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首页 > 热门关键词 > 大功率晶体管
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N-沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装
数据手册
  • 5+

    ¥0.5878
  • 50+

    ¥0.4668
  • 150+

    ¥0.4064
  • 500+

    ¥0.361
  • 3000+

    ¥0.3167
  • 6000+

    ¥0.2985
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=60V。 ID = -1.25A(VGS = -10V)。 RDS(ON)<340mΩ(VGS=-10V)。 RDS(ON)<550mΩ(VGS=-4.5V)。应用:负载功率开关。 接口
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2504
    • 100+

      ¥0.1964
    • 300+

      ¥0.1694
    • 3000+

      ¥0.1389
    • 6000+

      ¥0.1227
    • 9000+

      ¥0.1146
  • 有货
  • 本款消费级MOSFET采用TSSOP-8封装,集成双N沟道设计,额定电压20V,可承载6A连续电流。专为紧凑型、高能效电源开关及转换应用打造,适用于各类消费电子产品,提供出色的系统性能与稳定性表现。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.33696 ¥0.3744
    • 100+

      ¥0.28449 ¥0.3161
    • 300+

      ¥0.25821 ¥0.2869
    • 1000+

      ¥0.2385 ¥0.265
    • 5000+

      ¥0.17451 ¥0.1939
    • 10000+

      ¥0.16659 ¥0.1851
  • 有货
  • MOSFET,N-channel 30V/12V 5.8A VGS(th)=1.1V 29mΩ@5.8A&10V,SOT-23
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3678
    • 100+

      ¥0.303
    • 300+

      ¥0.2706
    • 3000+

      ¥0.1839
    • 6000+

      ¥0.1645
    • 9000+

      ¥0.1547
  • 有货
  • 先进的沟槽工艺技术,高密度单元设计,实现超低导通电阻,采用SOT-23-3L表面贴装封装。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4471
    • 100+

      ¥0.3679
    • 300+

      ¥0.3283
    • 3000+

      ¥0.2205
    • 6000+

      ¥0.1967
    • 9000+

      ¥0.1848
  • 有货
  • 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供出色的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.71098 ¥0.7484
    • 50+

      ¥0.572755 ¥0.6029
    • 150+

      ¥0.50369 ¥0.5302
    • 500+

      ¥0.45182 ¥0.4756
    • 2500+

      ¥0.39539 ¥0.4162
    • 5000+

      ¥0.37468 ¥0.3944
  • 有货
  • 特性:VDS = 30V。 ID = 70A。 RDS(on)@VGS = 10V < 6mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 9mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用:电池保护。 负载开关
    • 5+

      ¥0.89
    • 50+

      ¥0.7089
    • 150+

      ¥0.6184
    • 500+

      ¥0.5505
    • 2500+

      ¥0.4962
    • 5000+

      ¥0.469
  • 有货
  • N沟道,100V,17A,90mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0242
    • 50+

      ¥1.5352
    • 150+

      ¥1.3141
    • 500+

      ¥1.1168
    • 2000+

      ¥1.0626
    • 5000+

      ¥1.03
  • 有货
  • WSP4805是一款高性能沟槽式双P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSP4805符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩耐量(EAS)测试,具备完整的功能可靠性认证。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.2361
    • 10+

      ¥1.8066
    • 30+

      ¥1.6225
    • 100+

      ¥1.3928
    • 500+

      ¥1.2905
    • 1000+

      ¥1.0289
  • 有货
  • 特性:VDS = -30V。 ID = -15A。 RDS(on)@VGS = -10V < 25mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 42mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用:电池保护。 负载开关
    • 5+

      ¥2.2863
    • 50+

      ¥1.8111
    • 150+

      ¥1.6074
    • 500+

      ¥1.3532
    • 2500+

      ¥1.2401
    • 5000+

      ¥1.1722
  • 有货
  • P沟道,-60V,-26A,55mΩ@-4.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.98
    • 10+

      ¥2.39
    • 30+

      ¥2.11
    • 100+

      ¥1.85
    • 500+

      ¥1.59
    • 1000+

      ¥1.55
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%经过雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道,逻辑电平。 无铅镀锡,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥3.99
    • 10+

      ¥3.37
    • 30+

      ¥2.94
    • 100+

      ¥2.58
    • 500+

      ¥2.47
    • 1000+

      ¥2.4
  • 有货
  • N沟道,60V,100A,2.8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.19
    • 10+

      ¥5.42
    • 30+

      ¥4.68
    • 100+

      ¥4.14
    • 500+

      ¥3.92
    • 1000+

      ¥3.8
  • 有货
  • 特性:与MMBT3906互补。 集电极电流:Ic = 200mA
    数据手册
    • 20+

      ¥0.0398
    • 200+

      ¥0.0328
    • 600+

      ¥0.029
    • 3000+

      ¥0.0239
    • 9000+

      ¥0.0219
    • 21000+

      ¥0.0208
  • 有货
  • 三极管应用于放大电路、开关电路以及振荡电路等领域
    • 100+

      ¥0.0415
    • 1000+

      ¥0.0318
    • 3000+

      ¥0.0264
    • 9000+

      ¥0.0231
    • 45000+

      ¥0.0221
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 有互补PNP类型(MMBT3906)。 适用于中功率放大和开关
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0424
    • 500+

      ¥0.0355
    • 3000+

      ¥0.0271
    • 6000+

      ¥0.0248
    • 24000+

      ¥0.0228
    • 51000+

      ¥0.0217
  • 有货
  • 放大倍数200-300 500MA电流
    数据手册
    • 50+

      ¥0.04275 ¥0.045
    • 500+

      ¥0.03249 ¥0.0342
    • 3000+

      ¥0.02983 ¥0.0314
    • 6000+

      ¥0.02641 ¥0.0278
    • 24000+

      ¥0.023465 ¥0.0247
    • 51000+

      ¥0.02185 ¥0.023
  • 有货
  • 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.044928 ¥0.0468
    • 500+

      ¥0.03456 ¥0.036
    • 3000+

      ¥0.029088 ¥0.0303
    • 6000+

      ¥0.025632 ¥0.0267
    • 24000+

      ¥0.022656 ¥0.0236
    • 51000+

      ¥0.021024 ¥0.0219
  • 有货
  • 该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.048 ¥0.05
    • 500+

      ¥0.037536 ¥0.0391
    • 3000+

      ¥0.030912 ¥0.0322
    • 6000+

      ¥0.027456 ¥0.0286
    • 24000+

      ¥0.02448 ¥0.0255
    • 51000+

      ¥0.022848 ¥0.0238
  • 有货
  • hFE:200-350 适合于低功耗、高增益应用场合,适用于各类精密电子设备及电路设计,是您微型化项目中的理想半导体元件。
    数据手册
    • 100+

      ¥0.04851 ¥0.0539
    • 1000+

      ¥0.03879 ¥0.0431
    • 3000+

      ¥0.03105 ¥0.0345
    • 9000+

      ¥0.02781 ¥0.0309
    • 45000+

      ¥0.02493 ¥0.0277
    • 90000+

      ¥0.0234 ¥0.026
  • 有货
  • 该NPN双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    • 10+

      ¥0.04944 ¥0.0515
    • 100+

      ¥0.040128 ¥0.0418
    • 300+

      ¥0.034944 ¥0.0364
    • 3000+

      ¥0.029664 ¥0.0309
    • 6000+

      ¥0.026976 ¥0.0281
    • 9000+

      ¥0.025536 ¥0.0266
  • 有货
  • hFE:200-350
    数据手册
    • 100+

      ¥0.0498
    • 1000+

      ¥0.039
    • 3000+

      ¥0.0325
    • 9000+

      ¥0.0289
    • 51000+

      ¥0.0257
    • 99000+

      ¥0.024
  • 有货
    • 50+

      ¥0.0531
    • 500+

      ¥0.0421
    • 3000+

      ¥0.0332
    • 6000+

      ¥0.0295
    • 24000+

      ¥0.0263
    • 51000+

      ¥0.0246
  • 有货
  • 特性:适用于开关和音频放大器应用。 推荐使用PNP晶体管作为互补类型
    数据手册
    • 100+

      ¥0.0532
    • 1000+

      ¥0.0426
    • 3000+

      ¥0.033
    • 9000+

      ¥0.0295
    • 51000+

      ¥0.0264
    • 99000+

      ¥0.0248
  • 有货
  • 该SOT-23封装的NPN型三极管,具备25V的VCEO耐压和0.5A的集电极电流,放大倍数在120至400之间,适合于低功耗、高增益应用场合,适用于各类精密电子设备及电路设计,是您微型化项目中的理想半导体元件。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0559
    • 500+

      ¥0.0448
    • 3000+

      ¥0.038
    • 6000+

      ¥0.0343
    • 24000+

      ¥0.0311
    • 51000+

      ¥0.0293
  • 有货
  • 直流电流增益(hFE)100-200
    数据手册
    • 50+

      ¥0.05733 ¥0.0637
    • 500+

      ¥0.04518 ¥0.0502
    • 3000+

      ¥0.03537 ¥0.0393
    • 6000+

      ¥0.03132 ¥0.0348
    • 30000+

      ¥0.02781 ¥0.0309
    • 45000+

      ¥0.02592 ¥0.0288
  • 有货
  • 直流电流增益(hFE)100-200
    数据手册
    • 50+

      ¥0.06188 ¥0.0728
    • 500+

      ¥0.050405 ¥0.0593
    • 3000+

      ¥0.03587 ¥0.0422
    • 6000+

      ¥0.032045 ¥0.0377
    • 30000+

      ¥0.02873 ¥0.0338
    • 45000+

      ¥0.02686 ¥0.0316
  • 有货
  • 这款N型场效应管,适用于精确控制小电流的电子设备。其参数为:最大电流0.3A,耐压60V,内阻典型值1000mR,栅源极电压VGS为20V。适用于电源管理、信号放大等应用,确保电路稳定高效。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.06204 ¥0.0705
    • 200+

      ¥0.050688 ¥0.0576
    • 600+

      ¥0.04444 ¥0.0505
    • 3000+

      ¥0.035112 ¥0.0399
    • 9000+

      ¥0.031768 ¥0.0361
    • 21000+

      ¥0.030008 ¥0.0341
  • 有货
  • 特性:与S8050互补。 出色的hFE线性度。 高集电极电流。 表面贴装器件
    数据手册
    • 50+

      ¥0.06308 ¥0.0664
    • 500+

      ¥0.04921 ¥0.0518
    • 3000+

      ¥0.041705 ¥0.0439
    • 6000+

      ¥0.03705 ¥0.039
    • 24000+

      ¥0.03306 ¥0.0348
    • 51000+

      ¥0.030875 ¥0.0325
  • 有货
    • 50+

      ¥0.064416 ¥0.0671
    • 500+

      ¥0.050976 ¥0.0531
    • 3000+

      ¥0.041568 ¥0.0433
    • 6000+

      ¥0.037056 ¥0.0386
    • 24000+

      ¥0.03312 ¥0.0345
    • 51000+

      ¥0.031008 ¥0.0323
  • 有货
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