安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存

型号：SZNUD3124DMT1G 编号：C894716

封装：SC-74-6

品牌：onsemi(安森美)

此微型集成器件提供了单组件方案，可用于开关直感负载，如继电器、电磁开关白炽灯以及小型直流电机，而无需续流二极管。它接受逻辑电平输入，因此能够通过各种器件进行驱动，包括逻辑门极、逆变器和微控制器。

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￥2.5228
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型号：KA7500CDTF 编号：C124458

封装：SO-16

品牌：onsemi(安森美)

KA7500C用于脉宽调制开关稳压器的控制电路。KA7500C由5V基准电压电路、两个误差放大器、触发器、一个输出控制电路、一个PWM比较器、一个死区时间比较器和一个振荡器组成

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￥2.56
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型号：SURS8360BT3G 编号：C235755

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

适用于高压、高频整流，或在尺寸和重量对系统至关重要的表面贴装应用中用作续流和保护二极管。

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￥2.56
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型号：MC33204DR2G 编号：C146793

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC33201/2/4系列运算放大器在输入和输出端均支持轨到轨操作。输入信号的幅度可比电源轨高200 mV，而输出端不会出现相位反转，且输出摆幅可接近每个电源轨50 mV。这种轨到轨操作使用户能够充分利用可用的电源电压范围

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￥2.62
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￥2.07
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型号：NTF6P02T3G 编号：C179617

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，-20V，-10A，50mΩ，单 P 沟道，SOT-223，逻辑电平

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型号：1N5822RLG 编号：C232464

封装：DO-201AD

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用铬势垒金属、氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。

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￥2.68
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￥2.09
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型号：MM74HC14MX 编号：C232776

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MM74HC14采用先进的硅栅CMOS技术，实现了标准CMOS的低功耗和高抗噪声能力，以及驱动10个LS-TTL负载的能力。74HC逻辑系列在功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。所有输入均通过连接到VCC和地的内部二极管钳位保护，防止因静电放电而损坏

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型号：MBRS4201T3G 编号：C145187

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

特性：正向电压低于任何超快整流器：在150℃时，VF < 0.61V。快速开关速度：反向恢复时间 (tRR) < 35 ns。软恢复特性：软度因子 (tb / ta) ≥ 1。高温下高度稳定。通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序能力。 NRVB前缀适用于需要独特产地和控制变更要求的汽车及其他应用；通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序能力。应用：发动机和便利控制系统。电机控制

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￥1.91
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型号：S3N 编号：C719829

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

表面贴装整流器

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￥2.82
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￥1.62
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型号：NCV1117DTARKG 编号：C179598

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

是低 dropout 正电压调节器，能够提供超过 1.0A 的输出电流，在 800mA 时最大 dropout 电压为 1.2V。该系列包含 1.5V、1.8V、1.9V、2.0V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V 和 12V 九种固定输出电压，无需最小负载即可保持稳压。还包括一个可调输出版本，可通过两个外部电阻从 1.25V 编程到 18.8V。片上微调可将参考/输出电压调整到 ±1.0% 的精度。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和热关断。可在高达 20V 的输入下工作。器件有 SOT-223 和 DPAK 封装。

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￥2.84
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￥2.2
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￥1.93
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型号：NCL2801CDADR2G 编号：C497423

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCL2801 是一款电流模式 CRM 升压 PFC 控制集成电路，利用安森美半导体的 THD 增强技术可在更宽的运行范围内提供最佳等级的 THD 性能。能效和待机功率性能通过谷计数频率折回 (VCFF) 方法得以增强。

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￥2.84
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￥2.21
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型号：MC7815CTG 编号：C110909

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计为固定电压调节器，适用于包括本地、板载调节在内的各种应用。这些调节器采用内部电流限制、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过1.0 A的输出电流。

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型号：MC33174DR2G 编号：C113552

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

单片运算放大器采用优质双极工艺和创新设计理念。这些器件每个放大器的工作电流为180 A，无需使用JFET器件技术即可提供1.8 MHz的增益带宽积和2.1 V/s的压摆率。虽然该系列可以采用双电源供电，但由于共模输入电压包含地电位(VEE)，因此尤其适合单电源供电。这些器件采用达林顿输入级，具有高输入电阻、低输入失调电压和高增益。全NPN输出级具有无死区交越失真和大输出电压摆幅的特点可提供高电容驱动能力、出色的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的拉/吸交流频率响应。

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￥2.97
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￥2.03
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型号：2SC5566-TD-E 编号：C154832

封装：SOT-89

品牌：onsemi(安森美)

特性：采用FBET和MBIT工艺。集电极-发射极饱和电压低。超小封装，便于终端产品小型化。允许的功率耗散高。电流容量大。高速开关。应用：继电器驱动器。灯驱动器

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￥3.02
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型号：NDS9948 编号：C274609

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 20V) 的电源管理应用进行了优化。

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￥3.11
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￥1.91
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型号：ESD7104MUTAG 编号：C328026

封装：UDFN-10(1x2.5)

品牌：onsemi(安森美)

ESD7104浪涌保护器旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护对电压敏感的高速数据线的理想解决方案。直插式封装便于进行PCB布局，并能匹配走线长度，这对于保持高速差分线（如USB 3）之间的阻抗一致性十分必要

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￥3.14
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￥2.52
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型号：MC74HC244ADTR2G 编号：C233462

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

高性能硅门极 CMOS MC74HC244A 与 LS244 的引脚输出相同。该器件输入与标准 CMOS 输出兼容；带有上拉电阻，它们与 LSTTL 输出兼容。此八路非逆向缓冲器//线路驱动器/线路接收器设计用于 3 态存储器地址驱动器、时钟驱动器和和其他总线导向型系统。该器件具有非反相输出和两个有效低电平输出启用。HC244A 的功能与 HC240A 和 HC241A 相似。

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￥3.14
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￥2.14
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￥1.76
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￥1.59
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型号：FDC6306P 编号：C124461

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此类 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的 SO-8 和 TSSOP-8 封装的应用，可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。

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￥3.17
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￥2.46
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￥2.15
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￥1.77
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￥1.5

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型号：MJE340G 编号：C898406

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极功率晶体管用于高电压通用型应用。

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￥3.19
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型号：KSD1691YSTU 编号：C386785

封装：TO-126

品牌：onsemi(安森美)

NPN外延硅晶体管

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￥3.24
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￥2.54
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￥2.24
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￥1.51

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型号：NUP2202W1T2G 编号：C89322

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

VBR=6V，Vc=20V，Ipp=28A

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￥3.28
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￥2.27
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￥1.55

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型号：FDS6690A 编号：C87667

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

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1+
￥3.29
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￥2.65
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￥2.33
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￥2.02
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￥1.83
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型号：MC74HC4040ADTR2G 编号：C327490

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

MC74C4040A 与标准 CMOS MC14040 的引脚输出相同。该器件输入兼容标准的 CMOS 输出；带有上拉电阻器，可兼容 LSTTL 输出。该器件由 12 个主-从触发器组成。每个触发器的输出馈送到下一个触发器，每个输出处的频率为上一个的一半。该状态计数器在时钟输入的负向边前进一次。重置为异步和有效高电平。由于内部波纹延迟，Q 输出的状态变化不会同时发生。因此，解码的输出信号容易发生解码尖峰，对于某些设计可能必须使用 HC4040A 的时钟进行门控。

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1+
￥3.34
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￥2.65
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￥2.35
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￥1.98
500+
￥1.71
1000+
￥1.61

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型号：MBRD1045T4G 编号：C110907

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用金属-硅功率整流器。它具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。

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1+
￥3.34
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￥2.67
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￥2.33
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￥1.95
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￥1.75
1000+
￥1.65

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型号：MC74LCX245DTR2G 编号：C7583

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

MC74LCX245 是一款高性能、同相八进制收发器，工作电源电压范围为 2.0 至 5.5 V。高阻抗 TTL 兼容输入可显著降低输入驱动器的电流负载，而 TTL 兼容输出则可改善开关噪声性能

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1+
￥3.38
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￥2.63
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￥2.3
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￥1.9
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￥1.72
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型号：NCP718ASN330T1G 编号：C603785

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP718 是 300 mA LDO 线性电压稳压器。它是一款非常稳定且准确的器件，带有超低静止电流耗量（完整温度范围内的典型值为 4 ?A），还具有宽输入电压范围（高达 24 V）。该稳压器结合了若干保护功能，如高温关断和电流限制。

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1+
￥3.4
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￥2.72
30+
￥2.43
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￥2.06
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￥1.9
1000+
￥1.8

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型号：MC7812BD2TR4G 编号：C231294

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计为固定电压调节器，适用于包括本地、板载调节在内的各种应用。这些调节器采用内部电流限制、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过1.0 A的输出电流。

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1+
￥3.43
10+
￥2.77
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￥2.43
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￥2.1
500+
￥1.91
800+
￥1.8

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型号：MBRM2H100T3G 编号：C464198

封装：Power-mite-2

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用势垒金属和外延结构，可产生优化的正向压降-逆向电流权衡。这种先进的封装技术可用于实现高能效的微型、节省空间的表面贴装整流器。Powermite 依托独特的散热设计，热性能与 SMA 相同，占地面积却小 50%。因为其尺寸较小，因而非常适合蜂窝电话、无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA 卡等便携式和电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多个供应电压的“OR”操作，以及性能和尺寸性能至关重要的其他应用。

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1+
￥3.53
10+
￥2.9072 ￥3.16
30+
￥2.4436 ￥2.98
100+
￥2.296 ￥2.8
500+
￥2.2058 ￥2.69
1000+
￥2.1566 ￥2.63

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型号：MBRD660CTT4G 编号：C72267

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

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1+
￥3.53
10+
￥2.82
30+
￥2.47
100+
￥2.12
500+
￥1.91
1000+
￥1.8

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型号：CAT25128VI-GT3 编号：C88047

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

该产品是一款 128- Kb 串行 CMOS EEPROM 器件，内部组织为 16Kx8 位。它具有 64 字节页面写缓冲区，支持串行外设接口 (SPI) 协议。该器件通过片选 (CS(overline)) 输入启用。此外，所需的总线信号包括时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与该器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和全阵列保护。片上 ECC（纠错码）使该器件适用于高可靠性应用。

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1+
￥3.57
10+
￥2.83
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￥2.51
100+
￥1.9
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