数字三极管_厂家_价格_品牌_库存

这款数字晶体管属于NPN型，具有稳定的电气特性，适用于多种电路设计中。其集射极间最大承受电压（Vceo）为50V，确保了在高压环境下工作的可靠性。同时，该晶体管的最大集电极电流（Ic）可达50mA，能够满足一般驱动需求，适用于信号放大及开关应用中，是构建逻辑门电路或小型电子项目的理想选择。

10+
￥0.179872 ￥0.2044
100+
￥0.175912 ￥0.1999
300+
￥0.17336 ￥0.197
1000+
￥0.17072 ￥0.194

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型号：KRC106S(NF) 编号：C118734

封装：SOT-23

品牌：ST(先科)

NPN,带电阻

20+
￥0.1863
200+
￥0.1474
600+
￥0.1258

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型号：DTC123EKAT146 编号：C525567

封装：TO-236-3(SOT-23-3)

特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 2.2kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作时只需设置开/关条件，使电路设计更简单。互补PNP类型。应用：反相器。接口

数据手册

20+
￥0.1872
200+
￥0.1473
600+
￥0.1251

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型号：HDTC143ZCAT116 编号：C42389370

封装：SOT-23

这款数字晶体管属于单个NPN-预偏置类型，其设计具备稳定的性能和广泛的适用性。该晶体管的最大集射极击穿电压（Vceo）为50V，能够有效地防止因过压而导致的损坏。其最大集电极电流（Ic）可达100mA，适用于驱动各类小型电子设备或电路中的信号放大。此外，该晶体管的功率耗散（Pd）为246mW，在确保功能的同时兼顾了能效，适用于多种电子项目的开发与集成，如家庭自动化、消费电子产品中的信号开关或逻辑门电路等。

10+
￥0.189112 ￥0.2149
100+
￥0.184976 ￥0.2102
300+
￥0.18216 ￥0.207
1000+
￥0.179432 ￥0.2039

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型号：DTC143ZE-TP 编号：C3589111

封装：SOT-523

品牌：MCC(美微科)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。操作只需设置开/关条件，便于设备设计。无卤“绿色”器件。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无铅涂层，符合RoHS标准

数据手册

20+
￥0.1919
200+
￥0.1512
600+
￥0.1286

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型号：DTC143TCA 编号：C968339

封装：SOT-23

DTC143TCA-F2-0000HF

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20+
￥0.1937
200+
￥0.1559
600+
￥0.1349

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型号：LDTC123JET1G 编号：C5273215

封装：SC-89

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：简化电路设计。减少电路板空间和元件数量。产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

20+
￥0.1983
200+
￥0.1551
600+
￥0.1311
3000+
￥0.1167
9000+
￥0.1042
21000+
￥0.0975

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型号：PDTC144WT,215 编号：C168869

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

NPN 电阻型晶体管（封装详情见“简化外形、符号和引脚”）。

数据手册

20+
￥0.2003
200+
￥0.1554
600+
￥0.1305
3000+
￥0.1156
9000+
￥0.1026
21000+
￥0.0956

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型号：DTC143EE 编号：C968337

封装：SOT-523

DTC143EE-F2-0000HF

数据手册

20+
￥0.203
200+
￥0.163
600+
￥0.1408

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型号：DTC043TMT2L 编号：C2941609

封装：SOT-723

特性：内置偏置电阻，R₁ = 4.7kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作时只需设置开/关条件，使电路设计变得容易。互补PNP类型：DTA043T系列。应用：反相器。接口

数据手册

20+
￥0.2067
200+
￥0.1673
600+
￥0.1454

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型号：KRC402E-RTK/P 编号：C5299998

封装：ESM

品牌：KEC

特性：内置偏置电阻。简化电路设计。减少零件数量和制造工艺。高封装密度。后缀 U：符合 AFC-Q101。应用：开关应用。接口电路

数据手册

20+
￥0.207
200+
￥0.1643
600+
￥0.1405

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型号：DTC124ESA 编号：C19269142

封装：TO-92S

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，使设备设计变得简单

20+
￥0.2078
200+
￥0.1603
1000+
￥0.1339

有货

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型号：DTA124EKAT146 编号：C111714

封装：TO-236-3(SOT-23-3)

特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 22kΩ。内置偏置电阻可配置逆变器电路，无需连接外部输入电阻。仅需设置开/关条件即可运行，使电路设计简单。互补NPN类型。应用：逆变器。接口

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20+
￥0.2098
200+
￥0.1612
600+
￥0.1342

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型号：DTC143TUAT106 编号：C2981765

封装：SOT-323

特性：内置偏置电阻。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，且完全消除寄生效应。操作只需设置开/关条件，使电路设计简单。无铅/符合RoHS标准。应用：开关电路。反相器电路

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20+
￥0.213
200+
￥0.168
600+
￥0.143

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型号：MUN5233T1G 编号：C177206

封装：SC-70(SOT-323)

这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管；一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。

数据手册

20+
￥0.2188
200+
￥0.1738
600+
￥0.1488
3000+
￥0.1267
9000+
￥0.1137
21000+
￥0.1067

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型号：PUMD10,115 编号：C454998

封装：TSSOP-6(SOT-363)

品牌：Nexperia(安世)

NPN/PNP双电阻晶体管（RET），采用非常小的SOT363（SC-88）表面贴装器件（SMD）塑料封装。PNP/PNP互补型号：PUMB10；NPN/NPN互补型号：PUMH10

数据手册

20+
￥0.2292
200+
￥0.1778
600+
￥0.1493
3000+
￥0.1322
9000+
￥0.1174
21000+
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型号：HRN1306LF 编号：C42389354

封装：SOT-323(SC-70)

这款数字晶体管为NPN类型，其集射极击穿电压（Vceo）为50V，能够在多种电子设备中提供可靠的高电压隔离性能。集电极最大电流（Ic）为100mA，适用于信号放大以及开关电路设计。无论是音频处理还是逻辑电平转换等应用场景，此款晶体管都能提供稳定且高效的性能表现，是电子爱好者和设计工程师的理想选择。

10+
￥0.22995 ￥0.2555
100+
￥0.22491 ￥0.2499
300+
￥0.22158 ￥0.2462
1000+
￥0.21816 ￥0.2424

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型号：HKRC860U 编号：C42389369

封装：SOT-363

这款数字晶体管采用NPN+NPN双晶体管配置，具有50V的集射极击穿电压(Vceo)，支持最大100mA的集电极电流(Ic)，以及150mW的功率耗散(Pd)。适用于构建紧凑型电子电路，在消费电子产品、家用电器等领域中作为开关或放大元件使用。其稳定的电气性能和高效的能量转换能力使其成为实现电路设计需求的理想选择。

5+
￥0.23408 ￥0.266
50+
￥0.228976 ￥0.2602
150+
￥0.225544 ￥0.2563
500+
￥0.222112 ￥0.2524

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型号：DTC144EE 编号：C968347

封装：SOT-523

DTC144EE-F2-0000HF

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20+
￥0.2388
200+
￥0.1902
600+
￥0.1632

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型号：DTC114YUA 编号：C20600489

封装：SOT-323(SC-70)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级1。内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。表面贴装封装，非常适合自动插入。 NPN

20+
￥0.2388
200+
￥0.1902
600+
￥0.1632

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型号：DDTC114ECA-7-F 编号：C260852

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。有互补PNP类型（DDTA）。内置偏置电阻，R1 = R2。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤和无锑的“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

数据手册

20+
￥0.2437
200+
￥0.1957
600+
￥0.1691

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型号：DTC115EUAFRAT106 编号：C308689

封装：SOT-323-3

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10+
￥0.2439
100+
￥0.1951
300+
￥0.1708

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型号：MUN5214T1G 编号：C176704

封装：SC-70(SOT-323)

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管；一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。

数据手册

87000+
￥0.11256
261000+
￥0.10787
783000+
￥0.105056
1044000+
￥0.10318

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型号：PDTC143ZM,315 编号：C552217

封装：SOT-883-3

品牌：Nexperia(安世)

NPN 电阻式晶体管，采用表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

10+
￥0.266
100+
￥0.2084
300+
￥0.1796
1000+
￥0.158
5000+
￥0.1408
10000+
￥0.1321

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型号：HRN1101LXHF 编号：C42389360

封装：SOT-523

该数字晶体管为NPN型结构，适用于各类信号处理与开关控制电路。其集射极击穿电压（Vceo）为50V，可支持较高电压环境下的稳定工作。最大集电极电流为100mA，适合中低电流应用需求。器件的额定功率为150mW，具备良好的热稳定性与可靠性。广泛应用于消费类电子产品、通信设备及便携式装置中的逻辑控制、驱动电路与信号放大等场景。

10+
￥0.26757 ￥0.2973
100+
￥0.21312 ￥0.2368
300+
￥0.18594 ￥0.2066
3000+
￥0.16551 ￥0.1839
6000+
￥0.14913 ￥0.1657
9000+
￥0.14103 ￥0.1567

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型号：MUN5211T1G 编号：C119039

封装：SC-70(SOT-323)

此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。

数据手册

10+
￥0.2795
100+
￥0.2252
300+
￥0.198

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型号：DTC124EUAFRAT106 编号：C308691

封装：SOT-323

特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 22kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。仅需设置开/关条件即可操作，使电路设计简单。互补PNP类型。应用：反相器。接口

数据手册

10+
￥0.2842
100+
￥0.2218
300+
￥0.1906

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型号：MMUN2212LT1G 编号：C232612

封装：SOT-23