安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存

型号：NCV4264-2ST50T3G 编号：C73115

封装：SOT-223-3

品牌：onsemi(安森美)

NCV4264−2在功能和引脚方面与NCV4264兼容，且静态电流消耗更低。其输出级可提供100 mA电流，输出电压精度为±2.0%。在100 mA负载电流下，最大压降为500 mV

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型号：DF04S 编号：C232846

封装：SDIP-4

品牌：onsemi(安森美)

随着提高电源效率、提高浪涌额定值、提高可靠性和减小尺寸的迫切需求，该系列产品在性能方面树立了标准。该设计提供 50A 的浪涌额定值，这对于提高可靠性和效率很重要。高效设计力求降低电路电阻，但这可能会导致浪涌电流增加。因此，可能需要高浪涌电流额定值来维持或提高可靠性。该设计还通过在 25℃ 时实现 1.5A 下最大 1.1V 的正向压降（VF）来提高效率。较低的 VF 也有助于实现更凉爽、更高效的运行。最后，该系列产品采用 SDIP 表面贴装形式，与竞争产品相比，减少了电路板空间和体积要求。

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型号：NCV8405ASTT1G 编号：C223559

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCV8405 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件适用于严苛的汽车环境。

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型号：NTHD4102PT1G 编号：C275999

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET -20 V，-4.1 A 双 P 沟道 ChipFET

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型号：74LCX245MTCX 编号：C6020

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

LCX245包含八个具有三态输出的同相双向缓冲器，适用于总线型应用。该器件专为低电压（2.5V和3V）设计。

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型号：MJD31CRLG 编号：C233747

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD31、MJD31C (NPN) 和 MJD32、MJD32C (PNP) 为互补器件。

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型号：FDMC510P 编号：C890933

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺已针对r

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型号：NCP1031MNTXG 编号：C603438

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP1031是一款高集成度微型高压单片开关调节器,适用于48V电信和42V汽车应用。该系列器件可在任何单端拓扑中配置,如正激式或反激式。NCP1031适用于最大6W的应用。

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型号：FAN3225TMPX 编号：C890697

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3223 提供两个反相驱动器，FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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型号：74LVX4245MTCX 编号：C61186

封装：TSSOP-24

品牌：onsemi(安森美)

是一款双电源、8位转换收发器，设计用于在3V/5V混合电源环境中的5V总线和3V总线之间进行接口。发送/接收（T/R）输入决定数据流方向。发送（高电平有效）使数据从A端口流向B端口；接收（低电平有效）使数据从B端口流向A端口。输出使能输入为高电平时，通过将A和B端口置于高阻抗状态来禁用它们。A端口与5V总线接口；B端口与3V总线接口。适用于混合电压应用，如使用3.3V CPU和5V LCD显示器的笔记本电脑。

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型号：FDD8444 编号：C10869

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCP730ASN330T1G 编号：C892814

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

是一款CMOS LDO稳压器，设计用于高达38V的输入电压和150mA的输出电流。仅1μA的静态电流使其成为电池供电、始终开启系统的理想解决方案。有几种固定输出电压版本以及可调版本。该器件（B版本）实现了电源良好电路（PG），用于指示输出电压是否处于稳压状态，此信号可用于电源排序或作为微控制器复位信号。内部短路和过温保护可防止器件在过载条件下损坏。

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型号：FL7921RMX 编号：C367382

封装：SOP-16

品牌：onsemi(安森美)

高度集成的 FL7921R 集成了功率因数校正 (PFC) 控制器和准谐振 PWM 控制器。这种集成设计降低了成本，减少了外部元件数量。对于 PFC，FL7921R 采用受控导通时间技术，提供稳定的直流输出电压，并实现自然功率因数校正。创新的 THD 优化器可减少过零期间的输入电流失真，改善 THD 性能。无论 PWM 级负载条件如何，PFC 功能始终开启，以确保在轻载条件下也能实现高功率因数。对于 PWM，FL7921R 提供多种功能来提升电源系统性能：谷底检测、绿色模式运行、高低线过功率补偿。保护功能包括次级侧开环和过流自动恢复保护、外部恢复触发、通过 RT 引脚和外部 NTC 电阻实现的可调过温保护、内部过温关断、VDD 引脚过压保护、DET 引脚过压以实现输出过压保护，以及交流输入电压欠压保护的欠压/欠压恢复。除 PWM 电流检测引脚开路保护外，所有保护均为自动恢复模式。FL7921R 控制器采用 16 引脚小外形封装 (SOP)。

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￥6.045 ￥15.5
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型号：FAN3227TMPX 编号：C890701

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3226 提供两个反向驱动器，FAN3227 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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￥6.552 ￥7.8
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￥5.2466 ￥7.09
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￥4 ￥6.25
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￥3.8208 ￥5.97

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型号：NVMFS5C673NLAFT1G 编号：C606161

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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￥6.89
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￥5.74
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￥5.11
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￥4.4
500+
￥4.08

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型号：HCPL2630SDM 编号：C899520

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道光耦合器包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供出色的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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￥7.62
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￥5.73
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￥5.46

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型号：MBRB20H100CTT4G 编号：C235758

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

增强型肖特基势垒整流器，VF 更低，浪涌能力更高，IR 参数更低

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￥7.73
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￥5.86
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￥5.11
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￥4.44
800+
￥4.29

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型号：FDD850N10L 编号：C903586

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

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￥8
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￥6.76
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￥6.08
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￥4.66
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￥4.32
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型号：FOD8480R2 编号：C899356

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8480 和 FOD8482 是低功率光耦合器，支持智能功率模块 (IPM) 的隔离接口，从控制器向 IPM 传输数字控制信号，无需导通接地回路或危险电压。FOD848x 系列采用拉伸体、6 引脚小型塑料封装，包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管和一个集成式高增益集成高增益光电探测器。检测器具有带磁滞的检测器阈值。磁滞提供了差分模式噪声抗干扰性，消除了输出信号颤振的可能性。它的非反相输出设计作为图腾柱，不需要任何上拉电阻。FOD8482 有一个低阈值输入电流 IFLH，最大为 3.0 mA。对于 FOD848x 全系列，在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 4.5 V 至 30 V 的 VDD 范围内可保证其电气和开关特性。低 IF 和宽 VDD 范围，可与 TTL、LSTTL 和 CMOS 逻辑电平兼容，与其他高速光耦合器相比，功耗更低。

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￥8.32
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￥6.94
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￥6.19
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￥4.73
500+
￥4.35
1000+
￥4.18

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型号：NCP81611MNTXG 编号：C603823

封装：TSSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

NCP81611是一款多相同步控制器,专为新一代计算和图形处理器优化。该设备最多可驱动4相,具有差分电压和相电流检测、自适应电压定位和计算机或图形控制器接口。集成的电源节省接口（PSI）允许处理器将控制器设置为三种模式之一,即所有相开启、动态相卸载或固定低相数模式,以在轻负载条件下获得高效率。双边缘PWM多相架构确保快速瞬态响应和良好的动态电流平衡。

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￥8.4402 ￥10.42
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￥6.7308 ￥9.48
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￥5.429 ￥8.9
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￥5.063 ￥8.3
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￥4.8251 ￥7.91

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型号：NCP1075STCT3G 编号：C894956

封装：SOT-223-4

品牌：onsemi(安森美)

NCP1072 / NCP1075 产品集成了固定频率电流模式控制器和 700 V MOSFET。NCP1072/5 采用 PDIP-7 或 SOT-223 封装，提供了高水平的集成，包括软启动、频率抖动、短路保护、跳过周期、最大峰值电流设定点、斜坡补偿以及动态自供电（无需辅助绕组）。与其他单片方案不同，NCP1072/5 具有无噪音特性：在正常负载运行期间，在某个可用频率进行开关的时候（65，100，130 kHz）。当输出功率需求消失时，该集成电路将自动进入频率折回模式，在轻负载下提供卓越能效。当功率需求进一步降低时，它进入跳过模式，将待机功耗降低到无负载条件。保护功能包括：检测过载或短路事件的计时器、带自动恢复的过电压保护，以及交流输入线路电压检测。为了提高待机性能，连接辅助绕组会停止 DSS 运行，有助于将高电平线路的输入功耗降至 50 mW 以下。

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1+
￥8.78
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￥7.27
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￥6.44
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￥5.07
500+
￥4.65
1000+
￥4.47

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型号：FDMS039N08B 编号：C891043

封装：Power-56

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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1+
￥8.86
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￥7.37
30+
￥6.55
100+
￥5.63
500+
￥5.22
1000+
￥5.03

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型号：MBRB20200CTT4G 编号：C236141

封装：D2PAK-3

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。此先进器件适用于高频率开关电源和转换器，最高为 48 V 输出。此器件会阻挡高达 200 v 电压，在 250 kHz 至 5.0MHz 的频率下提供改善的肖特基性能。

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1+
￥9.8
10+
￥8.02
30+
￥7.04
100+
￥5.93
500+
￥5.44
800+
￥5.22

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型号：MBR20200CTG 编号：C2727

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。此先进器件适用于高频率开关电源和转换器，最高为 48 V 输出。此器件会阻挡高达 200 v 电压，在 250 kHz 至 5.0 MHz 的频率下提供改善的肖特基性能。

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1+
￥11.13
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￥9.35
50+
￥7.82
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￥6.71
500+
￥6.22
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￥6

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型号：LM2594DADJR2G 编号：C153777

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

LM2594是一款单片集成电路,适用于设计高效降压型开关稳压器。它能够驱动0.5A负载,具有良好的线路和负载调节性能。该器件内部补偿,减少了外部组件数量,简化了电源设计。

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￥11.32
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￥9.51
30+
￥8.38
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￥7.23
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￥6.7
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型号：FGP20N60UFDTU 编号：C463254

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

采用新型场截止绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术，仙童半导体的场截止IGBT为太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、焊机和功率因数校正（PFC）应用提供了最佳性能，这些应用对低导通损耗和开关损耗有严格要求。

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￥12.4
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￥9.44
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￥8.8
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￥8.51
1000+
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型号：FDMS86350 编号：C2847346

封装：Power(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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￥14.0012 ￥24.14
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￥9.9936 ￥20.82
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￥7.163 ￥18.85
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￥6.0534 ￥15.93
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￥5.8976 ￥15.52

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型号：FDPF12N60NZ 编号：C36638

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM II MOSFET 是基于先进的平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此先进的 MOSFET 系列在平面 MOSFET 中具有最小的导通电阻，同时可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。另外，内部门极电源 ESD 二极管使得 UniFET II MOSFET 可承受 2kV 以上的 HBM 电涌应力。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥14.02
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￥11.92
50+
￥9.9
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￥8.54
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￥7.93
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￥7.67

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型号：NCP5183DR2G 编号：C904511

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5183 是一款高电压高电流功率 MOSFET 驱动器，提供两个输出，用于驱动 2 个组织为半桥（或任何其他高压侧 + 低压侧）配置的 N 沟道功率 MOSFET。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥）。

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1+
￥14.83
10+
￥12.89
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￥11.67
100+
￥9.07
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￥8.5
1000+
￥8.26

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型号：FDP20N50F 编号：C899149

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和 4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥17.7
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￥15.01
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