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首页 > 热门关键词 > 美台三极管
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特性:BVCEO >-40V。 最大连续集电极电流 Ic =-3A。 峰值脉冲电流 IcM =-10A。 低等效导通电阻,RCE(SAT) = 58mΩ。 低饱和电压(1A 时最大-200mV)。 高达 5A 的 hFE 特性,实现高电流增益保持。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,可靠性高。 具备生产件批准程序 (PPAP) 能力
数据手册
  • 单价:

    ¥2.616421 / 个
特性:集电极-发射极电压(VCEO):100V。 连续电流:2A。 低饱和电压。 总功率(Ptot):1W
数据手册
  • 35+

    ¥2.174627
  • 100+

    ¥1.86852
  • 500+

    ¥1.640526
  • 1000+

    ¥1.557836
特性:BVCEO = -200V。 IC = -0.3A,高连续电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -200mV @ -0.1A。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
数据手册
  • 单价:

    ¥1.310959 / 个
特性:BVCEO > 50V。 连续集电极电流 IC = 2A。 功率耗散 625mW。 低饱和电压:VCE(sat) < 200mV @ 1A。 RCE(sat) = 68mΩ,低等效导通电阻。 hFE 特性高达 6A,高电流增益保持。应用:MOSFET 栅极驱动。 DC-DC / DC-AC 转换器
数据手册
  • 单价:

    ¥1.878492 / 个
特性:BVCEO > 75V。 IC = 4.5A 高连续集电极电流。 ICM = 10A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < 120mV @ 1A。 hFE > 300 @ IC = 1A 以实现高增益保持。 RCE(sat) = 78mΩ @ 4.5A 以实现低等效导通电阻。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑。“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,具有高可靠性
数据手册
  • 单价:

    ¥2.721055 / 个
特性:BVCEO > 100V。 hFE指定高达4A,以保持高电流增益。 低轮廓0.6mm高封装,适用于薄型应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 本产品符合JEDEC标准,具有高可靠性。应用:DC-DC转换器。 充电电路
  • 单价:

    ¥0.806639 / 个
  • 单价:

    ¥1.4445 / 个
  • 3000+

    ¥0.3528
  • 6000+

    ¥0.34692
  • 12000+

    ¥0.3381
  • 24000+

    ¥0.3234
特性:超小型无铅表面贴装封装。 ESD:HBM 8kV,MM 400V。 最大峰值集电极电流 3.0A。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
数据手册
  • 单价:

    ¥0.168 / 个
特性:BVCEO > 50V。 IC = 150mA 高集电极电流。 超小表面贴装封装。 有互补 PNP 类型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEO-Q101 高可靠性标准
数据手册
  • 35+

    ¥0.228128
  • 70+

    ¥0.220648
  • 140+

    ¥0.216908
  • 280+

    ¥0.205689
  • 15+

    ¥0.585051
  • 30+

    ¥0.565869
  • 60+

    ¥0.556278
  • 120+

    ¥0.527505
特性:NPN与PNP互补。 BVCEO > 45V。 IC = 100mA,高集电极电流。 PD = 300mW,功率耗散。 1mm²封装尺寸,比SOT23小5倍。 0.5mm封装高度,减少板外轮廓。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高
数据手册
  • 单价:

    ¥0.345856 / 个
  • 3000+

    ¥0.5424
  • 6000+

    ¥0.53336
  • 12000+

    ¥0.5198
  • 24000+

    ¥0.4972
  • 1+

    ¥0.8323
  • 10+

    ¥0.8146
  • 30+

    ¥0.8028
  • 100+

    ¥0.791
  • 订货
  • 特性:BVCEO > 45V, 60V & 80V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < 500mV @ 0.5A。 增益组 10 和 16。 外延平面芯片结构。应用:中功率开关或放大应用。 音频驱动和输出级
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.883591 / 个
    特性:外延平面管芯结构。 低集电极-发射极饱和电压。 低集电极-发射极饱和电压,VCE(SAT)。 有互补PNP类型(DSS5140U)。 超小型表面贴装封装。 设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色器件”
    数据手册
    • 15+

      ¥0.495259
    • 30+

      ¥0.479021
    • 60+

      ¥0.470902
    • 120+

      ¥0.446545
    • 10+

      ¥0.789084
    • 20+

      ¥0.762781
    • 40+

      ¥0.74963
    • 80+

      ¥0.723327
    • 15+

      ¥0.65688
    • 30+

      ¥0.634984
    • 60+

      ¥0.624036
    • 120+

      ¥0.60214
    特性:外延平面芯片结构。 适用于中功率放大和开关。 互补NPN类型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,环保产品
    • 5+

      ¥1.4488
    • 50+

      ¥1.1696
    • 150+

      ¥1.05
    • 500+

      ¥0.9007
    • 3000+

      ¥0.8009
    • 6000+

      ¥0.761
  • 订货
    • 2500+

      ¥0.649
    • 2500+

      ¥0.6325
    • 10000+

      ¥0.616
    • 10+

      ¥0.89286
    • 20+

      ¥0.863098
    • 40+

      ¥0.848217
    • 80+

      ¥0.818455
    特性:BVCEO > -40V。 连续集电极电流 IC = -2A。 峰值脉冲电流 ICM = -4A。 低等效导通电阻,RCE(sat) = 105mΩ。 在 -1A 时,低饱和电压 < -220mV。 高达 -6A 的 HFE 特性,用于高电流增益保持。应用:DC-DC 转换器。 电源管理功能
    数据手册
    • 3000+

      ¥1.1477
    • 9000+

      ¥1.11776
    特性:BVCEO > -20V。IC = -3.5A 连续集电极电流。RSAT = 64mΩ,低等效导通电阻。低饱和电压(-220mV @ -1A)。hFE 特性高达 -6A,保持高电流增益。双 NPN 节省空间和元件数量。应用:电池充电电路。负载断开开关
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.605 / 个
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