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首页 > 热门关键词 > SMCJ二极管
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单向TVS 8.5V截止 峰值浪涌电流：104.2A
型号：SMCJ8.5A 编号：C2990081
封装：SMC(DO-214AB)
品牌：Liown(里阳半导体)
SMCJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。
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    单向TVS 130V截止 峰值浪涌电流：7.2A
    型号：SMCJ130A 编号：C2990113
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：Liown(里阳半导体)
    SMCJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。
    数据手册

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    单向TVS 78V截止 峰值浪涌电流：11.9A
    型号：SMCJ78A 编号：C2990108
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：Liown(里阳半导体)
    SMCJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。
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    单向TVS 8V截止 峰值浪涌电流：110.3A
    型号：SMCJ8.0A 编号：C2990080
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：Liown(里阳半导体)
    SMCJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。
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    单向TVS 11V截止 峰值浪涌电流：82.5A
    型号：SMCJ11A 编号：C2990084
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：Liown(里阳半导体)
    SMCJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。
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    双向TVS 11V截止 峰值浪涌电流：82.5A
    型号：SMCJ11CA 编号：C2990131
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：Liown(里阳半导体)
    SMCJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。
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    单向TVS 7.5V截止 峰值浪涌电流：116.3A
    型号：SMCJ7.5A 编号：C2990079
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：Liown(里阳半导体)
    SMCJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。
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    单向TVS 6.5V截止 峰值浪涌电流：134A
    型号：SMCJ6.5A 编号：C2990077
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：Liown(里阳半导体)
    SMCJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。
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    单向TVS 9V截止 峰值浪涌电流：97.4A
    型号：SMCJ9.0A 编号：C2990082
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：Liown(里阳半导体)
    SMCJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。
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    30V截止 峰值浪涌电流：31A@10/1000us
    型号：SMCJ30CA 编号：C42369130
    封装：SMC
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    SMCJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

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    单向TVS 180V截止 峰值浪涌电流：5.1A
    型号：SMCJ180A 编号：C2990117
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：Liown(里阳半导体)
    SMCJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。
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    单向TVS 26V截止 峰值浪涌电流：35.63A@10/1000us
    型号：SMCJ26A 编号：C5161471
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：ZHIDE(志得)
    特性：玻璃钝化芯片。 1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。 低反向泄漏。 极快的响应时间。 引脚和本体符合 RoHS 标准
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    双向TVS 12V截止 峰值浪涌电流：75.38A
    型号：SMCJ12CA 编号：C5161503
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：ZHIDE(志得)
    特性：玻璃钝化芯片。 1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。 低反向泄漏。 极快的响应时间。 引脚和本体符合 RoHS 标准
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    单向TVS 30V截止 峰值浪涌电流：30.99A@10/1000us
    型号：SMCJ30A 编号：C5161473
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：ZHIDE(志得)
    特性：玻璃钝化芯片。 1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。 低反向泄漏。 极快的响应时间。 引脚和本体符合 RoHS 标准
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    双向TVS 22V截止 峰值浪涌电流：42.25A@10/1000us
    型号：SMCJ22CA 编号：C5161509
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：ZHIDE(志得)
    特性：玻璃钝化芯片。 1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。 低反向泄漏。 极快的响应时间。 引脚和本体符合 RoHS 标准
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    双向TVS 18V截止 峰值浪涌电流：51.37A@10/1000us
    型号：SMCJ18CA 编号：C5161507
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：ZHIDE(志得)
    特性：玻璃钝化芯片。 1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。 低反向泄漏。 极快的响应时间。 引脚和本体符合 RoHS 标准
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    单向TVS 75V截止 峰值浪涌电流：12.4A@10/1000us
    型号：SMCJ75A 编号：C5161483
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：ZHIDE(志得)
    特性：玻璃钝化芯片。 1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。 低反向泄漏。 极快的响应时间。 引脚和本体符合 RoHS 标准
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    双向TVS 20V截止 峰值浪涌电流：46.3A@10/1000us
    型号：SMCJ20CA 编号：C5161508
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：ZHIDE(志得)
    特性：玻璃钝化芯片。 1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。 低反向泄漏。 极快的响应时间。 引脚和本体符合 RoHS 标准
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    单向TVS 85V截止 峰值浪涌电流：10.95A@10/1000us
    型号：SMCJ85A 编号：C5161485
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：ZHIDE(志得)
    特性：玻璃钝化芯片。 1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。 低反向泄漏。 极快的响应时间。 引脚和本体符合 RoHS 标准
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    36V截止 峰值浪涌电流：25.9A@10/1000us
    型号：SMCJ36A 编号：C42375218
    封装：SMC
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    SMCJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

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    双向TVS 15V截止 峰值浪涌电流：61.5A
    型号：SMCJ15CA 编号：C2925499
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：Liown(里阳半导体)
    SMCJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。
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    单向TVS 78V截止 峰值浪涌电流：11.9A@10/1000us
    型号：SMCJ78A 编号：C5161484
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：ZHIDE(志得)
    特性：玻璃钝化芯片。 1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。 低反向泄漏。 极快的响应时间。 引脚和本体符合 RoHS 标准
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    单向TVS 18V截止 峰值浪涌电流：51.4A@10/1000us
    型号：SMCJ18A 编号：C438102
    封装：SMC
    品牌：晶导微电子
    SMCJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
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    单向TVS 43V截止 峰值浪涌电流：21.7A
    型号：SMCJ43A 编号：C2990098
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：Liown(里阳半导体)
    SMCJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。
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    双向TVS 85V截止 峰值浪涌电流：10.95A@10/1000us
    型号：SMCJ85CA 编号：C5161523
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：ZHIDE(志得)
    特性：玻璃钝化芯片。 1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。 低反向泄漏。 极快的响应时间。 引脚和本体符合 RoHS 标准
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    单向TVS 36V截止 峰值浪涌电流：25.82A@10/1000us
    型号：SMCJ36A 编号：C5161475
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：ZHIDE(志得)
    特性：玻璃钝化芯片。 1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。 低反向泄漏。 极快的响应时间。 引脚和本体符合 RoHS 标准
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    双向TVS 36V截止 峰值浪涌电流：25.82A@10/1000us
    型号：SMCJ36CA 编号：C5161514
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：ZHIDE(志得)
    特性：玻璃钝化芯片。 1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。 低反向泄漏。 极快的响应时间。 引脚和本体符合 RoHS 标准
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    双向TVS 75V截止 峰值浪涌电流：12.4A@10/1000us
    型号：SMCJ75CA 编号：C5161521
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：ZHIDE(志得)
    特性：玻璃钝化芯片。 1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。 低反向泄漏。 极快的响应时间。 引脚和本体符合 RoHS 标准
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    双向TVS 40V截止 峰值浪涌电流：23.26A@10/1000us
    型号：SMCJ40CA 编号：C5161515
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：ZHIDE(志得)
    特性：玻璃钝化芯片。 1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。 低反向泄漏。 极快的响应时间。 引脚和本体符合 RoHS 标准
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    双向TVS 90V截止 峰值浪涌电流：10.27A@10/1000us
    型号：SMCJ90CA 编号：C5161524
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：ZHIDE(志得)
    特性：玻璃钝化芯片。 1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 出色的钳位能力。 低反向泄漏。 极快的响应时间。 引脚和本体符合 RoHS 标准
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