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首页 > 热门关键词 > 数字三极管
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该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中来消除它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-23 封装,专为低功率表面贴装应用而设计。
  • 50+

    ¥0.0525
  • 500+

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  • 3000+

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  • 该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中来消除它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-23 封装,专为低功率表面贴装应用而设计。
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  • 该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中来消除它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-23 封装,专为低功率表面贴装应用而设计。
    • 50+

      ¥0.0525
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      ¥0.0513
    • 3000+

      ¥0.0505
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置。 几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
    • 50+

      ¥0.0525
    • 500+

      ¥0.0513
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  • 该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中来消除它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-23 封装,专为低功率表面贴装应用而设计。
    • 50+

      ¥0.0525
    • 500+

      ¥0.0513
    • 3000+

      ¥0.0505
  • 有货
  • 这款数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-23 封装,专为低功率表面贴装应用而设计。
    • 50+

      ¥0.0525
    • 500+

      ¥0.0513
    • 3000+

      ¥0.0505
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。操作时只需设置开/关条件,便于设备设计
    • 50+

      ¥0.0563
    • 500+

      ¥0.055
    • 3000+

      ¥0.0541
    • 6000+

      ¥0.0533
  • 订货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
    数据手册
    • 20+

      ¥0.063011 ¥0.1703
    • 200+

      ¥0.036045 ¥0.1335
    • 600+

      ¥0.019227 ¥0.1131
    • 3000+

      ¥0.017153 ¥0.1009
    • 9000+

      ¥0.015351 ¥0.0903
    • 21000+

      ¥0.014382 ¥0.0846
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DTA)。 内置偏置电阻,R1 = R2。 也有无铅版本。应用:NPN型数字晶体管
    数据手册
    • 20+

      ¥0.07112 ¥0.1778
    • 200+

      ¥0.05576 ¥0.1394
    • 600+

      ¥0.04724 ¥0.1181
    • 3000+

      ¥0.04212 ¥0.1053
    • 9000+

      ¥0.03772 ¥0.0943
    • 21000+

      ¥0.03532 ¥0.0883
  • 有货
  • 这款数字晶体管为NPN型,具备稳定的电气性能,其设计集射极击穿电压(Vceo)最高可达50V,适用于多种电子控制场景。该晶体管能够承载的最大集电极电流(Ic)为30mA,适合用于信号放大及开关电路中,能够有效确保信号传输的准确性和电路工作的可靠性。在消费电子产品及日常电子设备的设计与制造中,此款晶体管是实现高效能电路功能的理想选择。
    • 20+

      ¥0.08307 ¥0.0923
    • 200+

      ¥0.08127 ¥0.0903
    • 600+

      ¥0.08001 ¥0.0889
    • 3000+

      ¥0.07884 ¥0.0876
  • 有货
    • 20+

      ¥0.0851
    • 200+

      ¥0.0831
    • 600+

      ¥0.0818
  • 有货
  • 这款数字晶体管为NPN型,具备50V的集射极击穿电压(Vceo),能够在较高电压的电路中可靠工作。其最大集电极电流(Ic)为30mA,适合用于信号放大和开关控制等场合。无论是作为放大器增强微弱信号,还是作为开关元件在数字电路中使用,该晶体管都能提供稳定且高效的性能表现。对于家庭自动化、消费电子产品或是教学实验中的电路设计,都是一个不错的选择。
    • 20+

      ¥0.08964 ¥0.0996
    • 200+

      ¥0.08766 ¥0.0974
    • 600+

      ¥0.0864 ¥0.096
    • 3000+

      ¥0.08505 ¥0.0945
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
    • 20+

      ¥0.0901
    • 200+

      ¥0.088
    • 600+

      ¥0.0866
    • 3000+

      ¥0.0852
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DTA)。 内置偏置电阻,R1≠R2。 也有无铅版本
    数据手册
    • 20+

      ¥0.09012 ¥0.2253
    • 200+

      ¥0.07068 ¥0.1767
    • 600+

      ¥0.05988 ¥0.1497
    • 3000+

      ¥0.0534 ¥0.1335
    • 9000+

      ¥0.0478 ¥0.1195
    • 21000+

      ¥0.04476 ¥0.1119
  • 订货
  • 这款数字晶体管为NPN型,具备50V的集射极击穿电压(Vceo),能够在较高电压的应用环境中保持稳定工作。其集电极电流(Ic)为50mA,适用于需要精确电流控制的应用,如消费电子产品的信号放大或开关功能。这种晶体管可以应用于各种小型电子设备中,实现信号增强或逻辑门电路的设计,是构建高性能电路的理想选择。
    • 20+

      ¥0.09036 ¥0.1004
    • 200+

      ¥0.08838 ¥0.0982
    • 600+

      ¥0.08703 ¥0.0967
    • 3000+

      ¥0.08577 ¥0.0953
  • 有货
  • 这款数字晶体管为NPN型,具有稳定的集射极击穿电压Vceo达50V,适用于多种电子线路中作为开关或放大元件。其集电极最大电流Ic可达100mA,适合用于驱动小型负载或在信号处理电路中作为电流放大器,确保了在各类消费电子产品中的可靠性能。
    • 20+

      ¥0.098624 ¥0.1072
    • 200+

      ¥0.096508 ¥0.1049
    • 600+

      ¥0.095036 ¥0.1033
    • 3000+

      ¥0.093564 ¥0.1017
  • 有货
  • 这款NPN数字晶体管,设计精妙,Vceo耐压50V,Ic电流0.03A,Pd功率0.1W,确保在紧凑空间内实现高效能。其稳定性和精确控制能力,使其成为数字电路设计中,信号放大与逻辑切换的理想组件。
    • 20+

      ¥0.102344 ¥0.1163
    • 200+

      ¥0.099968 ¥0.1136
    • 600+

      ¥0.098472 ¥0.1119
    • 2000+

      ¥0.096888 ¥0.1101
  • 有货
  • 这款数字晶体管属于NPN类型,具备50V的集射极击穿电压(Vceo),能够承受最大100mA的集电极电流(Ic),并且拥有200mW的功率耗散能力(Pd)。它适用于多种电子电路设计中,作为开关或放大元件使用,能够在各种消费电子产品和家用电器等非汽车与工业环境中发挥其优良性能。凭借其紧凑的设计和可靠的电气特性,该晶体管是实现高效、稳定电路功能的理想选择。
    • 20+

      ¥0.106128 ¥0.1206
    • 200+

      ¥0.103752 ¥0.1179
    • 600+

      ¥0.102256 ¥0.1162
    • 3000+

      ¥0.100672 ¥0.1144
  • 有货
  • 这款数字晶体管为NPN型,具备50V的集射极击穿电压(Vceo),能够在较高的电压条件下稳定工作,适用于多种电子设备中的信号放大与处理。其集电极电流(Ic)最大可达30mA,适合用于驱动小功率负载或执行开关功能。小巧的封装尺寸与出色的电气性能使其成为设计消费电子产品中逻辑控制电路和信号调节模块时的理想选择。
    • 20+

      ¥0.10737 ¥0.1193
    • 200+

      ¥0.10503 ¥0.1167
    • 600+

      ¥0.10341 ¥0.1149
    • 3000+

      ¥0.10188 ¥0.1132
  • 有货
  • 这款全新系列的数字晶体管旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管,这两个电阻分别是基极串联电阻和基极 - 发射极电阻。BRT 通过将这些分立元件集成到单个器件中,从而省去了这些元件
    数据手册
    • 2360+

      ¥0.114536
    • 5000+

      ¥0.109764
    • 10000+

      ¥0.104992
    这款数字晶体管属于NPN类型,拥有50V的集射极击穿电压(Vceo),能够有效地防止在高电压环境下出现的击穿现象,保证了使用的安全性。它支持的最大集电极电流(Ic)为50mA,适用于各种需要中等电流驱动的应用场景,如在消费电子产品的信号放大电路或开关电路中。该晶体管凭借其稳定的性能和可靠的电气参数,在电子设计中扮演着重要角色。
    • 20+

      ¥0.10956 ¥0.1245
    • 200+

      ¥0.107184 ¥0.1218
    • 600+

      ¥0.1056 ¥0.12
    • 3000+

      ¥0.103928 ¥0.1181
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
    数据手册
    • 20+

      ¥0.11016 ¥0.1377
    • 200+

      ¥0.0864 ¥0.108
    • 600+

      ¥0.0732 ¥0.0915
    • 3000+

      ¥0.06528 ¥0.0816
    • 9000+

      ¥0.0584 ¥0.073
    • 21000+

      ¥0.05472 ¥0.0684
  • 有货
  • 这款数字晶体管属于NPN型,其设计紧凑,适用于多种电子控制及信号放大的应用场景。该晶体管具有稳定的集射极击穿电压(Vceo)为50V,确保了在高压环境下工作的可靠性。同时,其最大集电极电流(Ic)可达50mA,适用于驱动小型负载或作为开关元件使用。凭借这些特性,此款晶体管是构建逻辑电路和信号处理模块的理想选择。
    • 20+

      ¥0.110704 ¥0.1258
    • 200+

      ¥0.108328 ¥0.1231
    • 600+

      ¥0.106656 ¥0.1212
    • 3000+

      ¥0.105072 ¥0.1194
  • 有货
  • 这款数字晶体管为NPN型,其设计适用于多种电子电路。它具有50V的集射极击穿电压(Vceo),能够有效防止在较高电压条件下发生击穿现象,保障了使用的安全性。晶体管支持最大100mA的集电极电流(Ic),适合于小功率应用中的信号放大或开关操作。该晶体管可以应用于消费电子产品中,如音频设备和个人电子产品的小信号处理,提供稳定且高效的性能表现。
    • 20+

      ¥0.110704 ¥0.1258
    • 200+

      ¥0.108328 ¥0.1231
    • 600+

      ¥0.106656 ¥0.1212
    • 3000+

      ¥0.105072 ¥0.1194
  • 有货
  • 这款数字晶体管为NPN型,具有稳固的性能表现。它拥有50V的集射极击穿电压(Vceo),能够有效防止电压过高导致的损坏。其集电极电流(Ic)可达100mA,适合用于要求不高且稳定的电流控制场合。此元件适用于消费电子产品中作为开关或小信号放大的基础组件,如在日常电子玩具、遥控装置以及家用电器的小型控制系统中发挥关键作用。
    • 20+

      ¥0.111848 ¥0.1271
    • 200+

      ¥0.109384 ¥0.1243
    • 600+

      ¥0.1078 ¥0.1225
    • 3000+

      ¥0.106128 ¥0.1206
  • 有货
  • 这款PNP型数字晶体管具有50V的集射极击穿电压(Vceo)和100mA的集电极电流(Ic)能力。它适用于需要稳定信号传输与处理的各种电子电路设计中,比如电源管理、信号放大及逻辑控制等场合。其可靠的电气特性和紧凑的设计使其成为消费电子产品、家用电器以及小型通信设备的理想组件。此外,该晶体管还表现出良好的热稳定性,确保在不同工作环境下都能保持一致性能。
    • 20+

      ¥0.114224 ¥0.1298
    • 200+

      ¥0.111672 ¥0.1269
    • 600+

      ¥0.11 ¥0.125
    • 3000+

      ¥0.108328 ¥0.1231
  • 有货
  • 适用于大电流开关、接口电路和驱动电路应用。
    • 50+

      ¥0.1166
    • 500+

      ¥0.0923
    • 3000+

      ¥0.0788
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
    • 20+

      ¥0.11816 ¥0.1477
    • 200+

      ¥0.09272 ¥0.1159
    • 600+

      ¥0.07856 ¥0.0982
    • 3000+

      ¥0.07 ¥0.0875
    • 9000+

      ¥0.06264 ¥0.0783
    • 21000+

      ¥0.05872 ¥0.0734
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1224
    • 200+

      ¥0.1197
    • 600+

      ¥0.1179
  • 有货
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