数字三极管_厂家_价格_品牌_库存

特性：外延平面管芯结构。有互补PNP类型（DDTA）。内置偏置电阻，R1 = R2。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤和无锑的“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

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10+
￥0.3023
100+
￥0.2418
300+
￥0.2116
3000+
￥0.1889

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型号：HUMH9NTN 编号：C22461935

封装：SOT-363

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此双NPN结构数字晶体管，性能均衡，50V Vceo耐压，0.07A Ic电流，0.15W Pd功率，展现稳定高效特性。适用于精细电路设计，提供精准信号控制与放大，是现代电子设备中不可或缺的智能元件。

10+
￥0.30774 ￥0.3345
100+
￥0.24334 ￥0.2645
300+
￥0.211048 ￥0.2294
3000+
￥0.186852 ￥0.2031
6000+
￥0.167532 ￥0.1821
9000+
￥0.157872 ￥0.1716

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型号：RN1302,LXGF 编号：C22385523

封装：SOT-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有广泛电阻范围的晶体管，以适应各种电路设计。与RN2301至RN2306互补。应用：开关。逆变器电路

10+
￥0.3295
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￥0.2575
300+
￥0.2215

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型号：RN2405,LF 编号：C7421324

封装：SOT-346

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有广泛电阻范围的晶体管，以适应各种电路设计。与RN1401至RN1406互补。应用：开关。逆变器电路

10+
￥0.3397
100+
￥0.2647
300+
￥0.2273

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型号：UMH13N-TP 编号：C19996706

封装：SOT-363

品牌：MCC(美微科)

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10+
￥0.3614
100+
￥0.2891
300+
￥0.253

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型号：DDTC143XCA-7-F 编号：C526542

封装：SOT-23

特性：外延平面管芯结构。有互补PNP类型（DDTA）。内置偏置电阻，R1≠R2。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。可提供PPAP文件

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10+
￥0.3624
100+
￥0.2884
300+
￥0.2514

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型号：DDTC143XUA-7-F 编号：C460046

封装：SOT-323

特性：外延平面管芯结构。内置偏置电阻。适合自动组装的表面贴装封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件

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10+
￥0.366699 ￥0.3943
100+
￥0.265932 ￥0.3204
300+
￥0.206955 ￥0.2835
3000+
￥0.186734 ￥0.2558
6000+
￥0.170528 ￥0.2336
9000+
￥0.162498 ￥0.2226

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型号：SMMUN2114LT1G 编号：C894364

封装：SOT-23

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管；一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中来消除它们。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。

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10+
￥0.378231 ￥0.4557
100+
￥0.266231 ￥0.3647
300+
￥0.201033 ￥0.3191
3000+
￥0.17955 ￥0.285
6000+
￥0.162351 ￥0.2577
9000+
￥0.15372 ￥0.244

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型号：DCX114EU-7-F 编号：C460018

封装：SOT-363

特性：供电电压 VO = 50V。偏置电阻范围。表面贴装封装，适合自动组装。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

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10+
￥0.3796
100+
￥0.3037
300+
￥0.2658

有货

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型号：DCX115EU-7-F 编号：C5119958

封装：SOT-363

特性：供电电压 VO = 50V。偏置电阻范围。表面贴装封装，适合自动组装。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

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10+
￥0.3871
100+
￥0.3099
300+
￥0.2713

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型号：MUN5215DW1T1G 编号：C150239

封装：SOT-363

此系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。

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10+
￥0.4051
100+
￥0.3153
300+
￥0.2705
3000+
￥0.2368
6000+
￥0.2099
9000+
￥0.1964

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型号：DDTC143XE-7-F 编号：C5205159

封装：SOT-523

特性：外延平面管芯结构。有互补PNP类型（DDTA）。内置偏置电阻，R1≠R2。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

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10+
￥0.4096
100+
￥0.3413
300+
￥0.3071

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型号：DDA143TU-7-F 编号：C2978921

封装：SOT-363

特性：外延平面芯片结构。提供互补NPN类型。内置偏置电阻。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

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10+
￥0.4202
100+
￥0.3362
300+
￥0.2942

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型号：RN1403(TE85L,F) 编号：C5381790

封装：SOT-346

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。集成偏置电阻减少了所需的外部零件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有广泛电阻范围的晶体管，以适应各种电路设计。与RN2401至RN2406互补。应用：开关。逆变器电路

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10+
￥0.4324
100+
￥0.346
300+
￥0.3028

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型号：DDTC123JCA-7-F 编号：C145108

封装：SOT-23

特性：外延平面管芯结构。有互补PNP类型（DDTA）。内置偏置电阻，R1≠R2。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。可提供PPAP文件

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10+
￥0.4325
100+
￥0.3436
300+
￥0.2992

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型号：DTD543ZETL 编号：C5157674

封装：SOT-416

品牌：ROHM(罗姆)

特性：VcE(sat)低于传统产品。内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。应用：反相器。接口

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10+
￥0.466
100+
￥0.3729
300+
￥0.3264

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型号：UMD2NTR 编号：C510058

封装：SOT-363

品牌：ROHM(罗姆)

特性：DTA124E芯片和DTC124E芯片采用EMT、UMT或SMT封装。可使用EMT3、UMT3或SMT3自动贴装机进行贴装。晶体管元件相互独立，消除干扰。可将安装成本和面积减半。应用：逆变器。接口

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5+
￥0.4957
50+
￥0.3863
150+
￥0.3317
500+
￥0.2907

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型号：BCR22PN 编号：C3588793

封装：SOT-363

品牌：DIOTEC(德欧泰克)

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5+
￥0.5337
50+
￥0.4277
150+
￥0.3747
500+
￥0.3349

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型号：SMUN5211DW1T1G 编号：C463894

封装：SOT-363

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。

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5+
￥0.7851
50+
￥0.615
150+
￥0.53
500+
￥0.4663

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型号：PUMB15,115 编号：C553491

封装：SOT-363

品牌：Nexperia(安世)

PNP/PNP双电阻晶体管（RET），采用表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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5+
￥1.1067 ￥2.2134
50+
￥0.70452 ￥1.7613
150+
￥0.47028 ￥1.5676
500+
￥0.39777 ￥1.3259
3000+
￥0.36546 ￥1.2182
6000+
￥0.34608 ￥1.1536

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型号：NSBC144EF3T5G 编号：C896405

封装：SOT-1123

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中，从而减少了它们的使用。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。

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5+
￥1.2262
50+
￥0.9735
150+
￥0.8651
500+
￥0.73

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型号：UMD3N-TP 编号：C19996702

封装：SOT-363

品牌：MCC(美微科)

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5+
￥2.2239
50+
￥1.7935
150+
￥1.6091
500+
￥1.3789
3000+
￥1.2764

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型号：DTC124EUBTL 编号：C123000

封装：SOT-323FL

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 22kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。仅需设置开/关条件即可操作，使电路设计更简单。互补PNP类型。应用：反相器。接口

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20+
￥0.045045 ￥0.1001
200+
￥0.03416 ￥0.0976
600+
￥0.023975 ￥0.0959
3000+
￥0.02355 ￥0.0942

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型号：DTA143TUA 编号：C51814164

封装：SOT-323

品牌：CBI(创基)

50+
￥0.057
500+
￥0.0557
3000+
￥0.0547

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型号：MUN2235-DW 编号：C49195049

封装：SOT-23

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中来消除它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-23 封装，专为低功率表面贴装应用而设计。

50+
￥0.1002
500+
￥0.0786
3000+
￥0.0666

有货

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型号：MUN2233-DW 编号：C49194797

封装：SOT-23

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中来消除它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-23 封装，专为低功率表面贴装应用而设计。

50+
￥0.1002
500+
￥0.0786
3000+
￥0.0666

有货

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型号：MUN2212-DW 编号：C49195053

封装：SOT-23

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中来消除它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-23 封装，专为低功率表面贴装应用而设计。

50+
￥0.1002
500+
￥0.0786
3000+
￥0.0666

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型号：MUN2211-DW 编号：C49195051

封装：SOT-23

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中来消除它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-23 封装，专为低功率表面贴装应用而设计。

50+
￥0.1002
500+
￥0.0786
3000+
￥0.0666

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型号：MUN2232-DW 编号：C49195050

封装：SOT-23

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中来消除它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-23 封装，专为低功率表面贴装应用而设计。

50+
￥0.1002
500+
￥0.0786
3000+
￥0.0666

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型号：MMUN2233LT1G-DW 编号：C49194798

封装：SOT-23