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首页 > 热门关键词 > 大功率晶体管
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操作
耐压:40V 电流:200mA NPN (hFE):300@10mA,1V
  • 50+

    ¥0.07866 ¥0.0874
  • 500+

    ¥0.06165 ¥0.0685
  • 3000+

    ¥0.0522 ¥0.058
  • 6000+

    ¥0.04653 ¥0.0517
  • 30000+

    ¥0.04158 ¥0.0462
  • 45000+

    ¥0.03897 ¥0.0433
  • 有货
  • 特性:高电压和高电流。出色的hFE线性度。与C1815互补
    数据手册
    • 100+

      ¥0.03363 ¥0.0354
    • 1000+

      ¥0.02964 ¥0.0312
    • 3000+

      ¥0.02527 ¥0.0266
    • 9000+

      ¥0.02394 ¥0.0252
    • 51000+

      ¥0.022705 ¥0.0239
    • 99000+

      ¥0.022135 ¥0.0233
  • 有货
  • 放大倍数300-400 100MA电流
    数据手册
    • 100+

      ¥0.03951 ¥0.0439
    • 1000+

      ¥0.03123 ¥0.0347
    • 3000+

      ¥0.02457 ¥0.0273
    • 9000+

      ¥0.02178 ¥0.0242
    • 51000+

      ¥0.01944 ¥0.0216
    • 99000+

      ¥0.01818 ¥0.0202
  • 有货
  • 该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    • 100+

      ¥0.0461
    • 1000+

      ¥0.0366
    • 3000+

      ¥0.0313
    • 9000+

      ¥0.0281
    • 51000+

      ¥0.0253
    • 99000+

      ¥0.0239
  • 有货
  • 放大倍数200-300 500MA电流
    数据手册
    • 50+

      ¥0.047215 ¥0.0497
    • 500+

      ¥0.036955 ¥0.0389
    • 3000+

      ¥0.029545 ¥0.0311
    • 6000+

      ¥0.026125 ¥0.0275
    • 24000+

      ¥0.02318 ¥0.0244
    • 51000+

      ¥0.021565 ¥0.0227
  • 有货
  • 放大倍数200-350 500MA电流
    • 100+

      ¥0.0484
    • 1000+

      ¥0.0376
    • 3000+

      ¥0.0316
    • 9000+

      ¥0.028
    • 51000+

      ¥0.0249
    • 99000+

      ¥0.0232
  • 有货
  • 特性:与MMBT5551互补
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0574
    • 500+

      ¥0.045
    • 3000+

      ¥0.0373
    • 6000+

      ¥0.0332
    • 24000+

      ¥0.0296
    • 51000+

      ¥0.0277
  • 有货
  • 特性:高密单元设计,实现低RDS(ON)。电压控制小信号开关。坚固可靠。高饱和电流能力
    数据手册
    • 50+

      ¥0.061
    • 500+

      ¥0.0492
    • 3000+

      ¥0.0376
    • 6000+

      ¥0.0337
    • 24000+

      ¥0.0303
    • 51000+

      ¥0.0284
  • 有货
  • 特性:与MMBT5401互补
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0615
    • 500+

      ¥0.049
    • 3000+

      ¥0.0408
    • 6000+

      ¥0.0366
    • 24000+

      ¥0.033
    • 51000+

      ¥0.0311
  • 有货
  • 特性:与BC846 互补。 非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用。 表面贴装器件
    数据手册
    • 50+

      ¥0.06688 ¥0.0704
    • 500+

      ¥0.05149 ¥0.0542
    • 3000+

      ¥0.04636 ¥0.0488
    • 6000+

      ¥0.04123 ¥0.0434
    • 24000+

      ¥0.036765 ¥0.0387
    • 51000+

      ¥0.03439 ¥0.0362
  • 有货
  • 特性:功率耗散:200mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值温度为260℃
    • 50+

      ¥0.069
    • 500+

      ¥0.054
    • 3000+

      ¥0.0457
    • 6000+

      ¥0.0407
    • 24000+

      ¥0.0364
    • 51000+

      ¥0.0341
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:hFE = 200(典型值),VCE = 6V,Ic = 1mA。 高电压:VCEO = 50V
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0776
    • 500+

      ¥0.062
    • 3000+

      ¥0.0504
    • 6000+

      ¥0.0451
    • 24000+

      ¥0.0406
  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET。应用:便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0818
    • 500+

      ¥0.064
    • 3000+

      ¥0.0598
    • 6000+

      ¥0.0539
    • 24000+

      ¥0.0487
    • 60000+

      ¥0.046
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100mA 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@4V,10mA
    数据手册
    • 50+

      ¥0.08379 ¥0.0882
    • 500+

      ¥0.07353 ¥0.0774
    • 3000+

      ¥0.062985 ¥0.0663
    • 6000+

      ¥0.059565 ¥0.0627
    • 24000+

      ¥0.05662 ¥0.0596
    • 51000+

      ¥0.055005 ¥0.0579
  • 有货
  • SOT-23 应用消费电子、工控通信、汽车电子等
    • 50+

      ¥0.08793 ¥0.0977
    • 500+

      ¥0.06849 ¥0.0761
    • 3000+

      ¥0.05769 ¥0.0641
    • 6000+

      ¥0.05121 ¥0.0569
    • 24000+

      ¥0.04554 ¥0.0506
    • 51000+

      ¥0.04248 ¥0.0472
  • 有货
  • 丝印HF
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1005
    • 500+

      ¥0.0802
    • 3000+

      ¥0.0671
    • 6000+

      ¥0.0603
    • 24000+

      ¥0.0544
    • 51000+

      ¥0.0513
  • 有货
  • 特性:与SS8550互补
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1009
    • 500+

      ¥0.0802
    • 3000+

      ¥0.0679
    • 6000+

      ¥0.0611
    • 24000+

      ¥0.0551
    • 51000+

      ¥0.0519
  • 有货
  • hfe=120~200
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1052
    • 500+

      ¥0.0846
    • 3000+

      ¥0.0694
    • 6000+

      ¥0.0626
    • 24000+

      ¥0.0566
    • 51000+

      ¥0.0534
  • 有货
  • 特性:ESD(HBM) 等级:2 kV。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 1.05Ω(典型值)(@ VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 1.15Ω(典型值)(@ VGS = 5.0V)。 -RDS(ON) = 1.2Ω(典型值)(@ VGS = 4.5V)。应用:高速开关
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1072
    • 500+

      ¥0.0829
    • 3000+

      ¥0.0694
    • 6000+

      ¥0.0613
    • 24000+

      ¥0.0543
    • 51000+

      ¥0.0505
  • 有货
  • 特性:适用于一般音频应用。 高集电极电流。 高电流增益。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型:BC807(PNP)
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1087
    • 500+

      ¥0.0864
    • 3000+

      ¥0.0724
    • 6000+

      ¥0.065
    • 24000+

      ¥0.0586
  • 有货
  • 特性:先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计,实现超低导通电阻
    数据手册
    • 50+

      ¥0.114336 ¥0.1191
    • 500+

      ¥0.094272 ¥0.0982
    • 3000+

      ¥0.07152 ¥0.0745
    • 6000+

      ¥0.0648 ¥0.0675
    • 24000+

      ¥0.05904 ¥0.0615
    • 51000+

      ¥0.055872 ¥0.0582
  • 有货
  • 2300采用沟槽处理技术设计,可实现极低的导通电阻,具备快速开关速度和更高的传输效率。这些特性相结合,使该设计成为适用于各种DC-DC应用的高效可靠器件。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.116
    • 200+

      ¥0.0879
    • 600+

      ¥0.0723
    • 9000+

      ¥0.0642
    • 21000+

      ¥0.0599
  • 有货
  • 应用:电池保护。负载开关。电源管理
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1336
    • 200+

      ¥0.1149
    • 600+

      ¥0.1045
    • 3000+

      ¥0.0983
    • 9000+

      ¥0.0929
    • 21000+

      ¥0.09
  • 有货
  • 特性:与MMST3906互补
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1364
    • 200+

      ¥0.1078
    • 600+

      ¥0.0919
    • 3000+

      ¥0.0824
    • 9000+

      ¥0.0741
    • 21000+

      ¥0.0696
  • 有货
  • N沟道,30V,0.1A,13Ω@2.5V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1385
    • 200+

      ¥0.1099
    • 600+

      ¥0.094
    • 3000+

      ¥0.0824
    • 9000+

      ¥0.0741
    • 21000+

      ¥0.0696
  • 有货
  • 特性:20V/-3A, RDS(ON) = 120mΩ(MAX) @VGS = -4.5V。 RDS(ON) = 150mΩ(MAX) @VGS = -2.5V。 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。 可靠耐用。 SOT-23表面贴装封装。应用:电源管理。 便携式设备和电池供电系统
    数据手册
    • 20+

      ¥0.15333 ¥0.1614
    • 200+

      ¥0.11742 ¥0.1236
    • 600+

      ¥0.097565 ¥0.1027
    • 3000+

      ¥0.08626 ¥0.0908
    • 9000+

      ¥0.075905 ¥0.0799
    • 21000+

      ¥0.070395 ¥0.0741
  • 有货
    • 20+

      ¥0.1667
    • 200+

      ¥0.1308
    • 600+

      ¥0.1108
    • 3000+

      ¥0.0988
    • 9000+

      ¥0.0884
  • 有货
  • 高密度电池设计,可实现极低的RDS。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.16749 ¥0.1861
    • 100+

      ¥0.14769 ¥0.1641
    • 300+

      ¥0.13779 ¥0.1531
    • 3000+

      ¥0.12276 ¥0.1364
    • 6000+

      ¥0.11682 ¥0.1298
    • 9000+

      ¥0.11385 ¥0.1265
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4.1A
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1746 ¥0.194
    • 100+

      ¥0.15435 ¥0.1715
    • 300+

      ¥0.14319 ¥0.1591
    • 3000+

      ¥0.12105 ¥0.1345
    • 6000+

      ¥0.1152 ¥0.128
    • 9000+

      ¥0.11214 ¥0.1246
  • 有货
  • 特性:驱动晶体管
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1786
    • 200+

      ¥0.1434
    • 600+

      ¥0.1239
    • 3000+

      ¥0.1027
    • 9000+

      ¥0.0926
    • 21000+

      ¥0.0871
  • 有货
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