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价格(含税)

库存

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1个P沟道耐压:30V 电流:12A

型号：AO4407 编号：C5224298

封装：SOP8

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V，-12A，9.5mΩ@10V,-12A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

5+
￥0.6482
50+
￥0.5483
150+
￥0.4984
500+
￥0.461
3000+
￥0.431
6000+
￥0.416

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:3.7A

型号：IRLML6402TR(UMW) 编号：C347504

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

数据手册

20+
￥0.226
200+
￥0.1725
600+
￥0.1428
3000+
￥0.1246
9000+
￥0.1092
21000+
￥0.1009

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:0.8A

型号：DMG1012T 编号：C2830301

封装：SOT-523

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

20+
￥0.232
200+
￥0.1805
600+
￥0.1519
3000+
￥0.1348
9000+
￥0.1199
21000+
￥0.1119

有货

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MMDT5401

型号：MMDT5401 编号：C53664499

封装：SOT-363

品牌：R+O(宏嘉诚)

20+
￥0.2359
200+
￥0.1879
600+
￥0.1639
3000+
￥0.1459
9000+
￥0.1315
21000+
￥0.1243

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：AO3416A 编号：C347499

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷。可在低至1.8V的栅极电压下工作。适用于负载开关或PWM应用。具备ESD保护。 VDS(V) = 20V。 ID = 6A(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 25mΩ(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 33mΩ(VGS = 2.5V)。 RDS(ON) < 51mΩ(VGS = 1.8V)

数据手册

20+
￥0.2569
200+
￥0.1985
600+
￥0.1661
3000+
￥0.1362
9000+
￥0.1193
21000+
￥0.1102

有货

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NPN 电流:1A 电压:60V

型号：BCX55-16 编号：C41375120

封装：SOT-89

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：与BCX51至BCX53互补。功率耗散为500mW。高稳定性和高可靠性。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最高峰值为260°C

10+
￥0.3515
100+
￥0.2779
300+
￥0.241
1000+
￥0.2134
5000+
￥0.1913
10000+
￥0.1803

有货

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HL2319

型号：HL2319 编号：C51953131

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

10+
￥0.3775
100+
￥0.3007
300+
￥0.2623
3000+
￥0.2335
6000+
￥0.2104
9000+
￥0.1989

有货

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NPN 电流:1A 电压:80V

型号：2SD1898 编号：C41375118

封装：SOT-89

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：与2SB1260互补。功率耗散：500mW。高稳定性和高可靠性。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃

10+
￥0.3994
100+
￥0.3182
300+
￥0.2775
1000+
￥0.2398
5000+
￥0.2154
10000+
￥0.2032

有货

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hFE:100-250 NPN 电流:1A 电压:80V

型号：BCX56-16 编号：C20069133

封装：SOT-89

品牌：R+O(宏嘉诚)

hFE:100-250，丝印:BL

10+
￥0.4022
100+
￥0.3302
300+
￥0.2942
1000+
￥0.2323
5000+
￥0.2107
10000+
￥0.1998

有货

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耐压:20V 电流:4.1A

型号：SI2323DS 编号：C5182044

封装：SOT-23-3

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥0.5187
50+
￥0.4039
150+
￥0.3465
500+
￥0.3034
3000+
￥0.2565
6000+
￥0.2393

有货

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2个P沟道耐压:30V 电流:5.3A

型号：APM4953(UMW) 编号：C5185739

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=-30V，ID =-5.3A（VGS = 10V）。 RDS(ON)<41mΩ（VGS =-10V）。 RDS(ON)<75mΩ（VGS =-4.5V）

数据手册

5+
￥0.5525
50+
￥0.4348
150+
￥0.376
500+
￥0.3319
3000+
￥0.2673
6000+
￥0.2497

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.3A

型号：AO3407A 编号：C15155

封装：SOT-23

P沟道,-30V,-4.3A,48mΩ@-10V

数据手册

5+
￥0.5595
50+
￥0.4494
150+
￥0.3927
500+
￥0.3461
3000+
￥0.2916
6000+
￥0.2806

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:50A

型号：MDD50N03D 编号：C5357578

封装：TO-252

品牌：MDD(辰达半导体)

应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

数据手册

20+
￥0.5742
200+
￥0.4622
600+
￥0.4062
2500+
￥0.3565
10000+
￥0.3229
20000+
￥0.306

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:12A

型号：AO4406A 编号：C2944312

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进沟槽技术，提供出色的RDS(ON)。低栅极电荷。栅极电压低至4.5V时可工作。 VDS = 30V。 ID = 12A。 RDS(ON) < 13mΩ（VGS = 10V）。应用：电池保护。其他开关应用

数据手册

5+
￥0.6433
50+
￥0.5113
150+
￥0.4453
500+
￥0.3958
3000+
￥0.2999
6000+
￥0.28

有货

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HB04N150S

型号：HB04N150S 编号：C49256776

封装：TO-252

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥0.7007
50+
￥0.5581
150+
￥0.4868
500+
￥0.4334
2500+
￥0.3906
5000+
￥0.3692

有货

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HB04N090S

型号：HB04N090S 编号：C49423996

封装：TO-252

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥0.8591
50+
￥0.6843
150+
￥0.5969
500+
￥0.5313
2500+
￥0.4789
5000+
￥0.4527

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:50A

型号：NCE6050KA 编号：C96013

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

N沟道MOSFET. VDS=60V, ID=50A. 导通电阻<20mR

数据手册

5+
￥1.4731
50+
￥1.1958
150+
￥1.0769
500+
￥0.9286
2500+
￥0.8625
5000+
￥0.8229

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:6A

型号：HT03P700S 编号：C49066900

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = -30V。 IO = -6A。 RDS(on)@VGS = -10V < 48mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 80mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

5+
￥1.8437
50+
￥1.4783
150+
￥1.3217
500+
￥1.1264
2500+
￥1.0394
5000+
￥0.9871

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:3A

型号：HT10N2H8S 编号：C49066911

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 100V。 ID = 3A。 RDS(on)@VGS = 10V < 200mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 220mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电源开关应用。硬开关和高频电路

5+
￥1.9348
50+
￥1.5326
150+
￥1.3602
500+
￥1.1452
2500+
￥1.0494
5000+
￥0.9919

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:9A

型号：HT04N200S 编号：C49066901

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 40V。ID = 9A。RDS(on)@VGS = 10V < 20mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

5+
￥2.2863
50+
￥1.8111
150+
￥1.6074
500+
￥1.3532
2500+
￥1.2401
5000+
￥1.1722

有货

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100V 10A

型号：HT10N550S 编号：C49424006

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 100 V。ID = 10 A。RDS(on)@VGS = 10 V < 30 mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。快速开关速度。应用：电信/服务器。DC/DC初级侧开关

5+
￥2.3639
50+
￥1.8725
150+
￥1.6619
500+
￥1.3992
2500+
￥1.2822
5000+
￥1.212

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:8A

型号：HT06P460S 编号：C49066909

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = -60V。 I₀ = -8A。 RDS(on)@VGS = -10V < 46mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 52mΩ。高功率和电流处理能力。用于超低Rdson的高密度单元设计。应用：电池保护。负载开关

1+
￥2.75
10+
￥2.18
30+
￥1.93
100+
￥1.63
500+
￥1.49
1000+
￥1.41

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:30A

型号：IRFP250MPBF 编号：C2676

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,30A,75mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.52
10+
￥3.88
25+
￥3.11
100+
￥2.74
400+
￥2.62
800+
￥2.55

有货

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HK12N030SG

型号：HK12N030SG 编号：C52204671

封装：TOLL-8

品牌：R+O(宏嘉诚)

1+
￥9.69
10+
￥8.07
30+
￥7.18
100+
￥6.17
500+
￥5.73
1000+
￥5.52

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:65A

型号：IRFP4227PBF 编号：C2690

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,65A,25mΩ@10V

数据手册

1+
￥10.81
10+
￥9.21
25+
￥8.2
100+
￥7.17
500+
￥6.71
1000+
￥6.5

有货

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NPN 电流:150mA 电压:50V

型号：2SC1815 编号：C727146

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

特性：功率耗散。标记：HF

数据手册

100+
￥0.034317 ￥0.0369
1000+
￥0.030318 ￥0.0326
3000+
￥0.025575 ￥0.0275
9000+
￥0.024273 ￥0.0261
51000+
￥0.023064 ￥0.0248
99000+
￥0.022506 ￥0.0242

有货

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PNP 电流:500mA 电压:25V

型号：S9012 编号：C916364

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

PNP硅外延平面晶体管

数据手册

100+
￥0.04016 ￥0.0502
1000+
￥0.03152 ￥0.0394
3000+
￥0.02552 ￥0.0319
9000+
￥0.02264 ￥0.0283
45000+
￥0.02008 ￥0.0251
90000+
￥0.01872 ￥0.0234

有货

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NPN 电流:100mA 电压:45V

型号：S9014 编号：C909750

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

耐压:45V 电流:100mA NPN (hFE):1000@1mA,5V

数据手册

50+
￥0.04716 ￥0.0524
500+
￥0.03771 ￥0.0419
3000+
￥0.0297 ￥0.033
6000+
￥0.02655 ￥0.0295
30000+
￥0.02385 ￥0.0265
45000+
￥0.02232 ￥0.0248

有货

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PNP 电流:500mA 电压:25V

型号：S9012 编号：C5204710

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW

数据手册

100+
￥0.0539
1000+
￥0.0431
3000+
￥0.0321
9000+
￥0.0285
51000+
￥0.0253
99000+
￥0.0236

有货

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NPN 电流:200mA 电压:40V

型号：MMBT3904 编号：C111113

封装：SOT-23

品牌：SHIKUES(时科)

特性：与MMBT3906互补。 SOT-23封装

数据手册

50+
￥0.05586 ￥0.0588
500+
￥0.044935 ￥0.0473
3000+
￥0.03572 ￥0.0376
6000+
￥0.03211 ￥0.0338
24000+
￥0.02888 ￥0.0304
51000+
￥0.027265 ￥0.0287

有货

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