sic二极管_厂家_价格_品牌_库存

特性：低正向电压。可忽略的恢复时间/电流。与温度无关的开关特性。高浪涌电流能力。低泄漏电流。应用：开关电源。不间断电源

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型号：IDH03SG60CXKSA2 编号：C5361091

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅。开关行为基准。无反向恢复/无正向恢复。与温度无关的开关行为。高浪涌电流能力。应用：SMPS，例如CCM PFC。电机驱动

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￥28.47
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型号：LSIC2SD120A10A-HXY 编号：C45896875

封装：TO-220-2L

这款碳化硅二极管具有12A的正向电流(IF)和1200V的反向电压(VR)，适用于高要求的电力转换场景。其正向电压(VF)为1.35V，有助于降低能耗，提升效率。漏电流(IR)控制在150微安(uA)，确保了使用的安全性与稳定性。峰值非重复正向浪涌电流(IFSM)高达130A，使其能够承受较高的瞬态电流冲击，非常适合用于高效能电源供应及可再生能源系统中，增强设备的耐用性和运行效率，满足严苛的应用需求。

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型号：SCS206AJTLL 编号：C6293349

封装：TO-263AB

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￥34.12
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￥32.68

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型号：SCS306AJTLL 编号：C3759656

封装：TO-263

特性：低正向电压。可忽略的恢复时间/电流。与温度无关的开关特性。高浪涌电流能力。低泄漏电流。应用：开关电源。不间断电源

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型号：C4D20120D 编号：C5713501

封装：TO-247-3

特性：1.2 kV 肖特基整流器。零反向恢复电流。高频运行。与温度无关的开关特性。正向电压（VF）具有正温度系数。应用：开关模式电源（SMPS）。功率因数校正（PFC）或直流/直流阶段的升压二极管

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型号：IDH04SG60C 编号：C535858

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅。开关行为基准。无反向恢复/无正向恢复。与温度无关的开关行为。高浪涌电流能力。应用：SMPS（如CCM PFC）。电机驱动器

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型号：GD30MPS06H 编号：C27330007

封装：TO-247-2

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型号：C3D10060A 编号：C5713495

封装：TO-220-2

品牌：CREE LED

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型号：GD2X30MPS06D 编号：C29156028

封装：TO-247-3

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型号：SCS240AE2GC11Z 编号：C185063

封装：TO-247-3

特性：低正向电压。可忽略的恢复时间/电流。与温度无关的开关特性。应用：开关电源。不间断电源

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型号：GD50MPS12H 编号：C25344486

封装：TO-247-2

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型号：C6D08065E-TR 编号：C5713493

封装：TO-252

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型号：C3D10060G-TR 编号：C5589535

封装：TO-263-2

特性：600 伏肖特基整流器。零反向恢复电流。零正向恢复电压。高频操作。与温度无关的开关特性。极快的开关速度。应用：开关模式电源（SMPS）。功率因数校正（PFC）或直流/直流阶段的升压二极管

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￥13.53
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￥13.22
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￥13.01

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型号：C6D10065A 编号：C7497906

封装：TO-220-2

品牌：CREE LED

碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管具有性能优势，电力电子系统有望比基于硅的解决方案满足更高的效率标准，同时还能达到更高的频率和功率密度。SiC 二极管可以轻松并联，以满足各种应用需求，而无需担心热失控。结合 SiC 产品减少的冷却要求和改进的热性能，SiC 二极管能够在各种不同的应用中提供更低的总体系统成本。

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￥17.92
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￥15.21
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型号：RSS20120K 编号：C7465282

封装：TO-247-3L

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

应用：车载OBC，PHEV/EV充电桩，电信级电源、服务器电源,大功率工业电源，电机驱动器,UPS电源,太阳能/风能逆变器，家电,医疗，远洋设备，电网，机器人，新能源汽车，动车

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￥20.5
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型号：SCS304APC9 编号：C559676

封装：TO-220-2

特性：较短的恢复时间。降低温度依赖性。可进行高速开关。高浪涌电流能力

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型号：SCS306AMC 编号：C3757201

封装：TO-220FM

特性：较短的恢复时间。降低温度依赖性。可进行高速开关。高浪涌电流能力。应用：PFC升压拓扑。次级侧整流

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￥38.76
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型号：DSEI2X30-06C-HXY 编号：C53133708

封装：SOT-227

该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）仅为100μA，展现出低导通损耗与高阻断性能。其浪涌正向电流（IFSM）可达600A，适用于高频开关、高效率电源转换及对热管理要求较高的电力电子系统，在需要快速恢复特性和稳定运行的场合中表现优异。

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￥116.85
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型号：GC05MPS33J 编号：C26969321

封装：TO-263-7

特性：增强的浪涌和雪崩鲁棒性。高温操作时低正向电压VF。优异的品质因数QC/IF。低热阻。低反向漏电流。与温度无关的快速开关。应用：高压传感。石油钻探

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￥190.15
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￥184

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型号：GD2X30MPS12N 编号：C29343676

封装：SOT-227

特性：Gen4 Thin Chip Technology for Low VF。 Enhanced Surge and Avalanche Robustness。 Superior Figure of Meant QC/IF。 Low Thermal Resistance。应用：Power Factor Correction (PFC)。 Electric Vehicles and Battery Chargers

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￥273.34
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￥264.5

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型号：LGE3D06065A 编号：C25097540

封装：TO-220AC

品牌：LGE(鲁光)

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型号：S3D15065A-HXY 编号：C51896337

封装：TO-220C-2L

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为15A，反向重复电压（VR）达650V，适用于较高功率等级的电力转换电路。其正向压降（VF）为1.5V，在高频开关环境下仍能保持良好的导通效率，有助于降低能量损耗。得益于碳化硅材料特性，器件具备优异的热稳定性和快速恢复能力，减少开关过程中的能量耗散。典型应用包括高效率电源模块、直流电源系统、光伏逆变装置及高密度功率变换设备，适合对散热性能和系统可靠性有较高要求的电力电子设计方案。

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￥5.36
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￥5.28
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型号：C3D08065I 编号：C5589529

封装：TO-220-2

特性：650 伏肖特基整流器。陶瓷封装提供 2.5kV 隔离。零反向恢复电流。高频操作。与温度无关的开关特性。正向电压（VF）正温度系数。应用：暖通空调。开关模式电源（SMPS）

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￥10.9
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￥10.67
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￥10.52

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型号：HFFSP2065BF085 编号：C42389179

封装：TO-220C-2L

此款碳化硅二极管具有20安培的最大平均正向电流（IF/A），适用于要求苛刻的电流处理应用。其额定反向电压（VR/V）为650伏特，确保了在高压环境下的可靠性。正向电压降（VF/V）为1.5伏特，有助于降低功耗并提高效率。反向电流（IR/uA）为100微安，体现了良好的绝缘性能。此外，瞬态正向浪涌电流能力（IFSM/A）高达123安培，增强了其应对瞬间大电流冲击的能力。这些特性使其非常适合用于需要高效能和稳定性的电路中。

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￥12.55
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￥12.27
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￥11.93
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￥11.74

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型号：JCD30S120T6 编号：C51484308

封装：TO-247-2

品牌：JIAENSEMI(佳恩半导体)

特性：正温度系数，可用于并联。零反向恢复电流。低泄漏电流。与温度无关的开关特性。正向电压具有正温度系数。单极整流器。应用：开关模式电源 (SMPS)。5G基站

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￥18.88
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￥16.2
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￥14.61

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型号：LGE3D30120D 编号：C28148571

封装：TO-247-3

品牌：LGE(鲁光)

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￥20.15
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￥19.68
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型号：HSTPSC20H065CWY 编号：C42389294

封装：TO-247

这款碳化硅二极管具有20A的最大允许工作电流（IF/A），以及高达650V的反向击穿电压（VR/V），能够在高压环境下稳定工作。其正向电压降（VF/V）仅为1.3V，在大电流通过时能量损耗较小。该二极管的反向漏电流（IR/uA）在室温条件下测得为40微安，显示出良好的阻断性能。瞬态条件下，二极管能够承受最高达150A的浪涌电流（IFSM/A），适用于需要高可靠性及快速开关特性的电路设计中。

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￥25.29
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型号：GD10MPS12E 编号：C27478402

封装：TO-252-2