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首页 > 热门关键词 > 大功率晶体管
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N沟道,30V,5.8A,21mΩ@10V,5.8A,1.0V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
数据手册
  • 20+

    ¥0.1501
  • 200+

    ¥0.1258
  • 600+

    ¥0.1123
  • 3000+

    ¥0.1042
  • 9000+

    ¥0.0971
  • 21000+

    ¥0.0933
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 有互补NPN类型(MMBT2222A)
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0575
    • 500+

      ¥0.0507
    • 3000+

      ¥0.0433
    • 6000+

      ¥0.0411
    • 24000+

      ¥0.0391
    • 51000+

      ¥0.0381
  • 有货
  • 小体积
    • 50+

      ¥0.0603 ¥0.067
    • 500+

      ¥0.04617 ¥0.0513
    • 3000+

      ¥0.04356 ¥0.0484
    • 6000+

      ¥0.03888 ¥0.0432
    • 24000+

      ¥0.03483 ¥0.0387
    • 51000+

      ¥0.03258 ¥0.0362
  • 有货
  • 特性:与SS8550互补
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0608
    • 500+

      ¥0.0508
    • 3000+

      ¥0.0388
    • 6000+

      ¥0.0355
    • 24000+

      ¥0.0326
    • 51000+

      ¥0.0311
  • 有货
  • 专为通用开关和放大器应用而设计。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.06687 ¥0.0743
    • 500+

      ¥0.05229 ¥0.0581
    • 2000+

      ¥0.04635 ¥0.0515
    • 5000+

      ¥0.04149 ¥0.0461
    • 25000+

      ¥0.03726 ¥0.0414
    • 50000+

      ¥0.03492 ¥0.0388
  • 有货
  • 该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.068736 ¥0.0716
    • 500+

      ¥0.05472 ¥0.057
    • 3000+

      ¥0.045984 ¥0.0479
    • 6000+

      ¥0.04128 ¥0.043
    • 24000+

      ¥0.037248 ¥0.0388
    • 51000+

      ¥0.03504 ¥0.0365
  • 有货
  • 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23-3 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.069696 ¥0.0726
    • 500+

      ¥0.061056 ¥0.0636
    • 3000+

      ¥0.052032 ¥0.0542
    • 6000+

      ¥0.049152 ¥0.0512
    • 24000+

      ¥0.046656 ¥0.0486
    • 51000+

      ¥0.045312 ¥0.0472
  • 有货
  • 专为中等电压、中等电流环境下的开关与线性放大应用设计,是各类电子设备电路的理想半导体元件。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.07176 ¥0.0897
    • 500+

      ¥0.0568 ¥0.071
    • 3000+

      ¥0.04288 ¥0.0536
    • 6000+

      ¥0.03784 ¥0.0473
    • 24000+

      ¥0.0336 ¥0.042
    • 45000+

      ¥0.0312 ¥0.039
  • 有货
  • 丝印: M6
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0734
    • 500+

      ¥0.058
    • 3000+

      ¥0.0494
    • 6000+

      ¥0.0443
    • 24000+

      ¥0.0399
    • 51000+

      ¥0.0375
  • 有货
  • 本款SOT-23封装NPN型三极管,具有25V高耐压VCEO及1.5A大电流处理能力,放大倍数稳定在200至300区间,特别适用于需要高效能、大电流信号放大的电子应用场合。
    • 50+

      ¥0.0734
    • 500+

      ¥0.0572
    • 3000+

      ¥0.0481
    • 6000+

      ¥0.0427
    • 24000+

      ¥0.0381
    • 51000+

      ¥0.0355
  • 有货
  • 耐压:40V 电流:200mA NPN (hFE):300@50mA,1V
    • 50+

      ¥0.075395 ¥0.0887
    • 500+

      ¥0.05933 ¥0.0698
    • 3000+

      ¥0.050405 ¥0.0593
    • 6000+

      ¥0.04505 ¥0.053
    • 24000+

      ¥0.040375 ¥0.0475
    • 51000+

      ¥0.03791 ¥0.0446
  • 有货
  • 特性:与S9012互补。 功率耗散:300mW。 高稳定性和高可靠性。 SOT-23封装
    数据手册
    • 50+

      ¥0.076285 ¥0.0803
    • 500+

      ¥0.06061 ¥0.0638
    • 3000+

      ¥0.047025 ¥0.0495
    • 6000+

      ¥0.0418 ¥0.044
    • 24000+

      ¥0.03724 ¥0.0392
    • 51000+

      ¥0.03477 ¥0.0366
  • 有货
  • 特性:与SS8050互补。 出色的hFE线性度。 高集电极电流。 表面贴装器件
    数据手册
    • 50+

      ¥0.07904 ¥0.0832
    • 500+

      ¥0.06156 ¥0.0648
    • 3000+

      ¥0.057285 ¥0.0603
    • 6000+

      ¥0.05149 ¥0.0542
    • 24000+

      ¥0.046455 ¥0.0489
    • 51000+

      ¥0.0437 ¥0.046
  • 有货
  • 特性:非常适合自动插入。 外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(BC807)
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0819 ¥0.091
    • 500+

      ¥0.06489 ¥0.0721
    • 3000+

      ¥0.05463 ¥0.0607
    • 6000+

      ¥0.04896 ¥0.0544
    • 24000+

      ¥0.04401 ¥0.0489
    • 51000+

      ¥0.0414 ¥0.046
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 提供互补PNP类型。 适用于中功率放大和开关
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0835
    • 500+

      ¥0.0664
    • 3000+

      ¥0.0525
    • 6000+

      ¥0.0468
    • 24000+

      ¥0.0418
    • 51000+

      ¥0.0392
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 有互补的NPN类型
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0946
    • 500+

      ¥0.0754
    • 3000+

      ¥0.0647
    • 6000+

      ¥0.0583
    • 24000+

      ¥0.0527
    • 51000+

      ¥0.0497
  • 有货
  • 特性:非常适合自动插入。 外延平面管芯结构。 有互补NPN类型(BC817)
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0963
    • 500+

      ¥0.0767
    • 3000+

      ¥0.0658
    • 6000+

      ¥0.0593
    • 24000+

      ¥0.0537
    • 51000+

      ¥0.0506
  • 有货
  • 特性:与MMBT5401互补,非常适合中功率放大和开关
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0969
    • 500+

      ¥0.0775
    • 3000+

      ¥0.0638
    • 6000+

      ¥0.0573
    • 24000+

      ¥0.0517
    • 51000+

      ¥0.0486
  • 有货
  • PNP,Vceo=-40V,Ic=-200mA
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1078
    • 500+

      ¥0.0836
    • 3000+

      ¥0.0702
    • 6000+

      ¥0.0622
    • 24000+

      ¥0.0552
    • 51000+

      ¥0.0515
  • 有货
  • ?晶体管类型:NPN集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):200mW 集电极截止电流(Icbo):100nA
    数据手册
    • 50+

      ¥0.11533 ¥0.1214
    • 500+

      ¥0.090725 ¥0.0955
    • 3000+

      ¥0.07505 ¥0.079
    • 6000+

      ¥0.06688 ¥0.0704
    • 24000+

      ¥0.059755 ¥0.0629
    • 51000+

      ¥0.055955 ¥0.0589
  • 有货
  • N沟道,20V,4.0A,,25.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA;应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1192
    • 200+

      ¥0.1087
    • 600+

      ¥0.1028
    • 3000+

      ¥0.0798
    • 9000+

      ¥0.0768
    • 21000+

      ¥0.0751
  • 有货
  • 适用于各类小型电子设备,提供高效、稳定的开关与功率转换性能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.14736 ¥0.1842
    • 200+

      ¥0.11776 ¥0.1472
    • 600+

      ¥0.10136 ¥0.1267
    • 3000+

      ¥0.0832 ¥0.104
    • 9000+

      ¥0.07464 ¥0.0933
    • 21000+

      ¥0.07 ¥0.0875
  • 有货
  • 适用于电池管理,高速开关,低功率 DC-DC 转换。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1634 ¥0.172
    • 200+

      ¥0.12749 ¥0.1342
    • 600+

      ¥0.10754 ¥0.1132
    • 3000+

      ¥0.09253 ¥0.0974
    • 9000+

      ¥0.08208 ¥0.0864
    • 21000+

      ¥0.076475 ¥0.0805
  • 有货
  • N沟道,20V,2.1A,60mΩ@4.5V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1693
    • 200+

      ¥0.1337
    • 600+

      ¥0.114
    • 3000+

      ¥0.1021
    • 9000+

      ¥0.0919
    • 21000+

      ¥0.0863
  • 有货
  • 特性:VDSS = -30V。 I₀ = -1.9A。 RDS(on)@VGS = -10V < 190mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 330mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用:电池供电系统。 固态继电器
    • 20+

      ¥0.1728
    • 200+

      ¥0.1423
    • 600+

      ¥0.1253
    • 3000+

      ¥0.1126
    • 9000+

      ¥0.1038
    • 21000+

      ¥0.0991
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1754
    • 200+

      ¥0.1368
    • 600+

      ¥0.1154
    • 3000+

      ¥0.0959
    • 9000+

      ¥0.0847
    • 21000+

      ¥0.0787
  • 有货
  • 适用于一般开关和低压电源电路、电流能力强、导通电阻低。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.191505 ¥0.2253
    • 200+

      ¥0.150195 ¥0.1767
    • 600+

      ¥0.127245 ¥0.1497
    • 3000+

      ¥0.10795 ¥0.127
    • 9000+

      ¥0.095965 ¥0.1129
    • 21000+

      ¥0.089505 ¥0.1053
  • 有货
  • MOSFET,P-channel 20/10V 3A VGS(th)=0.7V 64mΩ@3A&4.5V,SOT-23
    数据手册
    • 50+

      ¥0.201
    • 500+

      ¥0.1686
    • 3000+

      ¥0.1265
    • 6000+

      ¥0.1157
    • 24000+

      ¥0.1063
    • 51000+

      ¥0.1013
  • 有货
  • 特性:低导通电阻:当 VDS = 60V,ID = 300mA,VGS = 10V 时,RDS(ON) ≤ 1.9Ω。高密度单元设计,实现低 RDS(ON)。电压控制小信号开关。高饱和电流能力。坚固可靠。ESD 保护
    数据手册
    • 20+

      ¥0.20691 ¥0.2178
    • 200+

      ¥0.164635 ¥0.1733
    • 600+

      ¥0.14117 ¥0.1486
    • 3000+

      ¥0.121695 ¥0.1281
    • 9000+

      ¥0.10944 ¥0.1152
    • 21000+

      ¥0.102885 ¥0.1083
  • 有货
    • 20+

      ¥0.2118
    • 200+

      ¥0.1661
    • 600+

      ¥0.1407
    • 3000+

      ¥0.1255
    • 9000+

      ¥0.1123
    • 21000+

      ¥0.1052
  • 有货
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