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首页 > 热门关键词 > 数字三极管
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SOT-23 塑封封装 硅 PNP数字三极管 内装偏置电阻,简化线路设计,减少元件和制造流程 用于开关 /界面电路以及驱动电路中。
  • 20+

    ¥0.1515
  • 200+

    ¥0.118
  • 600+

    ¥0.0994
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻:R1 = 4.7kΩ,R2 = 47kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 只需设置开/关条件即可操作,使电路设计更简单。 互补PNP类型:DTA143Z系列。应用:反相器。 接口
    数据手册
    • 10+

      ¥0.10455
    • 30+

      ¥0.1003
    • 90+

      ¥0.09775
    • 120+

      ¥0.0952
    该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络:一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中,因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省板空间。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1644
    • 100+

      ¥0.1613
    • 300+

      ¥0.1592
  • 有货
  • DTC143EUA-F2-0000HF
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1691
    • 200+

      ¥0.1366
    • 600+

      ¥0.1186
  • 有货
  • 这种新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SOT-23封装,专为低功率表面贴装应用而设计。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.1692
    • 50+

      ¥0.1341
    • 150+

      ¥0.1146
    • 500+

      ¥0.1029
    • 3000+

      ¥0.0928
    • 6000+

      ¥0.0873
  • 有货
  • 这款NPN型数字晶体管拥有50V的集射极击穿电压(Vceo)、100mA的集电极电流(Ic)能力以及200mW的功率耗散(Pd)。它适用于多种电子电路,如信号放大、开关控制和逻辑转换等。其紧凑的设计和低功耗特点使其非常适合集成到便携式设备、家用电器及通信装置中。该晶体管具备良好的热稳定性和电气性能,能够确保在广泛的工作温度范围内提供可靠的操作表现。
    • 20+

      ¥0.18252 ¥0.2028
    • 200+

      ¥0.14319 ¥0.1591
    • 600+

      ¥0.12132 ¥0.1348
    • 3000+

      ¥0.10818 ¥0.1202
    • 9000+

      ¥0.09675 ¥0.1075
    • 21000+

      ¥0.09063 ¥0.1007
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,且能完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计更简单。 互补NPN类型:DTC143X系列。 无铅/符合RoHS标准。应用:开关电路。 反相器电路
    数据手册
    • 20+

      ¥0.199
    • 200+

      ¥0.1531
    • 600+

      ¥0.1276
    • 3000+

      ¥0.1114
  • 有货
  • DTC123JCA-F2-0000HF
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2007
    • 200+

      ¥0.1618
    • 600+

      ¥0.1402
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
    • 20+

      ¥0.214
    • 200+

      ¥0.1694
    • 1000+

      ¥0.1447
  • 有货
  • PNP电阻型晶体管,属于表面贴装器件(SMD)塑料封装的电阻型晶体管(RET)系列。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2193
    • 200+

      ¥0.1756
    • 600+

      ¥0.1513
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 内置偏置电阻。 适合自动组装的表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.223713 ¥0.3339
    • 100+

      ¥0.152304 ¥0.2672
    • 300+

      ¥0.109886 ¥0.2338
    • 3000+

      ¥0.098136 ¥0.2088
    • 6000+

      ¥0.088736 ¥0.1888
    • 9000+

      ¥0.084036 ¥0.1788
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,R1 = 4.7kΩ,R2 = 47kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计简单。 互补NPN类型。应用:反相器。 接口
    数据手册
    • 20+

      ¥0.225
    • 200+

      ¥0.1775
    • 600+

      ¥0.1511
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 每个偏置电阻都是薄膜电阻,完全绝缘,输入可以负偏置,且绝缘消除了大部分寄生效应。 操作时只需设置开/关条件,便于设备设计。应用:反相器。 接口
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2253
    • 200+

      ¥0.1767
    • 600+

      ¥0.1497
    • 3000+

      ¥0.1281
    • 9000+

      ¥0.1141
    • 21000+

      ¥0.1065
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DDTA)。 内置偏置电阻,R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具备高可靠性和PPAP能力
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2338
    • 100+

      ¥0.1834
    • 300+

      ¥0.1582
  • 有货
  • 特性:简化电路设计。 减少电路板空间。 减少元件数量。 产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力
    数据手册
    • 20+

      ¥0.234
    • 200+

      ¥0.1875
    • 600+

      ¥0.1617
  • 有货
  • 这款数字晶体管为NPN型,具备50V的集射极击穿电压(Vceo),可以有效防止在高压条件下发生击穿现象。其支持的最大集电极电流(Ic)为100mA,适合用于驱动各类小型电子组件,如LED指示灯、音频电路以及其他需要中等电流控制的应用。凭借其合理的电压和电流规格,这款晶体管是日常电子项目中的可靠组件。
    • 10+

      ¥0.23994 ¥0.2666
    • 100+

      ¥0.19116 ¥0.2124
    • 300+

      ¥0.16677 ¥0.1853
    • 3000+

      ¥0.14841 ¥0.1649
    • 6000+

      ¥0.13374 ¥0.1486
    • 9000+

      ¥0.12645 ¥0.1405
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,易于进行设备设计。 产品材料符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。应用:逆变器。 接口
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2452
    • 100+

      ¥0.1972
    • 300+

      ¥0.1732
    • 3000+

      ¥0.1552
    • 6000+

      ¥0.1408
    • 9000+

      ¥0.1336
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作,使设备设计更简单。 通过AEC-Q101认证
    数据手册
    • 10+

      ¥0.246
    • 100+

      ¥0.1941
    • 300+

      ¥0.1682
    • 1000+

      ¥0.1488
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 提供互补PNP类型(DDTA)。 内置偏置电阻,仅R1。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,该部件符合AEC-Q101标准,具备PRAP能力,并在IATF 16949认证的工厂生产
    • 20+

      ¥0.2644
    • 200+

      ¥0.2118
    • 600+

      ¥0.1826
  • 有货
  • UMH11N-F2-0000HF
    数据手册
    • 10+

      ¥0.268
    • 100+

      ¥0.2162
    • 300+

      ¥0.1903
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻:R1 = 4.7kΩ,R2 = 47kΩ。 内置偏置电阻使无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 只需设置开/关条件即可操作,使电路设计变得简单。 互补PNP类型:DTA143Z系列。应用:反相器。 接口
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2721
    • 100+

      ¥0.2121
    • 300+

      ¥0.1821
  • 有货
  • NPN/PNP 电阻型晶体管
    数据手册
    • 100+

      ¥0.39825
    • 1000+

      ¥0.3835
    • 3000+

      ¥0.36875
    • 6000+

      ¥0.33925
    • 10000+

      ¥0.3304
    BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中,消除了这些组件。两个 BRT 器件封装在 SOT-363 封装中,非常适合对电路板空间要求较高的低功耗表面贴装应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.279
    • 200+

      ¥0.2194
    • 600+

      ¥0.1864
  • 有货
    • 10+

      ¥0.2859
    • 100+

      ¥0.2323
    • 300+

      ¥0.2055
    • 3000+

      ¥0.1854
  • 有货
  • 这款数字晶体管属于NPN型,具有稳定的电气特性,适用于多种电路设计中。其集射极击穿电压(Vceo)为50V,这意味着当集电极与发射极之间的电压差超过此值时,可能会导致器件损坏。此外,该晶体管的最大集电极电流(Ic)为30mA,限制了通过集电极所能承载的最大电流,适用于驱动小型负载或作为开关元件使用。此款晶体管在信号放大及逻辑门电路中有良好的表现,是电子爱好者和设计师的理想选择。
    • 10+

      ¥0.286528 ¥0.3256
    • 100+

      ¥0.228272 ¥0.2594
    • 300+

      ¥0.199056 ¥0.2262
    • 3000+

      ¥0.177232 ¥0.2014
    • 6000+

      ¥0.15972 ¥0.1815
    • 9000+

      ¥0.151008 ¥0.1716
  • 有货
  • 特性:供电电压 VO = 50V。 偏置电阻范围。 表面贴装封装,适合自动组装。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,这些部件通过 AEC-Q101 认证,具备 PPAP 能力,并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2866
    • 100+

      ¥0.2328
    • 300+

      ¥0.2059
  • 有货
  • 此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省在板空间。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2931
    • 200+

      ¥0.2249
    • 600+

      ¥0.187
    • 3000+

      ¥0.1642
    • 9000+

      ¥0.1445
    • 21000+

      ¥0.1339
  • 有货
  • 这款NPN型数字晶体管拥有50V的集射极击穿电压(Vceo),支持最大100mA的集电极电流(Ic),功率耗散能力为200mW。它适用于需要精确控制和稳定性能的各种电子电路,如信号放大、开关控制等。该晶体管在处理低至中等功率需求的应用中表现出色,是设计者构建高效、紧凑型电子设备的理想选择。
    • 10+

      ¥0.29727 ¥0.3303
    • 100+

      ¥0.23679 ¥0.2631
    • 300+

      ¥0.20655 ¥0.2295
    • 3000+

      ¥0.18387 ¥0.2043
    • 6000+

      ¥0.16569 ¥0.1841
    • 9000+

      ¥0.15669 ¥0.1741
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 提供互补NPN类型(DDTC)。 内置偏置电阻R1、R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高
    • 10+

      ¥0.3191
    • 100+

      ¥0.2538
    • 300+

      ¥0.2212
  • 有货
  • 特性:两个DTC143T芯片封装在EMT、UMT或SMT中。 可将安装成本和面积减半。应用:逆变器。 接口
    数据手册
    • 100+

      ¥0.2025
    • 1000+

      ¥0.195
    • 3000+

      ¥0.1875
    • 6000+

      ¥0.1725
    • 10000+

      ¥0.168
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