数字三极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-363

BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管：一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中来消除它们。SOT-363 封装中包含两个 BRT 器件，非常适合电路板空间有限的低功耗表面贴装应用。

20+
￥0.215
200+
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600+
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型号：MMUN5233DW 编号：C21714286

封装：SOT-363

品牌：CBI(创基)

BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管：一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中消除了它们。SOT-363封装非常适合电路板空间有限的低功率表面贴装应用。

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型号：DTA114YETL 编号：C24120

封装：SOT-523-3

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻，R1 = 10kΩ，R2 = 47kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作时只需设置开/关条件，使电路设计更简单。互补NPN类型。应用：反相器。接口

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20+
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型号：MUN5335DW1T1G 编号：C99680

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省板空间。

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10+
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型号：DTC143ZE 编号：C968344

封装：SOT-523

品牌：YANGJIE(扬杰)

DTC143ZE-F2-0000HF

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20+
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￥0.181
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型号：LMUN5213DW1T1G 编号：C2846994

封装：SC-88

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：简化电路设计。减少电路板空间。减少元件数量。产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力

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20+
￥0.2326
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型号：DDTC115ECA-7-F 编号：C460198

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。有互补PNP类型（DDTA）。内置偏置电阻，R1 = R2。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤和无锑的“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

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20+
￥0.2377
200+
￥0.1875
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型号：UMH3N 编号：C51315483

封装：SOT-363

品牌：CBI(创基)

10+
￥0.2493
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型号：S-LDTB123YLT1G 编号：C5368877

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。操作只需设置开/关条件，便于设备设计。产品材料符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。应用：逆变器。接口

数据手册

10+
￥0.2556
100+
￥0.2053
300+
￥0.1802
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型号：DTC144EET1G 编号：C242410

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省板空间。

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10+
￥0.2572
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￥0.2005
300+
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型号：HRN1101LXHF 编号：C42389360

封装：SOT-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该数字晶体管为NPN型结构，适用于各类信号处理与开关控制电路。其集射极击穿电压（Vceo）为50V，可支持较高电压环境下的稳定工作。最大集电极电流为100mA，适合中低电流应用需求。器件的额定功率为150mW，具备良好的热稳定性与可靠性。广泛应用于消费类电子产品、通信设备及便携式装置中的逻辑控制、驱动电路与信号放大等场景。

10+
￥0.25983 ￥0.2887
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￥0.20538 ￥0.2282
300+
￥0.1782 ￥0.198
3000+
￥0.15777 ￥0.1753
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￥0.14148 ￥0.1572
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型号：DTC114YEBTL 编号：C2898990

封装：SOT-416FL

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻，R1 = 10kΩ，R2 = 47kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作时仅需设置开/关条件，使电路设计更简单。互补PNP类型：DTA114Y系列。应用：反相器。接口

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20+
￥0.261
200+
￥0.2143
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￥0.1883
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型号：PUMH4,115 编号：C455002

封装：TSSOP-6(SOT-363)

品牌：Nexperia(安世)

NPN/NPN 电阻型晶体管（封装详情见“简化外形、符号和引脚排列”）。

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10+
￥0.2643
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型号：PDTC123JU,115 编号：C552181

封装：SOT-323

品牌：Nexperia(安世)

采用小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN带阻晶体管（RET）系列。

数据手册

20+
￥0.2664
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型号：PUMH24,115 编号：C553538

封装：SOT-363

品牌：Nexperia(安世)

配备电阻的NPN/NPN晶体管（RET）。

数据手册

10+
￥0.2731
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￥0.22
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型号：DTC114YUAQ 编号：C20600490

封装：SOT-323(SC-70)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级1。内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。只需设置开/关条件即可操作，使电路设计更简单。简化电路设计。减少电路板空间。应用：控制IC输入。开关负载

10+
￥0.2759
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￥0.2216
300+
￥0.1945

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型号：DDTD123EC-7-F 编号：C526550

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。有互补PNP类型（DDTB）。内置偏置电阻。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.28196 ￥0.4028
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￥0.19344 ￥0.3224
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￥0.14105 ￥0.2821
3000+
￥0.12595 ￥0.2519
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￥0.1139 ￥0.2278
9000+
￥0.10785 ￥0.2157

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型号：HMUN2233T1G 编号：C42389347

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN型数字晶体管拥有50V的集射极击穿电压（Vceo），支持最大100mA的集电极电流（Ic），功率耗散能力为200mW。它适用于需要精确控制和稳定性能的各种电子电路，如信号放大、开关控制等。该晶体管在处理低至中等功率需求的应用中表现出色，是设计者构建高效、紧凑型电子设备的理想选择。

10+
￥0.28872 ￥0.3208
100+
￥0.22824 ￥0.2536
300+
￥0.198 ￥0.22
3000+
￥0.17532 ￥0.1948
6000+
￥0.15714 ￥0.1746
9000+
￥0.14805 ￥0.1645

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型号：UMA5N 编号：C19269043

封装：SOT-353

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：一个封装中包含两个DTA123J芯片。标记：A5

10+
￥0.3002
100+
￥0.2342
300+
￥0.2012

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型号：HKRC406ERTKP 编号：C42389345

封装：SOT-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该数字晶体管采用NPN结构，具备50V的集射极击穿电压（Vceo），能够承受最大100mA的集电极电流（Ic），其功率耗散能力达到150mW。这款晶体管适用于多种电子电路设计中，如开关、放大器等，能够提供可靠的性能和长久的使用寿命。在信号处理或需要低至中等电流控制的应用场景下，它是一个理想的选择。

10+
￥0.302896 ￥0.3442
100+
￥0.239448 ￥0.2721
300+
￥0.20768 ￥0.236
3000+
￥0.18392 ￥0.209
6000+
￥0.164912 ￥0.1874
9000+
￥0.15532 ￥0.1765

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型号：UMF5NTR 编号：C266254

封装：SOT-363

品牌：ROHM(罗姆)

特性：功率开关电路集成在单个封装中。可将安装成本和面积减半。应用：电源管理电路

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5+
￥0.307496 ￥0.8092
50+
￥0.182224 ￥0.6508
150+
￥0.102888 ￥0.5716
500+
￥0.092196 ￥0.5122
3000+
￥0.083646 ￥0.4647
6000+
￥0.079362 ￥0.4409

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型号：HRN1302LF 编号：C42389355

封装：SOT-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款数字晶体管属于NPN型，具有稳定的电气特性，适用于多种电路设计中。其集射极间最大承受电压（Vceo）为50V，确保了在高压环境下工作的可靠性。同时，该晶体管的最大集电极电流（Ic）可达50mA，能够满足一般驱动需求，适用于信号放大及开关应用中，是构建逻辑门电路或小型电子项目的理想选择。

10+
￥0.314512 ￥0.3574
100+
￥0.248688 ￥0.2826
300+
￥0.215688 ￥0.2451
3000+
￥0.19096 ￥0.217
6000+
￥0.171248 ￥0.1946
9000+
￥0.161304 ￥0.1833

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型号：UMH10N 编号：C3031937

封装：SOT-363

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：一个封装中包含两个DTC123J芯片。可使用SOT-363自动贴装机进行贴装。晶体管元件相互独立，消除干扰。可将贴装成本和面积降低一半

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10+
￥0.3209
100+
￥0.2571
300+
￥0.2251
3000+
￥0.2011
6000+
￥0.182
9000+
￥0.1724

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型号：HDTC143ZCAT116 编号：C42389370

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款数字晶体管属于单个NPN-预偏置类型，其设计具备稳定的性能和广泛的适用性。该晶体管的最大集射极击穿电压（Vceo）为50V，能够有效地防止因过压而导致的损坏。其最大集电极电流（Ic）可达100mA，适用于驱动各类小型电子设备或电路中的信号放大。此外，该晶体管的功率耗散（Pd）为246mW，在确保功能的同时兼顾了能效，适用于多种电子项目的开发与集成，如家庭自动化、消费电子产品中的信号开关或逻辑门电路等。

10+
￥0.330704 ￥0.3758
100+
￥0.261448 ￥0.2971
300+
￥0.226776 ￥0.2577
3000+
￥0.200816 ￥0.2282
6000+
￥0.180048 ￥0.2046
9000+
￥0.169576 ￥0.1927

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型号：DDTC115GCA-7-F 编号：C526535

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。有互补PNP类型（DDTA）。内置偏置电阻，仅R2。无铅、无卤素和无锑，符合RoHS标准的“绿色”器件

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10+
￥0.3321
100+
￥0.2657
300+
￥0.2325

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型号：DDTA114EE-7-F 编号：C5448340

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补NPN类型。内置偏置电阻，R1 = R2。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。封装：SOT523。封装材料：模塑塑料，“绿色”模塑料。 UL阻燃等级：94V-0。湿度敏感度：根据J-STD-020为1级。引脚：表面处理为哑光镀锡引线，可根据MIL-STD-202方法208焊接。重量：约0.002克

10+
￥0.352
100+
￥0.28
300+
￥0.244

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型号：S-LDTD114ELT1G 编号：C5368878

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，便于设备设计。产品材料符合RoHS要求。带有S前缀的产品适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。应用：逆变器。接口

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