安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

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描述

价格(含税)

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操作

3.3V 150mA 38V

型号：NCP730ASN330T1G 编号：C892814

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

是一款CMOS LDO稳压器，设计用于高达38V的输入电压和150mA的输出电流。仅1μA的静态电流使其成为电池供电、始终开启系统的理想解决方案。有几种固定输出电压版本以及可调版本。该器件（B版本）实现了电源良好电路（PG），用于指示输出电压是否处于稳压状态，此信号可用于电源排序或作为微控制器复位信号。内部短路和过温保护可防止器件在过载条件下损坏。

数据手册

1+
￥5.94
10+
￥4.73
30+
￥4.12
100+
￥3.52
500+
￥3.16
1000+
￥2.98

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集成临界模式PFC和准谐振电流模式PWM照明控制器

型号：FL7921RMX 编号：C367382

封装：SOP-16

品牌：onsemi(安森美)

高度集成的 FL7921R 集成了功率因数校正 (PFC) 控制器和准谐振 PWM 控制器。这种集成设计降低了成本，减少了外部元件数量。对于 PFC，FL7921R 采用受控导通时间技术，提供稳定的直流输出电压，并实现自然功率因数校正。创新的 THD 优化器可减少过零期间的输入电流失真，改善 THD 性能。无论 PWM 级负载条件如何，PFC 功能始终开启，以确保在轻载条件下也能实现高功率因数。对于 PWM，FL7921R 提供多种功能来提升电源系统性能：谷底检测、绿色模式运行、高低线过功率补偿。保护功能包括次级侧开环和过流自动恢复保护、外部恢复触发、通过 RT 引脚和外部 NTC 电阻实现的可调过温保护、内部过温关断、VDD 引脚过压保护、DET 引脚过压以实现输出过压保护，以及交流输入电压欠压保护的欠压/欠压恢复。除 PWM 电流检测引脚开路保护外，所有保护均为自动恢复模式。FL7921R 控制器采用 16 引脚小外形封装 (SOP)。

数据手册

1+
￥6.045 ￥15.5
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￥4.1412 ￥14.28
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￥2.5669 ￥13.51
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￥2.4187 ￥12.73
500+
￥2.3503 ￥12.37
1000+
￥2.3218 ￥12.22

有货

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双通道2A高速、低边栅极驱动器

型号：FAN3227TMPX 编号：C890701

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3226 提供两个反向驱动器，FAN3227 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

数据手册

1+
￥6.552 ￥7.8
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￥5.2466 ￥7.09
30+
￥4.288 ￥6.7
100+
￥4 ￥6.25
500+
￥3.8784 ￥6.06
1000+
￥3.8208 ￥5.97

有货

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CAT9555 16位I2C和SMBus I/O端口带中断

型号：CAT9555YI-T2 编号：C83265

封装：TSSOP-24

品牌：onsemi(安森美)

提供16位并行输入/输出端口扩展，兼容I2C和SMBus。适用于传感器、电源开关、LED、按钮和风扇等应用。

数据手册

1+
￥6.71
10+
￥5.42
30+
￥4.78
100+
￥4.14
500+
￥3.38
1000+
￥3.18

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:50A

型号：NVMFS5C673NLAFT1G 编号：C606161

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥6.89
10+
￥5.74
30+
￥5.11
100+
￥4.4
500+
￥4.08

有货

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DC输入 2通道隔离电压(rms):5000V

型号：HCPL2630SDM 编号：C899520

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道光耦合器包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供出色的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

数据手册

1+
￥7.62
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￥6.97
30+
￥6.57
100+
￥5.73
500+
￥5.54
1000+
￥5.46

有货

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电压:100V 电流:10A

型号：MBRB20H100CTT4G 编号：C235758

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

增强型肖特基势垒整流器，VF 更低，浪涌能力更高，IR 参数更低

数据手册

1+
￥7.73
10+
￥6.52
30+
￥5.86
100+
￥5.11
500+
￥4.44
800+
￥4.29

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:15.7A

型号：FDD850N10L 编号：C903586

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

数据手册

1+
￥8
10+
￥6.76
30+
￥6.08
100+
￥4.66
500+
￥4.32
1000+
￥4.17

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：FOD8480R2 编号：C899356

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8480 和 FOD8482 是低功率光耦合器，支持智能功率模块 (IPM) 的隔离接口，从控制器向 IPM 传输数字控制信号，无需导通接地回路或危险电压。FOD848x 系列采用拉伸体、6 引脚小型塑料封装，包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管和一个集成式高增益集成高增益光电探测器。检测器具有带磁滞的检测器阈值。磁滞提供了差分模式噪声抗干扰性，消除了输出信号颤振的可能性。它的非反相输出设计作为图腾柱，不需要任何上拉电阻。FOD8482 有一个低阈值输入电流 IFLH，最大为 3.0 mA。对于 FOD848x 全系列，在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 4.5 V 至 30 V 的 VDD 范围内可保证其电气和开关特性。低 IF 和宽 VDD 范围，可与 TTL、LSTTL 和 CMOS 逻辑电平兼容，与其他高速光耦合器相比，功耗更低。

数据手册

1+
￥8.32
10+
￥6.94
30+
￥6.19
100+
￥4.73
500+
￥4.35
1000+
￥4.18

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降压型 2.8V~20V

型号：NCP81611MNTXG 编号：C603823

封装：TSSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

NCP81611是一款多相同步控制器,专为新一代计算和图形处理器优化。该设备最多可驱动4相,具有差分电压和相电流检测、自适应电压定位和计算机或图形控制器接口。集成的电源节省接口（PSI）允许处理器将控制器设置为三种模式之一,即所有相开启、动态相卸载或固定低相数模式,以在轻负载条件下获得高效率。双边缘PWM多相架构确保快速瞬态响应和良好的动态电流平衡。

数据手册

1+
￥8.4402 ￥10.42
10+
￥6.7308 ￥9.48
30+
￥5.429 ￥8.9
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￥5.063 ￥8.3
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￥4.8983 ￥8.03
1000+
￥4.8251 ￥7.91

有货

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700V 6.3V~10V

型号：NCP1075STCT3G 编号：C894956

封装：SOT-223-4

品牌：onsemi(安森美)

NCP1072 / NCP1075 产品集成了固定频率电流模式控制器和 700 V MOSFET。NCP1072/5 采用 PDIP-7 或 SOT-223 封装，提供了高水平的集成，包括软启动、频率抖动、短路保护、跳过周期、最大峰值电流设定点、斜坡补偿以及动态自供电（无需辅助绕组）。与其他单片方案不同，NCP1072/5 具有无噪音特性：在正常负载运行期间，在某个可用频率进行开关的时候（65，100，130 kHz）。当输出功率需求消失时，该集成电路将自动进入频率折回模式，在轻负载下提供卓越能效。当功率需求进一步降低时，它进入跳过模式，将待机功耗降低到无负载条件。保护功能包括：检测过载或短路事件的计时器、带自动恢复的过电压保护，以及交流输入线路电压检测。为了提高待机性能，连接辅助绕组会停止 DSS 运行，有助于将高电平线路的输入功耗降至 50 mW 以下。

数据手册

1+
￥8.78
10+
￥7.27
30+
￥6.44
100+
￥5.07
500+
￥4.65
1000+
￥4.47

有货

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N沟道功率沟槽MOSFET，80V，100A，3.9mΩ

型号：FDMS039N08B 编号：C891043

封装：Power-56

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥8.86
10+
￥7.37
30+
￥6.55
100+
￥5.63
500+
￥5.22
1000+
￥5.03

有货

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电压:200V 电流:10A

型号：MBRB20200CTT4G 编号：C236141

封装：D2PAK-3

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。此先进器件适用于高频率开关电源和转换器，最高为 48 V 输出。此器件会阻挡高达 200 v 电压，在 250 kHz 至 5.0MHz 的频率下提供改善的肖特基性能。

数据手册

1+
￥9.8
10+
￥8.02
30+
￥7.04
100+
￥5.93
500+
￥5.44
800+
￥5.22

有货

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电压:200V 电流:10A

型号：MBR20200CTG 编号：C2727

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。此先进器件适用于高频率开关电源和转换器，最高为 48 V 输出。此器件会阻挡高达 200 v 电压，在 250 kHz 至 5.0 MHz 的频率下提供改善的肖特基性能。

数据手册

1+
￥11.13
10+
￥9.35
50+
￥7.82
100+
￥6.71
500+
￥6.22
1000+
￥6

有货

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降压型 500mA 4.5V~40V

型号：LM2594DADJR2G 编号：C153777

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

LM2594是一款单片集成电路,适用于设计高效降压型开关稳压器。它能够驱动0.5A负载,具有良好的线路和负载调节性能。该器件内部补偿,减少了外部组件数量,简化了电源设计。

数据手册

1+
￥11.32
10+
￥9.51
30+
￥8.38
100+
￥7.23
500+
￥6.7
1000+
￥6.48

有货

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600 V、20 A场截止型IGBT

型号：FGP20N60UFDTU 编号：C463254

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

采用新型场截止绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术，仙童半导体的场截止IGBT为太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、焊机和功率因数校正（PFC）应用提供了最佳性能，这些应用对低导通损耗和开关损耗有严格要求。

1+
￥12.4
10+
￥11.41
50+
￥9.44
100+
￥8.8
500+
￥8.51
1000+
￥8.39

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1个N沟道耐压:600V 电流:12A

型号：FDPF12N60NZ 编号：C36638

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM II MOSFET 是基于先进的平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此先进的 MOSFET 系列在平面 MOSFET 中具有最小的导通电阻，同时可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。另外，内部门极电源 ESD 二极管使得 UniFET II MOSFET 可承受 2kV 以上的 HBM 电涌应力。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥14.02
10+
￥11.92
50+
￥9.9
100+
￥8.54
500+
￥7.93
1000+
￥7.67

有货

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高压大电流高端和低端驱动器

型号：NCP5183DR2G 编号：C904511

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5183 是一款高电压高电流功率 MOSFET 驱动器，提供两个输出，用于驱动 2 个组织为半桥（或任何其他高压侧 + 低压侧）配置的 N 沟道功率 MOSFET。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥）。

数据手册

1+
￥14.83
10+
￥12.89
30+
￥11.67
100+
￥9.07
500+
￥8.5
1000+
￥8.26

有货

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1个N沟道耐压:500V 电流:20A

型号：FDP20N50F 编号：C899149

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和 4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥17.7
10+
￥15.01
50+
￥13.41
100+
￥11.79
500+
￥11.04
1000+
￥10.7

有货

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NPN 电流:20A 电压:800V

型号：FJL6920TU 编号：C512904

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

NPN型三重扩散平面硅晶体管

数据手册

1+
￥21.81
10+
￥18.44
25+
￥16.44
100+
￥14.42
375+
￥13.48
1125+
￥13.06

有货

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NPN 电流:15A 电压:250V

型号：NJW3281G 编号：C328094

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管卓越的增益线性和安全运行区域性能使其适用于高保真音频放大器输出级和其他线性应用。

数据手册

1+
￥22.89
10+
￥19.67
30+
￥17.76
90+
￥15.83
510+
￥14.93
990+
￥14.53

有货

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9V 电机驱动芯片

型号：LB1836M-TLM-E 编号：C71031

封装：LSOP-14-175mil

品牌：onsemi(安森美)

LB1836M是一款低饱和双通道双向电机驱动IC，适用于低电压应用。LB1836M是一款双极步进电机驱动IC，非常适合用于打印机、软盘驱动器（FDD）、相机和其他便携式设备。

数据手册

1+
￥23.59
10+
￥19.91
30+
￥17.6
100+
￥14.48
500+
￥13.41
1000+
￥12.95

有货

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NPN 电流:16A 电压:250V

型号：MJ15024G 编号：C2730

封装：TO-204

品牌：onsemi(安森美)

MJ15022和MJ15024是功率晶体管，专为高功率音频、磁盘磁头定位器及其他线性应用而设计。

数据手册

1+
￥33.27
10+
￥28.43
30+
￥25.48
100+
￥23

有货

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650V 150A

型号：FGH75T65SHDTL4 编号：C898195

封装：TO-247-4LD

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

数据手册

1+
￥33.57
10+
￥28.45
30+
￥25.4
100+
￥22.33
450+
￥20.91
900+
￥20.27

有货

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800V 30V

型号：KA5L0380RYDTU 编号：C42305

封装：TO-220F-4

品牌：onsemi(安森美)

专为离线式开关电源设计，只需极少的外部元件。由高压功率感应场效应管和电流模式PWM集成电路组成。集成了固定频率振荡器、欠压锁定、前沿消隐、优化的栅极导通/关断驱动器、热关断保护、过压保护以及用于环路补偿和故障保护电路的温度补偿精密电流源。与分立MOSFET和PWM控制器或RCC解决方案相比，可减少元件总数、设计尺寸和重量，同时提高效率、生产率和系统可靠性。适用于反激式转换器或正激式转换器的高性价比设计。

数据手册

1+
￥38.18
10+
￥32.97
50+
￥28.66
100+
￥25.99

有货

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250V 200mA

型号：NSVBAS21M3T5G 编号：C896450

封装：SOT-723-3

品牌：onsemi(安森美)

该开关二极管是我们受欢迎的 SOT-23 三引线器件的副产品。该器件适用于高电压开关应用，采用 SOT-723 表面贴装封装。该器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.150118 ￥0.1597
200+
￥0.129814 ￥0.1381
600+
￥0.118534 ￥0.1261
2000+
￥0.111766 ￥0.1189
8000+
￥0.098794 ￥0.1051
16000+
￥0.095692 ￥0.1018

有货

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100V 200mA

型号：1N4148 编号：C258182

封装：DO-35

品牌：onsemi(安森美)

高电导快速二极管

数据手册

50+
￥0.1769
500+
￥0.116
1500+
￥0.0971

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:115mA

型号：2N7002 编号：C124475

封装：SOT-23-3L

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产。该产品的设计可在最大程度减少导通电阻的同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。2N7002可用于需要高达400mA直流电的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流。本产品特别适合于低电压、低电流的应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。

数据手册

20+
￥0.2108
200+
￥0.1654
600+
￥0.1402
3000+
￥0.1251

有货

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电压:30V 电流:200mA

型号：BAT54CLT3G 编号：C232532

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该共阴极肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

数据手册

20+
￥0.2252
200+
￥0.1816
600+
￥0.1574
2000+
￥0.1429

有货

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独立式耐压:13.25V 电流:0.1uA

型号：MM3Z13VT1G 编号：C236178

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.2317
200+
￥0.1823
600+
￥0.1548
3000+
￥0.1327
9000+
￥0.1184
21000+
￥0.1107

有货

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