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NPN

型号：HRN1306LF 编号：C42389354

封装：SOT-323(SC-70)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款数字晶体管为NPN类型，其集射极击穿电压（Vceo）为50V，能够在多种电子设备中提供可靠的高电压隔离性能。集电极最大电流（Ic）为100mA，适用于信号放大以及开关电路设计。无论是音频处理还是逻辑电平转换等应用场景，此款晶体管都能提供稳定且高效的性能表现，是电子爱好者和设计工程师的理想选择。

10+
￥0.40212 ￥0.4468
100+
￥0.31788 ￥0.3532
300+
￥0.27576 ￥0.3064
3000+
￥0.24417 ￥0.2713
6000+
￥0.21888 ￥0.2432
9000+
￥0.20628 ￥0.2292

有货

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NPN+NPN Vceo:50V 电流(Ic): 100mA

型号：HKRC860U 编号：C42389369

封装：SOT-363

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款数字晶体管采用NPN+NPN双晶体管配置，具有50V的集射极击穿电压(Vceo)，支持最大100mA的集电极电流(Ic)，以及150mW的功率耗散(Pd)。适用于构建紧凑型电子电路，在消费电子产品、家用电器等领域中作为开关或放大元件使用。其稳定的电气性能和高效的能量转换能力使其成为实现电路设计需求的理想选择。

5+
￥0.409288 ￥0.4651
50+
￥0.323576 ￥0.3677
150+
￥0.28072 ￥0.319
500+
￥0.248512 ￥0.2824
3000+
￥0.222816 ￥0.2532
6000+
￥0.209968 ￥0.2386

有货

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SOT323封装，50V NPN预偏置晶体管

型号：DDTC143FUA-7-F 编号：C5205158

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。内置偏置电阻。适合自动组装的表面贴装封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.4121
100+
￥0.3296
300+
￥0.2883

有货

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NPN预偏置小信号双表面贴装晶体管

型号：DDC114TU-7-F 编号：C526523

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补PNP类型（DDA）。内置偏置电阻。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。 DDC（XXXX）UQs适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

数据手册

10+
￥0.427
100+
￥0.3389
300+
￥0.2949

有货

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50V 100mA

型号：UMD12N-HAF 编号：C2961230

封装：SOT-363

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：封装内包含DTC144E芯片和DTX144E芯片。可使用SOT-363自动贴装机进行贴装。晶体管元件相互独立，消除干扰。可将贴装成本和面积减半

数据手册

10+
￥0.4346
100+
￥0.3391
300+
￥0.2913

有货

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数字晶体管（内置电阻）

型号：EMH1 编号：C19269145

封装：SOT-563

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：一个封装中有两个DTC124E芯片

10+
￥0.4473
100+
￥0.3536
300+
￥0.3068

有货

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20V 600mA

型号：DTC614TKT146 编号：C509884

封装：TO-236-3(SOT-23-3)

品牌：ROHM(罗姆)

特性：除了普通数字晶体管的特性外。低饱和电压,在集电极电流 (Ic) / 基极电流 (Ib) = 50mA / 2.5mA 时,典型值集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)) = 40mV,使这些晶体管非常适合用于静音电路。这些晶体管可以在高电流水平下使用,集电极电流 (Ic) = 600mA

数据手册

5+
￥0.4482
50+
￥0.3498
150+
￥0.3006
500+
￥0.2637

有货

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50V 100mA

型号：RN4907,LXGF 编号：C5381792

封装：SOT-363

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。采用US6封装（6引脚超小型），包含两个器件。集成偏置电阻，减少所需外部部件数量，可减小系统尺寸和组装时间。应用：开关。逆变器电路

数据手册

10+
￥0.4653
100+
￥0.3693
300+
￥0.3213

有货

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通用型（双数字晶体管）

型号：IMD3AT108 编号：C703622

封装：SOT-457

品牌：ROHM(罗姆)

特性：DTA114E芯片和DTC114E芯片采用EMT、UMT或SMT封装。可使用EMT3、UMT3或SMT3自动贴装机进行贴装。晶体管元件独立，消除干扰。可将安装成本和面积减半。应用：逆变器。接口

数据手册

10+
￥0.4893
100+
￥0.3933
300+
￥0.3453

有货

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配备电阻的NPN型双晶体管

型号：PUMH1-QX 编号：C7509042

封装：SOT-666

品牌：Nexperia(安世)

NPN/NPN 配备电阻的双晶体管 (RET)，采用非常小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

5+
￥0.4986
50+
￥0.4874
150+
￥0.4799
500+
￥0.4725

有货

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SOT363封装，50V互补预偏置晶体管

型号：DCX143EU-7-F 编号：C460191

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：供电电压 VO = 50V。偏置电阻范围。表面贴装封装，适合自动组装。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

数据手册

10+
￥0.5115
100+
￥0.4112
300+
￥0.3611

有货

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50V 100mA

型号：DDC144EU-7-F 编号：C460192

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补PNP类型（DDA）。内置偏置电阻。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。 DDC（XXXX）UQs适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

数据手册

5+
￥0.517968 ￥0.5886
50+
￥0.373152 ￥0.4784
150+
￥0.287776 ￥0.4232
500+
￥0.259692 ￥0.3819
3000+
￥0.237184 ￥0.3488
6000+
￥0.225964 ￥0.3323

有货

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带电阻的PNP晶体管

型号：PDTA123EU,115 编号：C552061

封装：SOT-323

品牌：Nexperia(安世)

PNP 电阻型晶体管（封装详情见“简化外形、符号和引脚图”）。

数据手册

1+
￥1.295 ￥2.59
10+
￥0.824 ￥2.06
30+
￥0.552 ￥1.84
100+
￥0.465 ￥1.55
500+
￥0.429 ￥1.43
1000+
￥0.405 ￥1.35

有货

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50V 100mA

型号：NSBC114YDXV6T1G 编号：C895100

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。

数据手册

1+
￥1.3187
10+
￥1.0681
30+
￥0.9606

有货

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PNP+NPN 50V 100mA

型号：SMUN5335DW1T1G 编号：C894412

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管；一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。

数据手册

5+
￥1.6521
50+
￥1.3063
150+
￥1.1581
500+
￥0.9731

有货

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50V 100mA

型号：PEMB10,115 编号：C552384

封装：SOT-666

品牌：Nexperia(安世)

采用表面贴装器件（SMD）塑料封装的配备电阻的 PNP/PNP 晶体管（RET）。

数据手册

1+
￥2.516 ￥3.7
10+
￥1.7516 ￥3.02
30+
￥1.2864 ￥2.68
100+
￥1.1232 ￥2.34
500+
￥1.0224 ￥2.13
1000+
￥0.9744 ￥2.03

有货

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40V、600mA PNP PB RET

型号：PBRP113ZT,215 编号：C551815

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP低VCEsat性能基（PB）带电阻晶体管（RET）。NPN互补型号为PBRN113ZT。

数据手册

1+
￥2.705 ￥5.41
10+
￥1.764 ￥4.41
30+
￥1.173 ￥3.91
100+
￥1.023 ￥3.41
500+
￥0.933 ￥3.11
1000+
￥0.888 ￥2.96

有货

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NPN 50V 10A

型号：2SD998 编号：C575842

封装：TO-3PML

品牌：SPTECH(深圳质超)

设计用于DC-直流转换器、应急照明逆变器和通用应用

数据手册

1+
￥6.0325 ￥6.35
10+
￥4.883 ￥5.14
30+
￥4.18 ￥4.4
90+
￥3.61 ￥3.8
510+
￥3.268 ￥3.44
1200+
￥3.0875 ￥3.25

有货

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DTC143XUA

型号：DTC143XUA 编号：C51315355

封装：SOT-323

品牌：CBI(创基)

50+
￥0.0604
500+
￥0.059
3000+
￥0.058

有货

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DTC123JCA

型号：DTC123JCA 编号：C51315348

封装：SOT-23

品牌：CBI(创基)

50+
￥0.1143
500+
￥0.0884
3000+
￥0.074

有货

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DTC143TUA

型号：DTC143TUA 编号：C51814162

封装：SOT-323

品牌：CBI(创基)

50+
￥0.1143
500+
￥0.0884
3000+
￥0.074

有货

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DTA143ECA

型号：DTA143ECA 编号：C51315328

封装：SOT-23

品牌：CBI(创基)

50+
￥0.1143
500+
￥0.0884
3000+
￥0.074

有货

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MMBTRA107SS

型号：MMBTRA107SS 编号：C51822272

封装：SOT-23

品牌：CBI(创基)

50+
￥0.1143
500+
￥0.0884
3000+
￥0.074

有货

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内置电阻的数字晶体管

型号：DTA143TE 编号：C51822189

封装：SOT-523

品牌：CBI(创基)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，便于设备设计

50+
￥0.1143
500+
￥0.0884
3000+
￥0.074

有货

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DTC144ECA

型号：DTC144ECA 编号：C47344290

封装：SOT-23

品牌：CBI(创基)

50+
￥0.1143
500+
￥0.0884
3000+
￥0.074

有货

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DTA143ZCA

型号：DTA143ZCA 编号：C51315331

封装：SOT-23

品牌：CBI(创基)

50+
￥0.1143
500+
￥0.0884
3000+
￥0.074

有货

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数字晶体管（内置电阻）

型号：DTA114TE 编号：C51814180

封装：SOT-523

品牌：CBI(创基)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路（参见等效电路）。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，便于设备设计

50+
￥0.1143
500+
￥0.0884
3000+
￥0.074

有货

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DTA114ECA

型号：DTA114ECA 编号：C51315319

封装：SOT-23

品牌：CBI(创基)

50+
￥0.1143
500+
￥0.0884
3000+
￥0.074

有货

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PNP硅外延平面晶体管，用于高电流开关、接口电路和驱动电路应用

型号：MMBTRA226S 编号：C51814183

封装：SOT-23

品牌：CBI(创基)

适用于高电流开关、接口电路和驱动电路应用。

50+
￥0.1143
500+
￥0.0884
3000+
￥0.074

有货

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NPN硅外延平面晶体管，用于开关、接口电路和驱动电路应用

型号：MMBTRC119SS 编号：C51814169

封装：SOT-23

品牌：CBI(创基)

用于开关、接口电路和驱动电路应用

50+
￥0.1143
500+
￥0.0884
3000+
￥0.074

有货

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