安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

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描述

价格(含税)

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操作

具有同步整流控制功能的先进次级端LLC谐振变换器控制器

型号：FAN7688SJX 编号：C604981

封装：SOP-16-5.4mm

品牌：onsemi(安森美)

FAN7688 是一款用于 LLC 谐振转换器的先进脉冲频率调制 (PFM) 控制器，且带有同步整流 (SR)，为隔离式 DC/DC 转换器提供业内最佳能效。它采用基于电荷控制的最新模式控制技术，其中来自振荡器的三角波形与集成开关电流信息相结合来确定开关频率。这提供了功率级更好的控制-输出传递功能，简化了反馈回路设计，同时实现了真正的输入功率限制功能。闭环软启动防止了误差放大器的饱和，允许输出电压的单调上升，而不管负载条件如何。双缘跟踪自适应停滞时间控制最大程度缩短了体二极管导通时间，从而最大程度提高能效。

数据手册

1+
￥12.31
10+
￥10.35
30+
￥9.12
100+
￥7.87
500+
￥7.3
1000+
￥7.06

有货

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精密运算放大器，25μV失调，零漂移，36V电源，2MHz

型号：NCS21911SN2T1G 编号：C603837

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCS2191x系列高精度运算放大器具有低输入失调电压，且随时间和温度的漂移近乎为零。这些运算放大器在4 V至36 V的宽电源电压范围内工作，静态电流低。轨到轨输出摆幅可达到离电源轨10 mV以内。该系列包括单通道NCS(V)21911、双通道NCS(V)21912和四通道NCS(V)21914，提供多种封装形式。所有版本均规定在-40°C至+125°C的温度范围内工作。带有NCV前缀的产品为汽车级合格选项。

数据手册

1+
￥13.16
10+
￥11.12
30+
￥9.84
100+
￥8.12
500+
￥7.53
1000+
￥7.28

有货

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PNP 电流:15A 电压:250V

型号：NJW0302G 编号：C160665

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管卓越的增益线性和安全运行区域性能使其适用于高保真音频放大器输出级和其他线性应用。

数据手册

1+
￥13.73
10+
￥12
30+
￥9.3
90+
￥8.19
510+
￥7.69
990+
￥7.47

有货

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N沟道耐压:80V 电流:130A

型号：FDMS86350 编号：C2847346

封装：Power(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥14.0012 ￥24.14
10+
￥9.9936 ￥20.82
30+
￥7.163 ￥18.85
100+
￥6.403 ￥16.85
500+
￥6.0534 ￥15.93
1000+
￥5.8976 ￥15.52

有货

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高压高端和低端驱动器

型号：NCP5181DR2G 编号：C435715

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥（或任何其他高端 + 低端）配置排列的2个N沟道功率MOSFET。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。该驱动器配有2个独立输入，适用于任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源钳位和全桥等）

数据手册

1+
￥14.07
10+
￥12.2
30+
￥11.03
100+
￥7.59
500+
￥7.05
1000+
￥6.81

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:55A

型号：FQP55N10 编号：C899378

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

这是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用专有平面条纹和DMOS技术。该先进MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

数据手册

1+
￥15.55
10+
￥13.36
50+
￥9.97
100+
￥8.57
500+
￥7.93
1000+
￥7.66

有货

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1个N沟道耐压:400V 电流:23A

型号：FDA24N40F 编号：C898136

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的反向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，反向 dv/dt 抗扰度为15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥17.97
10+
￥15.3
30+
￥13.63
100+
￥11.92
450+
￥11.15
900+
￥10.82

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:27.5A

型号：NTB25P06T4G 编号：C223555

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。此类器件针对电源、转换器和电源电机控制中的低压、高速开关应用而设计，尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。

数据手册

1+
￥18.08
10+
￥15.22
30+
￥13.43
100+
￥11.59
500+
￥10.77
800+
￥10.41

有货

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1个N沟道耐压:500V 电流:28A

型号：FDA28N50 编号：C105685

封装：TO-3P-3

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥20.8
10+
￥17.87
30+
￥16.14
90+
￥14.38
450+
￥13.57
900+
￥13.2

有货

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NTH4L070N120M3S

型号：NTH4L070N120M3S 编号：C19673850

封装：TO-247-4L

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻 RDS(on) = 65 mΩ（VGS = 18 V）。超低栅极电荷（QG(tot) = 57 nC）。低电容高速开关（Coss = 57 pF）。 100%雪崩测试。该器件无卤，符合 RoHS 指令豁免条款 7a，二级互连无铅。应用：太阳能逆变器。电动汽车充电站

1+
￥27.61
10+
￥23.4
30+
￥20.89
90+
￥18.36
450+
￥17.19
900+
￥16.67

有货

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FGH40T120SMD

型号：FGH40T120SMD 编号：C462120

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止沟槽 IGBT 系列采用创新的场截止沟槽 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。

数据手册

1+
￥27.81
10+
￥22.25
30+
￥19.87
90+
￥17.46
510+
￥16.35
990+
￥15.85

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:20A

型号：NTHL190N65S3HF 编号：C898284

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统，实现系统小型化和更高能效。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

数据手册

1+
￥33.03
10+
￥28.56
30+
￥25.9
90+
￥23.21

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:35A

型号：FCH110N65F-F155 编号：C398042

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

数据手册

1+
￥37.6584 ￥48.28
10+
￥32.7756 ￥42.02
30+
￥29.8038 ￥38.21
100+
￥27.3078 ￥35.01

有货

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600V 160A

型号：SGL160N60UFDTU 编号：C11757

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

绝缘栅双极晶体管（IGBT）提供低传导和开关损耗。专为需要高速开关的应用而设计，如电机控制和通用逆变器。

数据手册

1+
￥59.8
10+
￥58.47
25+
￥53.12
100+
￥48.64

有货

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120V 200mA

型号：BAS19LT1G 编号：C232582

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高压开关二极管适合高压、高速开关应用。此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了两个电气隔离的高电压开关二极管。

数据手册

20+
￥0.096876 ￥0.1404
200+
￥0.07257 ￥0.123
600+
￥0.055517 ￥0.1133
3000+
￥0.052675 ￥0.1075
9000+
￥0.050176 ￥0.1024
21000+
￥0.048853 ￥0.0997

有货

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100V 200mA

型号：1N4148TA 编号：C124481

封装：DO-35

品牌：onsemi(安森美)

高电导快速二极管

数据手册

50+
￥0.1009
500+
￥0.0793
1500+
￥0.0673
5000+
￥0.0544
25000+
￥0.0482
50000+
￥0.0448

有货

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100V 215mA

型号：BAV99WT1G 编号：C82078

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。此双二极管器件在 SC-70/SOT-323 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。

数据手册

20+
￥0.1728
200+
￥0.1355
600+
￥0.1148
3000+
￥0.0942
9000+
￥0.0834
21000+
￥0.0776

有货

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NPN 电流:200mA 电压:40V

型号：MMBT3904WT1G 编号：C58011

封装：SC-70(SOT-323)

品牌：onsemi(安森美)

此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-323/SC-70 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.176
200+
￥0.1397
600+
￥0.1195
3000+
￥0.0903
9000+
￥0.0798
21000+
￥0.0741

有货

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NPN 电流:100mA 电压:45V

型号：BC850CLT1G 编号：C78484

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适合低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.1992
200+
￥0.1533
600+
￥0.1278
3000+
￥0.1125
9000+
￥0.0992
21000+
￥0.0921

有货

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NPN 30V 300mA

型号：MMBTA13LT1G 编号：C128012

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 NPN 双极达林顿晶体管适用于打印字锤、继电器、电磁阀和灯驱动器等开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适合低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2048
200+
￥0.1623
600+
￥0.1387
3000+
￥0.1245
9000+
￥0.1122
21000+
￥0.1056

有货

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100V 215mA

型号：BAV99LT3G 编号：C150240

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。

数据手册

20+
￥0.2127
200+
￥0.1698
600+
￥0.146
2000+
￥0.1317

有货

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独立式耐压:5.1V 电流:2uA@2V

型号：MM3Z5V1T1G 编号：C75074

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.213
200+
￥0.1687
600+
￥0.1441
3000+
￥0.1252

有货

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NPN 电流:500mA 电压:45V

型号：BC817-16LT3G 编号：C232535

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2147
200+
￥0.1696
600+
￥0.1445
2000+
￥0.1294

有货

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100V 200mA

型号：BAS16XV2T1G 编号：C152479

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

特性：高速开关应用。引脚镀层：100%雾锡（Tin）。合格的回流温度：260℃。极小的SOD-523封装。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准

数据手册

20+
￥0.2154
200+
￥0.1713
600+
￥0.1468
3000+
￥0.1201
9000+
￥0.1074
21000+
￥0.1005

有货

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NPN 电流:100mA 电压:65V

型号：BC846BLT1G 编号：C82477

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2174
200+
￥0.1816
600+
￥0.1617
3000+
￥0.1372
9000+
￥0.1269
21000+
￥0.1213

有货

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独立式耐压:11V 电流:0.1uA@8.0V

型号：MM3Z11VT1G 编号：C242271

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功耗为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，在空间有限的情况下特别有吸引力。

数据手册

20+
￥0.2366
200+
￥0.1826
600+
￥0.1526
3000+
￥0.1346
9000+
￥0.119
21000+
￥0.1106

有货

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NPN 电流:100mA 电压:30V

型号：BC848BLT1G 编号：C163725

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适合低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2376
200+
￥0.1869
600+
￥0.1587
3000+
￥0.1418

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:310mA

型号：2N7002ET1G 编号：C71533

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道 MOSFET，小信号，60V，310mA，2.5 Ω 沟槽，N 沟道， SOT23

数据手册

20+
￥0.2393
200+
￥0.1915
600+
￥0.165
3000+
￥0.1408
9000+
￥0.127
21000+
￥0.1195

有货

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NPN+PNP 电流:100mA 电压:45V

型号：BC847BPDW1T1G 编号：C232590

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用SOT-363/SC-88封装，该封装专为低功率表面贴装应用而设计。

数据手册

10+
￥0.2636
100+
￥0.2112
300+
￥0.1851
3000+
￥0.1654
6000+
￥0.1497
9000+
￥0.1419

有货

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NPN 电流:500mA 电压:45V

型号：BC817-25LT1G 编号：C82635

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2666
200+
￥0.2088
600+
￥0.1767
3000+
￥0.1392
9000+
￥0.1225
21000+
￥0.1135

有货

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