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封装：TO-220-2

是用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。通过引入新的肖特基金属系统等进一步改进，在所有负载条件下具有更高的效率，由更低的品质因数 (Qc×VF) 实现。650 V G6碳化硅肖特基二极管旨在补充600 V和650 V CoolMOS 7系列，满足该电压范围内最严格的应用要求。

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1+
￥24.16
10+
￥23.55
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￥23.15

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型号：C3D10065A 编号：C6802702

封装：TO-220-2

品牌：WOLFSPEED

凭借碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管的性能优势，电力电子系统有望达到比基于硅的解决方案更高的效率标准，同时还能实现更高的频率和功率密度。SiC 二极管可以轻松并联以满足各种应用需求，无需担心热失控。结合 SiC 产品减少的散热要求和改进的热性能，SiC 二极管能够在各种不同的应用中提供更低的总体系统成本。

1+
￥24.58
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￥24
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￥23.61

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型号：STPSC10065D 编号：C2942354

封装：TO-220AC

品牌：ST(意法半导体)

650 V 碳化硅功率肖特基二极管

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1+
￥25.9
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￥22.31
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￥20.17

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型号：STPSC10H12G2-TR 编号：C3759351

封装：D2PAK-HV

品牌：ST(意法半导体)

1200V、10A、碳化硅功率肖特基二极管

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1+
￥25.93
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￥25.29
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￥24.86

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型号：STPSC10065DLF 编号：C2970624

封装：VDFN-8-Power

品牌：ST(意法半导体)

650 V 10 A 功率肖特基碳化硅二极管

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1+
￥26.13
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￥25.47
30+
￥25.02

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型号：STPSC6H065DI 编号：C2970591

封装：TO-220ACins

品牌：ST(意法半导体)

650 V、6 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

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1+
￥27.52
10+
￥23.7
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￥21.43

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型号：IDH05SG60C 编号：C535861

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅-开关性能基准-无反向恢复 / 无正向恢复-与温度无关的开关特性。高浪涌电流能力。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。在 20mA² 下测试击穿电压。应用：SMPS 例如；CCM PFC。电机驱动

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单价：
￥28.28 / 个

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型号：STPSC8TH13TI 编号：C5268315

封装：TO-220AB

品牌：ST(意法半导体)

2 x 650V串联、8 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

1+
￥28.41
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￥27.72
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￥27.26

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型号：FFSD08120A 编号：C605089

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术，能够提供卓越的开关性能，且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能，使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI，以及减小的系统尺寸和成本。

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1+
￥30.83
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￥30.12
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￥29.64

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型号：STPSC10H12B2-TR 编号：C3758106

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

1200V、10A、碳化硅功率肖特基二极管

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1+
￥33.12
10+
￥32.32
30+
￥31.79

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型号：IDH20G120C5XKSA1 编号：C42433296

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥39.79
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￥38.8
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￥38.14

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型号：IDW15G120C5BFKSA1 编号：C3757618

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅：无反向恢复电流/无正向恢复。温度无关的开关特性。即使在高工作温度下也具有低正向电压。正向电压分布紧密。出色的热性能。应用：太阳能逆变器。不间断电源

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￥42.71
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￥40.61

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型号：HIDWD40G120C5 编号：C42389187

封装：TO-247-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管拥有40安培的正向电流（IF/A）承载能力，以及1200伏特的反向电压（VR/V）耐受度，适用于高电压和大电流需求的应用场景。其正向电压降（VF/V）为1.5伏特，有助于降低工作时的能耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）为300微安，表明其具有较好的阻断特性。此外，该二极管能够承受瞬间高达161安培的正向浪涌电流（IFSM/A），提升了其在非稳态条件下的可靠性和鲁棒性。因此，这种二极管非常适合应用于需要快速开关和高效率的电源转换器等场合。

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￥47.62
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￥41.08
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￥37.1
90+
￥33.76

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型号：STPSC15H12G2-TR 编号：C3758794

封装：D2PAK-HV

品牌：ST(意法半导体)

1200V、15A、碳化硅功率肖特基二极管

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1+
￥47.89
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￥46.78
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￥46.04

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型号：STPSC15H12G2Y-TR 编号：C3759120

封装：D2PAK-HV

品牌：ST(意法半导体)

汽车级 1200V、15A、碳化硅功率肖特基二极管

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1+
￥53.27
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￥52.03
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型号：IDK16G120C5XTMA1 编号：C42433297

封装：TO-263-2

品牌：Infineon(英飞凌)

系统效率比硅二极管更高。可实现更高频率/更高功率密度解决方案。由于减少了散热器需求和使用更小的磁性元件，节省了系统尺寸和成本。降低电磁干扰。在整个负载范围内具有最高效率。在浪涌事件期间二极管运行稳定。高可靠性

1+
￥54.31
10+
￥52.97
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￥52.08

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型号：UJ3D06530TS 编号：C44870517

封装：TO-220-2

品牌：onsemi(安森美)

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￥57.32
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￥56.07
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￥55.24

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型号：STPSC20H12G2-TR 编号：C3759227

封装：D2PAK-HV

品牌：ST(意法半导体)

1200V、20A、碳化硅功率肖特基二极管

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￥60.57
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型号：IDH20G65C5XKSA2 编号：C3758536

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺（在第三代中已引入）现在与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列，在所有负载条件下都提高了效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新的 ThinQ!TM 第五代旨在补充 650V CoolMOS 系列，确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

单价：
￥74.45 / 个

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型号：NDSH40120CDN 编号：C5209018

封装：TO-247-3LD

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性和出色的热性能，使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。

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1+
￥76.29
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型号：STPSC20H12DY 编号：C2970552

封装：TO-220-2

品牌：ST(意法半导体)

汽车用1200 V、20 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

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1+
￥98.17
10+
￥95.21

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型号：LJP10120 编号：C49318151

封装：TO-220AC

品牌：luJing(鲁晶)

1+
￥3.34
10+
￥3.26
50+
￥3.21

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型号：LJP10065 编号：C49318149

封装：TO-220AC

品牌：luJing(鲁晶)

该产品系列提供了先进的性能，专为需要高效率和高可靠性的高频应用而设计。

1+
￥3.8855 ￥4.09
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￥3.1445 ￥3.31
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￥2.774 ￥2.92
100+
￥2.413 ￥2.54
500+
￥2.1945 ￥2.31
1000+
￥2.0805 ￥2.19

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型号：KS04065-A 编号：C42377508

封装：TO-220-2L

品牌：SGKS(森国科)

特性：肖特基整流器 / 650-Volt肖特基整流器。零反向恢复电流。零正向恢复电压。高工作频率。不受温度影响的开关特性。高速开关。应用：开关电源 / 开关模式电源 (SMPS)。功率因数校正

1+
￥4.88
10+
￥3.93
50+
￥3.46

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型号：GC6D10065A 编号：C7435083

封装：TO-220-2

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:25nC 总功率(Ptot):136W

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￥6.32
10+
￥5.09
50+
￥4.48
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￥3.86
500+
￥3.5
1000+
￥3.31

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型号：LJ1D020J0120 编号：C51625795

封装：TO-247-3L

品牌：luJing(鲁晶)

1+
￥7.62
10+
￥7.45
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￥7.34

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型号：STPSC406B-TR 编号：C127908

封装：TO-252(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

SiC二极管是一种超高性能功率肖特基二极管，采用碳化硅衬底制造。宽带隙材料允许设计额定电压为600V的肖特基二极管结构。由于肖特基结构，关断时无恢复，振铃模式可忽略不计。最小电容关断特性与温度无关。ST SiC二极管将提升硬开关条件下PFC操作的性能。

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1+
￥8.67
10+
￥8.46
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￥8.32

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型号：IDH05G65C5XKSA2 编号：C3760028

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺（已在第三代中引入）现在与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列，在所有负载条件下都能提高效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新的ThinQ!TM 第五代旨在补充我们的650V CoolMOS系列：这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

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￥10.65
10+
￥10.64

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型号：IDH08G65C5XKSA2 编号：C672133

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!™ 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。专有的扩散焊接工艺,现已与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。这产生了一个新产品系列,在所有负载条件下均显示出更高的效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数(Qc x Vf)。新的ThinQ!™ 第五代旨在补充650V CoolMOSTM 系列:这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

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￥12.9
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￥12.57
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￥12.35

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型号：C4D02120E 编号：C7457230

封装：TO-252-2

品牌：WOLFSPEED

特性：1.2kV肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。温度无关的开关特性。极快的开关速度。正向电压VF具有正温度系数。应用：开关模式电源（SMPS）。 PFC或DC/DC级中的升压二极管

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