SMC二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SMDJ33CA 编号：C17703046

封装：SMC

品牌：MSKSEMI(美森科)

功率：3000W

5+
￥1.05597 ￥1.1733
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￥0.82917 ￥0.9213
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￥0.73197 ￥0.8133
850+
￥0.61074 ￥0.6786
2550+
￥0.55674 ￥0.6186
5100+
￥0.52425 ￥0.5825

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型号：SK36 编号：C492932

封装：DO-214AB(SMC)

品牌：SMC(桑德斯)

特性：肖特基势垒芯片。用于瞬态保护的保护环管芯结构。高电流能力。低功耗、高效率。高浪涌电流能力。用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。这是无铅器件。所有SMC部件均可追溯到晶圆批次。可应要求提供额外测试

数据手册

5+
￥1.1573
50+
￥0.9379
150+
￥0.8439
500+
￥0.7266
3000+
￥0.6744
6000+
￥0.643

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型号：SS10200 编号：C5440904

封装：SMC

品牌：LGE(鲁光)

特性：适合自动贴装。超快反向恢复时间。肖特基势垒整流器。保护环保护。低正向压降。低功耗，高效率。高电流能力。高温焊接：引脚处260℃/10秒。无铅涂层，符合RoHS和WEEE标准

数据手册

50+
￥0.7425
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￥0.6875
1000+
￥0.66
5000+
￥0.6325
10000+
￥0.616

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型号：20CJQ060 编号：C260229

封装：SOT-223-3

品牌：SMC(桑德斯)

特性：150℃ Tj 工作。低正向压降。高纯度、高温环氧树脂封装，增强机械强度和防潮性。高频操作。保护环，增强耐用性和长期可靠性。 “- A” 是 AEC-Q101 合格器件。应用：开关电源。冗余电源子系统

数据手册

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￥1.2953
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￥1.0171
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￥0.8979
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￥0.7491
3000+
￥0.6829
6000+
￥0.6431

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型号：MBRS3100T3G-HXY 编号：C52988708

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下能量损耗较低；反向漏电流（IR）仅为20μA，表现出良好的反向截止特性。器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、电源转换及对效率与热管理有要求的电子电路中。

5+
￥1.381965 ￥1.4547
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￥1.094685 ￥1.1523
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￥0.971565 ￥1.0227
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￥0.81795 ￥0.861
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￥0.74955 ￥0.789
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￥0.70851 ￥0.7458

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型号：SMC5378A 编号：C5161213

封装：SMC

品牌：ZHIDE(志得)

特性：玻璃钝化芯片。内置应变消除功能。低电感。高峰值反向功率耗散。低反向泄漏。适用于高功率额定值的稳压和限幅。符合RoHS标准

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￥1.444
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￥1.1416
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￥1.012
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￥0.8503
3000+
￥0.7423
6000+
￥0.699

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型号：MURS560 编号：C5161767

封装：SMC

品牌：ZHIDE(志得)

特性：反向漏电流低。正向浪涌承受能力强。高信赖性。高温焊接保证：260°C / 10秒。引线和管体皆符合RoHS标准。型号后缀“F”标记无卤素产品

数据手册

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￥1.5402
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￥1.2177
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￥1.0794
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￥0.9069
3000+
￥0.7917
6000+
￥0.7456

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型号：SMC5340A 编号：C5161190

封装：SMC

品牌：ZHIDE(志得)

特性：玻璃钝化芯片。内置应变消除功能。低电感。高峰值反向功率耗散。低反向泄漏。适用于高功率额定值的稳压和限幅。符合RoHS标准

数据手册

5+
￥1.5643
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￥1.2367
150+
￥1.0963
500+
￥0.9211
3000+
￥0.8041
6000+
￥0.7573

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型号：S3GHE3_A/I 编号：C2981055

封装：DO-214AB(SMC)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。低正向压降。低漏电流。高正向浪涌能力。应用：用于电源、逆变器、转换器的通用整流。用于消费、汽车和电信领域的续流二极管

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1+
￥1.71
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￥1.48
30+
￥1.38
100+
￥1.25
500+
￥1.2
1000+
￥1.17

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型号：SS32-E3/57T 编号：C145289

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装，适合自动贴装。过压保护保护环。低功率损耗，高效率。低正向压降。高浪涌能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃。应用：用于低压高频逆变器。续流

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5+
￥2.2857
50+
￥1.7718
150+
￥1.5515
850+
￥1.2767

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型号：SK84C 编号：C26436850

封装：DO-214AB(SMC)

品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

5+
￥2.3207
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￥1.8419
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￥1.6367
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￥1.3807

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型号：SK420 编号：C3028999

封装：DO-214AB(SMC)

品牌：DIOTEC(德欧泰克)

特性：低正向压降。高反向电压。符合RoHS、REACH和冲突矿物标准。应用：DC/DC转换器中的输出整流。极性保护

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￥2.38
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￥2.12
30+
￥2.01
100+
￥1.87
500+
￥1.73
1000+
￥1.69

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型号：SSC54-E3/9AT 编号：C968550

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装，适合自动贴装。过压保护保护环。低功率损耗，高效率。极低的正向压降。高浪涌能力。符合MSL 1级，LF最高峰值260℃。应用：用于低压高频逆变器。续流

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1+
￥2.57
10+
￥2.04
30+
￥1.81
100+
￥1.53

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型号：STTH3R06S 编号：C155619

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

600 V、3 A Turbo 2超高速二极管

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1+
￥2.81
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￥2.18
30+
￥1.91
100+
￥1.57

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型号：CMSH5-200HVTR13-HXY 编号：C53262805

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为5A，最大反向重复电压达200V。其正向压降典型值为0.92V，在25℃环境下的反向漏电流仅为20μA，具备较低的导通损耗与良好的反向阻断特性。器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、开关模式电源输出级及高频逆变器等场合。

1+
￥3.3345 ￥3.51
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￥3.2585 ￥3.43
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￥3.211 ￥3.38
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￥3.1635 ￥3.33

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型号：MBR1660 编号：C260267

封装：TO-220-2

品牌：SMC(桑德斯)

特性：150℃ TJ 工作温度。高纯度、高温环氧树脂封装，增强机械强度和防潮性。低正向压降。高频工作。保护环，增强耐用性和长期可靠性。无铅器件。应用：开关电源。冗余电源子系统

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1+
￥3.55
10+
￥2.8
50+
￥2.47
100+
￥2.07

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型号：SSC53L-E3/57T 编号：C145430

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。适合自动贴装。保护环用于过压保护。低功率损耗，高效率。极低的正向压降。高浪涌能力。应用：低压高频逆变器。续流

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1+
￥4.49
10+
￥3.69
30+
￥3.29
100+
￥2.9
500+
￥2.45

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型号：HSM3100JE3/TR13-HXY 编号：C52988707

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为100V。其正向压降典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；反向漏电流仅为20μA，在高阻态下保持良好的隔离性能。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高频整流、电源转换输出端以及对效率和热管理有较高要求的电子电路，具备稳定的电气特性和可靠的运行表现。