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首页 > 热门关键词 > SMCJ二极管
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单向TVS 48V截止 峰值浪涌电流：19.38A@10/1000us
型号：SMCJ48A 编号：C5161478
封装：DO-214AB(SMC)
品牌：ZHIDE(志得)
特性：玻璃钝化芯片。 1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。 低反向泄漏。 极快的响应时间。 引脚和本体符合 RoHS 标准
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    双向TVS 58V截止 峰值浪涌电流：16.1A
    型号：SMCJ58CA 编号：C2990147
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：Liown(里阳半导体)
    网络通讯48V电源，POE
    数据手册

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    双向TVS 13V截止 峰值浪涌电流：69.8A
    型号：SMCJ13CA 编号：C2990133
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：Liown(里阳半导体)
    SMCJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。
    数据手册

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      ￥0.36882 ￥0.6147

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    • 立即购买
    双向TVS 75V截止 峰值浪涌电流：12.4A
    型号：SMCJ75CA 编号：C2990151
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：Liown(里阳半导体)
    SMCJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.53082 ￥0.8847

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      ￥0.42282 ￥0.7047

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    双向TVS 78V截止 峰值浪涌电流：11.9A
    型号：SMCJ78CA 编号：C2990152
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：Liown(里阳半导体)
    SMCJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。
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    双向TVS 10V截止 峰值浪涌电流：88.3A
    型号：SMCJ10CA 编号：C2990130
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：Liown(里阳半导体)
    SMCJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。
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    双向TVS 64V截止 峰值浪涌电流：14.6A
    型号：SMCJ64CA 编号：C2990149
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：Liown(里阳半导体)
    SMCJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。
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    双向TVS 20V截止 峰值浪涌电流：46.3A
    型号：SMCJ20CA 编号：C2990137
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：Liown(里阳半导体)
    SMCJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。
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    双向TVS 51V截止 峰值浪涌电流：18.2A
    型号：SMCJ51CA 编号：C2990145
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：Liown(里阳半导体)
    SMCJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。
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    双向TVS 30V截止 峰值浪涌电流：31A
    型号：SMCJ30CA 编号：C2925495
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：Liown(里阳半导体)
    SMCJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。
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    双向TVS 18V截止 峰值浪涌电流：51.4A@10/1000us
    型号：SMCJ18CA 编号：C48686190
    封装：SMC
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    旨在保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

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    单向TVS 58V截止 峰值浪涌电流：16.1A@10/1000us
    型号：SMCJ58A 编号：C438117
    封装：SMC
    品牌：晶导微电子
    SMCJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
    数据手册

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    双向TVS 70V截止 峰值浪涌电流：12A@10/1000us
    型号：SMCJ70AX 编号：C3038091
    封装：SMC
    品牌：晶扬电子
    VRWM70(V)/VBR(Min)@IT77.8(V)/VBR(Max)@IT89.5(V)/IT1(mA)/IR5(uA)/VC(Max)113(V)/Ipp(Max)13.3(A)
    数据手册

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  • 有货
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    TVS 70V截止 峰值浪涌电流：13.3A@10/1000us
    型号：SMCJ70A 编号：C438120
    封装：SMC
    品牌：晶导微电子
    SMCJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
    数据手册

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    TVS 160V截止 峰值浪涌电流：5.8A@10/1000us
    型号：SMCJ160A 编号：C438130
    封装：SMC
    品牌：晶导微电子
    SMCJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
    数据手册

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      ￥0.363
  • 有货
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    13V截止 峰值浪涌电流：69.8A
    型号：SMCJ13CA 编号：C438200
    封装：SMC
    品牌：晶导微电子
    SMCJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6037

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      ￥0.4172
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    双向TVS 40V截止 峰值浪涌电流：23.3A@10/1000us
    型号：SMCJ40CA 编号：C3012584
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：PAKER(派克微)
    DO-214AB(SMC) 应用电源口、通讯产品、汽车电子等
    数据手册

    • 5+

      ￥0.609805 ￥0.6419

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    TVS 200V截止 峰值浪涌电流：4.6A@10/1000us
    型号：SMCJ200A 编号：C438133
    封装：SMC
    品牌：晶导微电子
    SMCJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6111

    • 50+

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      ￥0.4239
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    双向TVS 12V截止 峰值脉冲电流：75.4A
    型号：SMCJ12CA 编号：C5365349
    封装：SMC
    品牌：JUXING(钜兴)
    特性：1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。 低增量浪涌电阻。 当 VBR min > 12V 时，典型 IR 小于 1μA。 适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。 薄型封装
    数据手册

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      ￥0.613415 ￥0.6457

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    双向TVS 40V截止 峰值浪涌电流：23.26A
    型号：SMCJ40CA 编号：C350849
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：DOWO(东沃)
    特性：玻璃钝化芯片。 1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 低泄漏。 单向和双向单元。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 符合 RoHS 标准。 IEC-61000-4-2 ESD 15kV（空气），8kV（接触）
    数据手册

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    58V截止 峰值浪涌电流：16.1A@10/1000us
    型号：SMCJ58CA 编号：C438220
    封装：SMC
    品牌：晶导微电子
    SMCJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6239

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    单向TVS 12V截止 峰值浪涌电流：75.38A
    型号：SMCJ12A 编号：C5151432
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：DOWO(东沃)
    特性：玻璃钝化芯片。1500 W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000 μs，重复率（占空比）：0.01%。低泄漏。单向和双向单元。出色的钳位能力。非常快速的响应时间。符合 RoHS 标准。IEC-61000-4-2 ESD 空气放电：15 kV，接触放电：8 kV
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6348

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    双向TVS 58V截止 峰值脉冲电流：16.1A@10/1000us
    型号：SMCJ58CA 编号：C696611
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：SEMIWARE(赛米微尔)
    SMCJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变而设计。
    数据手册

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    双向TVS 51V截止 峰值浪涌电流：18.2A@8/20us
    型号：SMCJ51CA 编号：C3040019
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：SUNMATE(森美特)
    极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：51V 击穿电压(最小值)：56.7V 击穿电压(最大值)：65.2V 反向漏电流(Ir)：5.0μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：18.2A 最大钳位电压：82.4V
    数据手册

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    54V截止 峰值浪涌电流：17.3A@10/1000us
    型号：SMCJ54CA 编号：C438219
    封装：SMC
    品牌：晶导微电子
    SMCJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
    数据手册

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      ￥0.6726

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    TVS 64V截止 峰值浪涌电流：1A
    型号：SMCJ64A 编号：C5270613
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：YFW(佑风微)
    VRMW(V) 64 BreakdownVoltage(MAX) 78.60 Test Current(mA) 1 IR@VRWM(uA) 103 Vc@IPP(V) 14.6 IPP(A) 1
    数据手册

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      ￥0.67527 ￥0.7503

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    双向TVS 48V截止 峰值浪涌电流：19.4A
    型号：SMCJ48CA 编号：C3040018
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：SUNMATE(森美特)
    极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：48V 击穿电压(最小值)：53.3V 击穿电压(最大值)：61.3V 反向漏电流(Ir)：5.0μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：19.4A 最大钳位电压：77.4V
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    TVS 250V截止 峰值浪涌电流：3.7A@10/1000us
    型号：SMCJ250A 编号：C438135
    封装：SMC
    品牌：晶导微电子
    SMCJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
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    双向TVS 26V截止 峰值脉冲电流：35.7A
    型号：SMCJ26CA 编号：C22371773
    封装：SMC
    品牌：JUXING(钜兴)
    特性：1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。出色的钳位能力。低增量浪涌电阻。当 VBR min > 12V 时，典型反向电流小于 1μA。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。低外形封装

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    双向TVS 16V截止 峰值浪涌电流：57.7A
    型号：SMCJ16CA 编号：C20623812
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：Brightking(君耀电子)
    特性：适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。 低轮廓封装。 内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。应用：I/O接口。 AC/DC电源

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