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价格(含税)

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1个N沟道耐压:200V 电流:50A

型号：IRFP260NPBF 编号：C2678

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,50A,40mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.39
10+
￥5.45
25+
￥4.28
100+
￥3.73
350+
￥3.56
1050+
￥3.45

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:350mA

型号：2N7002BK,215 编号：C282405

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

10+
￥0.4485
100+
￥0.3525
300+
￥0.3045
3000+
￥0.2647
6000+
￥0.2359
9000+
￥0.2215

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:2.9A

型号：Si2302CDS-T1-GE3 编号：C10488

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,20V,2.9A,57mΩ@4.5V

数据手册

10+
￥0.4787
100+
￥0.3982
300+
￥0.3569
3000+
￥0.29
6000+
￥0.2781
9000+
￥0.27

有货

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1个P沟道耐压:50V 电流:180mA

型号：BSS84AK,215 编号：C127273

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

P沟道，50V，180mA

数据手册

10+
￥0.4804
100+
￥0.3873
300+
￥0.3408
3000+
￥0.3058
6000+
￥0.2779
9000+
￥0.264

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:6A

型号：WST4041 编号：C148357

封装：SOT-23-3L

品牌：WINSOK(微硕)

WST4041是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST4041符合RoHS标准和绿色产品要求，经过全面功能可靠性认证，100%保证具有抗雪崩能力。

数据手册

5+
￥0.9965
50+
￥0.7859
150+
￥0.6831
500+
￥0.5913
3000+
￥0.5183
6000+
￥0.5032

有货

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1个P沟道耐压:55V 电流:74A

型号：IRF4905PBF 编号：C2564

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-55V,-74A,20mΩ@-10V

数据手册

1+
￥3.44
10+
￥2.87
50+
￥2.55
100+
￥2.22
500+
￥2.12
1000+
￥2.05

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:200A

型号：HYG009N04LS1C2 编号：C2890387

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HUAYI(华羿微)

40V/200A。RDS(ON) = 0.75mΩ（典型值）。在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 1.05mΩ（典型值）

数据手册

1+
￥4.15
10+
￥3.57
30+
￥3.16
100+
￥2.82
500+
￥2.15
1000+
￥2.09

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:90A

型号：BSC070N10NS3G 编号：C501502

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：非常低的栅极电荷，适用于高频应用。针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

数据手册

1+
￥4.2
10+
￥3.55
30+
￥3.09
100+
￥2.71
500+
￥2.59
1000+
￥2.51

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:65A

型号：IRFB4227PBF 编号：C2652

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,65A,19.7mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.5
10+
￥4.82
50+
￥4
100+
￥3.61
500+
￥3.48
1000+
￥3.4

有货

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1个N沟道耐压:60V

型号：CSD18540Q5B 编号：C86513

封装：VSON-8(5x6)

品牌：TI(德州仪器)

CSD18540Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

1+
￥9.78
10+
￥8.66
30+
￥7.62
100+
￥6.09
500+
￥5.77
1000+
￥5.61

有货

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电流:500mA 电压:25V

型号：S8550 编号：C916391

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

专为精密电子设备设计，提供高效、稳定的信号放大及开关控制功能。

数据手册

100+
￥0.036504 ￥0.0468
1000+
￥0.029328 ￥0.0376
3000+
￥0.023478 ￥0.0301
9000+
￥0.021138 ￥0.0271
45000+
￥0.019032 ￥0.0244
90000+
￥0.01794 ￥0.023

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:380mA

型号：L2N7002SLLT1G 编号：C22446827

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要特殊场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且支持生产件批准程序（PPAP）。具备ESD保护。低导通电阻（RDS(on)）。应用：低端负载开关。电平转换电路

6+
￥0.0373
60+
￥0.028
180+
￥0.0239
600+
￥0.0208
3000+
￥0.0191
6000+
￥0.0183

有货

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hfe=100~300 PNP 电流:200mA 电压:40V

型号：MMBT3906 编号：C727128

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

特性：互补型：推荐使用NPN晶体管MMBT3904。外延平面芯片结构

数据手册

50+
￥0.0399 ￥0.042
500+
￥0.03173 ￥0.0334
3000+
￥0.024985 ￥0.0263
6000+
￥0.022325 ￥0.0235
24000+
￥0.01995 ￥0.021
51000+
￥0.01862 ￥0.0196

有货

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hFE:200-400 NPN 电流:0.5A 电压:25V

型号：S9013 编号：C2891800

封装：SOT-23

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：与S9012互补。集电极电流：Ic = 0.5A

数据手册

100+
￥0.0444
1000+
￥0.0352
3000+
￥0.0283
9000+
￥0.0252
51000+
￥0.0226
99000+
￥0.0212

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:2.3A

型号：SI2302S 编号：C22463594

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

1个N沟道耐压:20V 电流:2.1A适用于电源开关和信号控制

50+
￥0.058225 ￥0.0685
500+
￥0.04539 ￥0.0534
3000+
￥0.03825 ￥0.045
6000+
￥0.034 ￥0.04
30000+
￥0.03026 ￥0.0356
45000+
￥0.02822 ￥0.0332

有货

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PNP 电流:1.5A 电压:25V

型号：SS8550 编号：C444726

封装：SOT-23

品牌：Slkor(萨科微)

特性：高集电极电流。与SS8050互补

数据手册

50+
￥0.0663
500+
￥0.0534
3000+
￥0.0408
6000+
￥0.0364
24000+
￥0.0327
51000+
￥0.0307

有货

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hfe=200~350 NPN 电流:1.5A 电压:25V

型号：SS8050 编号：C111765

封装：SOT-23

品牌：SHIKUES(时科)

丝印Y1

数据手册

50+
￥0.0684 ￥0.072
500+
￥0.052345 ￥0.0551
3000+
￥0.047405 ￥0.0499
6000+
￥0.042085 ￥0.0443
24000+
￥0.03743 ￥0.0394
51000+
￥0.034865 ￥0.0367

有货

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hFE:200-350 NPN 电流:1.5A 电压:25V

型号：SS8050 编号：C444722

封装：SOT-23

品牌：Slkor(萨科微)

hFE:200-350

数据手册

50+
￥0.0734
500+
￥0.0625
3000+
￥0.0535
6000+
￥0.0499
24000+
￥0.0467

有货

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PNP 电流:0.6A 电压:150V

型号：MMBT5401 编号：C408397

封装：SOT-23-3

品牌：MDD(辰达半导体)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23-3 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

50+
￥0.082176 ￥0.0856
500+
￥0.065568 ￥0.0683
3000+
￥0.054432 ￥0.0567
6000+
￥0.048864 ￥0.0509
24000+
￥0.04416 ￥0.046
51000+
￥0.041568 ￥0.0433

有货

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NPN 电流:0.5A 电压:45V

型号：BC817-40 编号：C545563

封装：SOT-23-3

品牌：UMW(友台半导体)

特性：适用于一般音频应用。高集电极电流。高电流增益。低集电极-发射极饱和电压。互补类型：BC807（PNP）

数据手册

50+
￥0.0854
500+
￥0.0663
3000+
￥0.0508
6000+
￥0.0445
24000+
￥0.039
51000+
￥0.036

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:200mA

型号：BSS123 编号：C427379

封装：SOT-23

品牌：MDD(辰达半导体)

应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

数据手册

50+
￥0.096288 ￥0.1003
500+
￥0.077664 ￥0.0809
3000+
￥0.064224 ￥0.0669
6000+
￥0.057984 ￥0.0604
24000+
￥0.052608 ￥0.0548
51000+
￥0.049632 ￥0.0517

有货

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H档(200-350) PNP 电流:500mA 电压:25V

型号：S9012 2T1(RANGE:200-350) 编号：C8543

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

丝印2T1

数据手册

50+
￥0.0966
500+
￥0.0771
3000+
￥0.0663
6000+
￥0.0599
24000+
￥0.0543
51000+
￥0.0512

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:3A

型号：AO3400-ED 编号：C4748722

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，专为20V电压系统设计，额定电流高达3A。具备低导通电阻与快速开关特性，广泛应用于充电器、电源管理及各种电子设备的负载切换与高效功率控制场景。

数据手册

50+
￥0.1207
500+
￥0.0994
3000+
￥0.0761
6000+
￥0.069
24000+
￥0.0628
51000+
￥0.0595

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：SI2300A 编号：C347480

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：V(BR)DSS = 20V。 Ip = 6A。 RDS(ON) < 25mΩ(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 34mΩ(VGS = 2.5V)。 TrenchFET Power MOSFET。应用：电池保护。负载开关

数据手册

20+
￥0.1367
200+
￥0.1051
600+
￥0.0876
3000+
￥0.0737
9000+
￥0.0646
21000+
￥0.0597

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:3A

型号：SI2301 编号：C181086

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：RDS(ON) ≤ 85mΩ @ VGS =-4.5V, ID =-3.0A 。 RDS(ON) ≤ 115mΩ @ VGS =-2.5V, ID =-1.0A 。低导通电阻。适用于低功率 DC-DC 转换器和负载开关应用。表面贴装器件

数据手册

20+
￥0.149245 ￥0.1571
200+
￥0.11799 ￥0.1242
600+
￥0.100605 ￥0.1059
3000+
￥0.09595 ￥0.101
9000+
￥0.086925 ￥0.0915
21000+
￥0.08208 ￥0.0864

有货

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N沟道,电流:5.8A,耐压:30V

型号：AO3400 编号：C5224189

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，5.8A，21mΩ@10V,5.8A，1.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

20+
￥0.164
200+
￥0.1397
600+
￥0.1262
3000+
￥0.1118
9000+
￥0.1047
21000+
￥0.1009

有货

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NPN 电流:0.1A 电压:12V

型号：2SC3356 编号：C28646266

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：功率耗散：200mW。高稳定性和高可靠性。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃

20+
￥0.1808
200+
￥0.14
600+
￥0.1172
3000+
￥0.1036
9000+
￥0.0918
21000+
￥0.0855

有货

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N沟道,电流:5.5A,耐压:20V

型号：HL2312 编号：C28646272

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 20V。 ID = 5.5A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 32mΩ。沟槽功率MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。固态继电器

20+
￥0.1823
200+
￥0.1399
600+
￥0.1163
3000+
￥0.1022
9000+
￥0.0899
21000+
￥0.0833

有货

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PNP 电流:1A 电压:60V

型号：FMMT591 编号：C41375132

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：功率耗散：250mW。 PNP低等效导通电阻。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值温度为260°C

20+
￥0.2302
200+
￥0.1803
600+
￥0.1526
3000+
￥0.1314
9000+
￥0.117
21000+
￥0.1092

有货

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1个P沟道耐压:12V 电流:4.1A

型号：SI2305 编号：C181088

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：高密集单元设计，实现极低的导通电阻（RDS(ON)）。坚固可靠。外壳材料：模塑塑料

数据手册

20+
￥0.232465 ￥0.2447
200+
￥0.1843 ￥0.194
600+
￥0.15751 ￥0.1658
3000+
￥0.1387 ￥0.146
9000+
￥0.12483 ￥0.1314
21000+
￥0.117325 ￥0.1235

有货

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