节省了系统尺寸和成本。降低了电磁干扰 (EMI)。在整个负载范围内具有最高效率。在浪涌事件期间二极管工作稳定。可靠性高

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￥9.230961 / 个

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型号：SCS306APC9 编号：C559677

封装：TO-220-2

品牌：ROHM(罗姆)

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型号：IDM05G120C5XTMA1 编号：C126695

封装：TO-252-2(DPAK)

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￥8.8689
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￥8.7091

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型号：SCS302AHGC9 编号：C6293353

封装：TO-220ACP

品牌：ROHM(罗姆)

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型号：SICRB12650 编号：C570233

封装：D2PAK

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型号：IDH02G120C5 编号：C535852

封装：TO-220-2

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型号：SICRF101200 编号：C570234

封装：ITO-220AC

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型号：IDD05SG60C 编号：C535838

封装：TO-252-2

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型号：SICR20650WT 编号：C570232

封装：TO-247AD

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￥20.39
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型号：IDM10G120C5XTMA1 编号：C126693

封装：TO-252-2(DPAK)

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￥15.184759 / 个

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型号：IDH16G65C6 编号：C535880

封装：TO-220-2

是用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。通过引入新的肖特基金属系统等进一步改进，在所有负载条件下具有更高的效率，由更低的品质因数 (Qc×VF) 实现。650 V G6碳化硅肖特基二极管旨在补充600 V和650 V CoolMOS 7系列，满足该电压范围内最严格的应用要求。

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型号：SICR101200 编号：C570235

封装：TO-220AC-2

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￥24.3
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￥19.5
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￥18.38
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￥17.88

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型号：IDH04G65C5XKSA2 编号：C672253

封装：TO-220-2

ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺，在第三代中已经引入，现在与新的、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列，在所有负载条件下都显示出更高的效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新的ThinQ!TM 第五代旨在补充我们的650V CoolMOS系列：这确保了在这个电压范围内满足最严格的应用要求。

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￥31.64
10+
￥27.25
50+
￥24.64
100+
￥22
500+
￥20.78
1000+
￥20.23

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型号：IDD06SG60C 编号：C535839

封装：TO-252-2