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650 V、8 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
数据手册
  • 单价:

    ¥8.710078 / 个
650 V、6 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
数据手册
  • 单价:

    ¥8.144035 / 个
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      ¥8.789
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      ¥15.84
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      ¥14.98
  • 订货
  • 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能,且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能,使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.22
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      ¥15.88
    • 30+

      ¥15.66
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  • 订货
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  • 订货
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      ¥15.1
    • 30+

      ¥13.41
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    • 1000+

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  • 订货
    • 1+

      ¥17.81
    • 10+

      ¥15.12
    • 30+

      ¥13.44
    • 100+

      ¥11.71
    • 500+

      ¥10.93
    • 1000+

      ¥10.59
  • 订货
  • 650 V、8 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥11.10564
    • 50+

      ¥10.25136
    • 100+

      ¥10.080504
    • 500+

      ¥9.738792
    • 1000+

      ¥9.567936
    650 V、4 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥12.5
    • 20+

      ¥12
    • 100+

      ¥11.6
    • 200+

      ¥11.4
    • 500+

      ¥11.2
    650 V、2 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
    数据手册
    • 单价:

      ¥4.149103 / 个
    碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能,且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能,使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。
    数据手册
    • 单价:

      ¥34.984999 / 个
    • 1+

      ¥22.81
    • 10+

      ¥19.54
    • 50+

      ¥17.6
    • 100+

      ¥15.64
    • 500+

      ¥14.73
    • 1000+

      ¥14.32
  • 订货
  • 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能, 使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。
    数据手册
    • 1+

      ¥23.09
    • 10+

      ¥19.78
    • 30+

      ¥17.82
    • 90+

      ¥15.83
    • 510+

      ¥14.91
    • 990+

      ¥14.5
  • 订货
  • 650 V、20 A双路高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
    数据手册
    • 单价:

      ¥20.559618 / 个
    是用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。通过引入新的肖特基金属系统等进一步改进,在所有负载条件下具有更高的效率,由更低的品质因数 (Qc×VF) 实现。650 V G6碳化硅肖特基二极管旨在补充600 V和650 V CoolMOS 7系列,满足该电压范围内最严格的应用要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥24.16
    • 10+

      ¥23.55
    • 30+

      ¥23.15
    • 100+

      ¥22.75
  • 订货
  • 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能,且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能,使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。
    数据手册
    • 1+

      ¥26.14
    • 10+

      ¥25.56
    • 30+

      ¥23.97
    • 100+

      ¥23.58
  • 订货
  • 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、开关特性与温度无关,且具有出色的热性能,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。
    • 1+

      ¥27.47
    • 10+

      ¥26.87
    • 30+

      ¥26.46
    • 100+

      ¥26.06
  • 订货
  • 650 V 碳化硅功率肖特基二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥27.6
    • 10+

      ¥26.96
    • 30+

      ¥26.54
    • 100+

      ¥26.11
  • 订货
  • 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能, 使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。
    数据手册
    • 单价:

      ¥18.68172 / 个
    650 V、6 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
    数据手册
    • 15+

      ¥23.087731
    • 100+

      ¥19.918826
    • 1000+

      ¥18.334375
    • 1+

      ¥30.82
    • 10+

      ¥26.54
    • 30+

      ¥24
    • 100+

      ¥21.43
    • 500+

      ¥20.24
    • 1000+

      ¥19.71
  • 订货
  • ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺,在第三代中已经引入,现在与新的、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列,在所有负载条件下都显示出更高的效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数(Qc x Vf)。新的ThinQ!TM 第五代旨在补充我们的650V CoolMOS系列:这确保了在这个电压范围内满足最严格的应用要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥31.64
    • 10+

      ¥27.25
    • 50+

      ¥24.64
    • 100+

      ¥22
    • 500+

      ¥20.78
    • 1000+

      ¥20.23
  • 订货
    • 1+

      ¥33.26
    • 10+

      ¥28.83
    • 30+

      ¥26.19
    • 100+

      ¥23.53
    • 500+

      ¥22.3
    • 1000+

      ¥21.75
  • 订货
  • 特性:革命性的半导体材料。碳化硅。开关行为基准。无反向恢复/无正向恢复。与温度无关的开关行为。高浪涌电流能力。应用:SMPS,例如 CCM PFC。电机驱动器
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      ¥12.216439 / 个
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