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碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能, 使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。
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  • 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能, 使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。
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  • 碳化硅SiC
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    碳化硅肖特基二极管没有开关损耗,由于采用新型半导体材料——碳化硅,提供比硅二极管更高的系统效率,支持更高的运行频率,并且有助于提高功率密度和减少系统尺寸/成本。 其高可靠性确保浪涌或过压状况下的稳健运行
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  • 汽车用1200 V、10 A碳化硅功率肖特基二极管
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    650 V 碳化硅功率肖特基二极管
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    650 V、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
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      ¥14.741863 / 个
    汽车级650V TO-220 D2PAK SiC功率肖特基二极管
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      ¥17.667728 / 个
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  • 汽车用650 V、20 A碳化硅功率肖特基二极管
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      ¥32.747191 / 个
    汽车用650 V、10 A碳化硅功率肖特基二极管
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  • CoolSiC第六代(G6)是英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的创新G5技术在G6中得到了进一步提升,引入了新的肖特基金属系统等改进。其结果是形成了一个在所有负载条件下效率都有所提高的产品系列,这得益于更低的品质因数 (Qc × VF)。该650V G6碳化硅肖特基二极管旨在与600V和650V CoolMOS 7系列互补,满足该电压范围内最严格的应用要求。
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  • 650 V 碳化硅功率肖特基二极管
    数据手册
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      ¥24.644793 / 个
    汽车级 1200V、10A、碳化硅功率肖特基二极管
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  • 1200 V、5 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
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    碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、开关特性与温度无关,且热性能出色,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。
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  • 汽车用650 V、20 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
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      ¥32.522124 / 个
    特性:600-伏肖特基整流器。 零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。应用:开关模式电源(SMPS)。 PFC或DC/DC级中的升压二极管
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