安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存

型号：FDML7610S 编号：C891033

封装：MLP-8(3x4.5)

品牌：onsemi(安森美)

该器件在双MLP封装中包括有两个专门的N沟道MOSFET。在内部已连接了开关节点，以便于同步降压转换器的布局和路由。控制 MOSFET (Q1)和同步 SyncFET (Q2) 旨在提供优化的功效。

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型号：FDMS86252L 编号：C606108

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。

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型号：FSV20150V 编号：C606024

封装：TO-277-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低正向压降。低热阻。超薄外形：典型高度为1.1mm。沟槽肖特基技术。符合IEC61249标准的绿色模塑料。仅无DAP选项。这些器件无铅、无卤素且符合RoHS标准

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型号：SG3525ADWR2G 编号：C30293

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

SG3525A PWM 控制器提供了更高性能，更少的外部零部件数量，可实施用于控制所有类型的开关电源。片上 +5.1 V 参考微调为 +/-1%，误差放大器具有包括参考电压的输入共哦电压范围，因此无需外部分压器电阻。振荡器的同步输入让多个设备可以成为从属设备，也可以让一个设备与外部系统时钟进行同步。通过在 CT 和放电引脚之间联接的一个电阻可以变成较宽的停滞时间范围。此器件还具有内置软启动电路，仅需一个外部计时电容器。一个关断引脚同时控制软启动电路和输出级，通过带脉冲关断的 PW 锁存以及带有更长关断命令的软启动再循环提供瞬时关断。当 VCC 低于标称值时，欠压锁定将禁止软启动电容器的输出和更换。输出级为图腾柱设计，可以接收和提供超过 200 mA 的电流。SG3525A 的输出级具有 NOR 逻辑，可对于关状态产生低输出。

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型号：FSV1045V 编号：C895433

封装：TO-277-3

品牌：onsemi(安森美)

FSV1045V 肖特基整流器具有突破性尺寸和性能。该器件针对移动充电器应用进行了优化。在充电器设计中，高温条件下该器件仅灌入 18 mA 的反向电流，并在 1 A 工作电流下提供 0.18 V 的正向压降。

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型号：FQPF4N90C 编号：C2696

封装：TO-220F-3

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,900V,4A,4.2Ω@10V

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型号：RHRP1560 编号：C124447

封装：TO-220-2

品牌：onsemi(安森美)

RHRP1560 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。

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型号：NVD5C684NLT4G 编号：C236252

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 DPAK 封装中且具有较高的热性能。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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型号：NCP12700BDNR2G 编号：C603535

封装：MSOP-10

品牌：onsemi(安森美)

NCP12700 是一款固定频率、峰值电流模式 PWM 控制器，具有实施单端功率转换器拓扑结构所需的所有功能。该器件具有高电压启动特性，能够在很宽的输入范围内运行 (9 – 120/200 V MSOP10/WQFN10) 并提供至少 20 mA 电源，在启动期间为 VCC 提供临时偏置。该控制器提供可调节软启动、输入电压 UVLO 保护以及可调节的过功率保护电路，会在输入电压提高时限制电路的总功率能力，简化系统散热设计。UVLO 还具有一个关断比较器，允许外部型号禁用开关，将控制器带入低静止状态。

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型号：MBR20200CTG 编号：C2727

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。此先进器件适用于高频率开关电源和转换器，最高为 48 V 输出。此器件会阻挡高达 200 v 电压，在 250 kHz 至 5.0 MHz 的频率下提供改善的肖特基性能。

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型号：FDD86367 编号：C903589

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻：在VGS = 10V，ID = 80A时为3.3mΩ。典型总栅极电荷：在VGS = 10V，ID = 80A时为68nC。具有UIS能力。无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。应用：动力总成管理。电磁阀和电机驱动器

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型号：FAN73901MX 编号：C380794

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN73901 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得 FAN73901 适用于开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用。

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型号：NJW0302G 编号：C160665

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管卓越的增益线性和安全运行区域性能使其适用于高保真音频放大器输出级和其他线性应用。

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型号：LM2576D2TR4-5G 编号：C70354

封装：D2PAK-5

品牌：onsemi(安森美)

LM2576系列稳压器是单片集成电路，非常适合用于轻松便捷地设计降压型开关稳压器（降压转换器）。该系列的所有电路都能驱动3.0 A负载，且具有出色的线性和负载调节特性。这些器件提供3.3 V、5.0 V、12 V、15 V的固定输出电压版本，以及可调输出版本

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型号：NCP5181DR2G 编号：C435715

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥（或任何其他高端 + 低端）配置排列的2个N沟道功率MOSFET。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。该驱动器配有2个独立输入，适用于任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源钳位和全桥等）

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型号：LM2576D2T-ADJR4G 编号：C70351

封装：D2PAK-5

品牌：onsemi(安森美)

LM2576系列稳压器是单片集成电路，非常适合用于轻松便捷地设计降压型开关稳压器（降压转换器）。该系列的所有电路都能驱动3.0 A负载，且具有出色的线性和负载调节特性。这些器件提供3.3 V、5.0 V、12 V、15 V的固定输出电压版本，以及可调输出版本

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型号：FDA24N40F 编号：C898136

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的反向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，反向 dv/dt 抗扰度为15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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型号：FCD850N80Z 编号：C455150

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。另外，内部门极电源 ESD 二极管可承受 2kV 以上的 HBM 浪涌应力。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。

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型号：RHRG30120 编号：C11753

封装：TO-247-2

品牌：onsemi(安森美)

RHRG30120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。

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￥17.14
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450+
￥9.64
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型号：NTB25P06T4G 编号：C223555

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。此类器件针对电源、转换器和电源电机控制中的低压、高速开关应用而设计，尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。

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￥13.43
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￥10.41

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型号：LB1836M-TLM-E 编号：C71031

封装：LSOP-14-175mil

品牌：onsemi(安森美)

LB1836M是一款低饱和双通道双向电机驱动IC，适用于低电压应用。LB1836M是一款双极步进电机驱动IC，非常适合用于打印机、软盘驱动器（FDD）、相机和其他便携式设备。

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￥20.18
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￥16.38
100+
￥14.4
500+
￥13.72

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型号：FGA40N65SMD 编号：C444005

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电感加热、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

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￥23.84
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￥20.85
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￥16.08
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￥14.16
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￥13.29
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￥12.92

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型号：FGH75T65SHDTL4 编号：C898195

封装：TO-247-4LD

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

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￥33.57
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￥28.45
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￥25.4
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￥22.33
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￥20.91
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￥20.27

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型号：1N914BTR 编号：C258180

封装：DO-35

品牌：onsemi(安森美)

高电导快速二极管

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50+
￥0.1324
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￥0.1073
1500+
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￥0.0737

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型号：MMSD4148T3G 编号：C232560

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。

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20+
￥0.1429
200+
￥0.1101
600+
￥0.0918
2000+
￥0.0809
10000+
￥0.0714

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型号：BAS40LT1G 编号：C232531

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装极其适合空间受限的手持和便携式应用。

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10+
￥0.1809
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￥0.1583
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￥0.147
3000+
￥0.1241
6000+
￥0.1174
9000+
￥0.114

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型号：BC818-40LT1G 编号：C154797

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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20+
￥0.2152
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￥0.1651
600+
￥0.1373
3000+
￥0.1206
9000+
￥0.1061
21000+
￥0.0983

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型号：MM3Z12VST1G 编号：C236107

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

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20+
￥0.2362
200+
￥0.1886
600+
￥0.1621
3000+
￥0.1423

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型号：MM3Z6V2T1G 编号：C393369

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

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20+
￥0.2433
200+
￥0.191
600+
￥0.1619
3000+
￥0.1445
9000+
￥0.1293
21000+
￥0.1212

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型号：MMSZ4694T1G 编号：C223611

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计便于自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（> 16 kV）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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10+
￥0.2485
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￥0.1943
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