安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MC14051BDTR2G 编号：C274656

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14051B 是一种8通道模拟多路复用器/多路分路器，具有低导通阻抗和极低的关断漏电流。

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型号：MC14093BDTR2G 编号：C233507

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

施密特触发器采用MOS P沟道和N沟道增强模式器件，在单个单片结构中构建。这些器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。可代替四2输入与非门，以增强抗噪性或对缓慢变化的波形进行整形。

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型号：NCP163ASN500T1G 编号：C603657

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

是一款下一代高PSRR、超低噪声LDO，能够提供250 mA输出电流。专为满足RF和敏感模拟电路的要求而设计，提供超低噪声、高PSRR和低静态电流。该器件还具有出色的负载/线路瞬态响应。设计用于搭配1 μF输入和1 μF输出陶瓷电容器工作。有两种厚度的超小型0.35P、WLCSP封装、XDFN4 0.65P和行业标准SOT23-5L封装可供选择。

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型号：FDG315N 编号：C905055

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低压及电池供电应用。

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型号：FSA806UMX 编号：C895419

封装：UMLP-12(1.8x1.8)

品牌：onsemi(安森美)

FSA806是一款3:1 USB配件开关，可以共享一个通用连接器端口来处理USB数据、立体声/单声道音频和UART数据。该架构设计允许音频信号低于地电平摆动，从而可以使用一个通用的USB和耳机插孔。

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型号：MC14011BDTR2G 编号：C463300

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

B 系列逻辑门极是使用 P 和 N 沟道增强模式器件，在一个单片结构中构建的（互补 MOS）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。

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型号：SZ1SMB5933BT3G 编号：C889931

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件

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型号：CAT24C64YI-GT3 编号：C238979

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C64 是一款 64-kb CMOS 串行 EEPROM 器件，内部组织为 8192 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。

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型号：2SD1623T-TD-E 编号：C604966

封装：SOT-89

品牌：onsemi(安森美)

2SD1623 是一款双极晶体管，50V 2A，低饱和压，(PNP)NPN 单 PCP，用于高电流开关应用。

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型号：1N5354BRLG 编号：C411197

封装：插件,D3.3xL8.4mm

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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型号：NCP170ASN300T2G 编号：C603670

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP170系列CMOS低压差稳压器专为需要超低静态电流的便携式电池供电应用而设计。典型值为500 nA的超低功耗可确保电池长寿命，动态瞬态增强功能可改善无线通信应用中器件的瞬态响应。

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型号：FDC6303N 编号：C236887

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适合在低压应用中替代负载开关应用中的数字晶体管。因为无需偏置电阻，所以此类 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻的数字晶体管，如 IMHxA 系列。

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型号：MC33202DMR2G 编号：C231818

封装：MSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

MC33201/2/4 系列运算放大器在输入和输出端均提供轨到轨操作。输入信号可驱动至超出电源轨 200 mV，而输出端不会出现相位反转，且输出摆幅可接近每个电源轨 50 mV 以内。这种轨到轨操作使使用者能够充分利用可用的电源电压范围

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型号：74VHC595MTCX 编号：C232786

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

VHC595是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS移位寄存器。它在保持CMOS低功耗的同时，能实现与等效双极型肖特基TTL类似的高速运行。该器件包含一个8位串行输入、并行输出的移位寄存器，其输出连接到一个8位D型存储寄存器

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型号：SZ1SMB5919BT3G 编号：C463423

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件

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型号：NDS9948 编号：C274609

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 20V) 的电源管理应用进行了优化。

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型号：MC14070BDR2G 编号：C274657

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC14070B 四异或门和 MC14077B 四异或非门采用 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件，以单块结构制成。这些互补 MOS 逻辑门主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。

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型号：NCP380LMUAJAATBG 编号：C892454

封装：UDFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

是一款高侧功率分配开关，适用于可能遇到大容性负载和短路的应用。该器件集成了一个55 mΩ（DFN封装）的P沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，该器件会切换到恒流调节模式，将输出电流限制在所需水平。电流限制阈值可以通过外部电阻在500 mA至2.1 A之间进行用户调节，也可以是内部固定的。功率开关的上升和下降时间受到控制，以最大限度地减少开关过程中的电流振铃。内部反向电压检测比较器在输出电压高于输入电压时禁用功率开关，以保护开关输入侧的设备。FLAG逻辑输出在过流、反向电压或过温条件下置为低电平。开关由一个逻辑使能输入控制，该输入可以是高电平有效或低电平有效。

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型号：MURD320T4G 编号：C152459

封装：TO-252-2

品牌：onsemi(安森美)

这些先进的器件设计用于开关电源、逆变器，并可作为续流二极管。

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型号：FDMC6675BZ 编号：C890937

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

FDMC6675BZ专为最大限度降低负载开关应用中的损耗而设计。它结合了硅技术和封装技术的先进成果，可提供极低的导通电阻RDS(on)和静电放电（ESD）保护。

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型号：MC33074DR2G 编号：C43547

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC33071/72/74、MC34071/72/74和NCV33072/74A系列单片运算放大器采用了高质量的双极型制造工艺和创新的设计理念。这一系列运算放大器提供了4.5 MHz的增益带宽积、13 V/μs的摆率以及快速建立时间，且未使用JFET器件技术。虽然这一系列可以采用双电源供电工作，但特别适合单电源供电，因为其共模输入电压范围包括地电位（VEE）。凭借达林顿输入级，该系列表现出高输入阻抗、低输入偏移电压和高增益。全NPN输出级的特点是没有死区交叉失真和大输出电压摆幅，提供了高电容驱动能力、优异的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源/吸交流频率响应。

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型号：MBR360G 编号：C150251

封装：DO-201AD

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。

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￥3.22
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型号：MC7915BTG 编号：C111284

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

固定输出负电压调节器是流行的 MC7800 系列设备的补充。这些负电压调节器提供与 MC7800 设备相同的七种电压选项。此外，MECL 系统中常用的一种额外电压选项在负 MC7900 系列中也可用。提供从 -5.0V 到 -24V 的固定输出电压选项，这些调节器采用了限流、热关断和安全区补偿功能，使其在大多数工作条件下都非常坚固。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。

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型号：H11L1SR2M 编号：C20082

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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￥3.67
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￥2.54
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型号：UC3845BVD1R2G 编号：C146766

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的成本高效方案。这些集成电路具有振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，有输入和参考欠压锁定且均具有迟滞、按周期电流限制、用于单脉冲计量的锁存，以及每隔一个振荡器周期即对输出进行间隔关断的触发器，可将输出停滞时间编程为 50% 到 70%。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有单独的电源和接地引脚用于图腾柱输出级。UCX844B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX845B 针对 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压阈值而量身定制。

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型号：MC7805ACD2TR4G 编号：C152460

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计用作各种应用的固定电压调节器，包括本地、板载调节。这些调节器采用内部限流、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件可与外部元件配合使用，以获得可调电压和电流。

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型号：NCP718AMTADJTBG 编号：C892785

封装：WDFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP718是一款300 mA的低压差（LDO）线性稳压器。它是一款非常稳定且精确的器件，具有超低静态电流消耗（在全温度范围内典型值为4 μA）和较宽的输入电压范围（最高可达24 V）。

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￥4.09
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型号：NCV8402ASTT3G 编号：C236053

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCV8402 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件提供保护，适用于严苛的汽车环境。

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型号：MOC3052SR2M 编号：C19864

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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型号：NDT3055L 编号：C274612

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这些逻辑电平 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度 DMOS 技术制造。这种超高密度工艺经过专门设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件特别适用于低压应用，如直流电机控制和 DC/DC 转换，在这些应用中需要快速开关、低线路功耗和抗瞬态能力

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￥4.21
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