安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

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描述

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操作

5V 400mA 40V

型号：NCV4274ADT50RKG 编号：C233416

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

NCV4274和NCV4274A是一款精密微功耗电压调节器，输出电流能力为400 mA，有DPAK、D2PAK和SOT - 223封装可选。根据不同版本，输出电压精度在±2.0%或±4.0%以内，输入电压最高可达40 V时，最大压差为0.5 V。其特点是静态电流低，在1 mA负载下仅消耗150 μA电流

数据手册

1+
￥5.64
10+
￥4.52
30+
￥3.96
100+
￥3.41
500+
￥3.08
1000+
￥2.9

有货

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1个N沟道耐压:250V 电流:16A

型号：FQD16N25CTM 编号：C415866

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

数据手册

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￥5.77
10+
￥4.68
30+
￥4.14
100+
￥3.6
500+
￥3.28
1000+
￥3.11

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：6N139M 编号：C4071

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比，分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来，使得输出饱和电压更低，运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。

数据手册

1+
￥5.8
10+
￥4.78
30+
￥4.27
100+
￥3.52
500+
￥3.22
1000+
￥3.06

有货

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PNP 电流:4A 电压:350V

型号：MJE15035G 编号：C111641

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适合用作音频放大器中的高频驱动器。

数据手册

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￥6.02
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￥4.94
50+
￥4.35
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￥3.68
500+
￥3.38
1000+
￥3.24

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3.3V 450mA 5.5V

型号：NCV8161BSN330T1G 编号：C893118

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

线性调节器能够提供450 mA输出电流。专为满足射频和模拟电路的要求而设计，提供低噪声、高电源抑制比、低静态电流和非常好的负载/线路瞬态响应。该器件设计为与1 μF输入和1 μF输出陶瓷电容器配合使用。

数据手册

1+
￥6.21
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￥5
30+
￥4.4
100+
￥3.63
500+
￥3.27
1000+
￥3.09

有货

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NPN 电流:4A 电压:350V

型号：MJE15034G 编号：C150091

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适合用作音频放大器中的高频驱动器。

数据手册

1+
￥6.24
10+
￥5.12
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￥4.5
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￥3.81
500+
￥3.5
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￥3.36

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1个N沟道耐压:42V 电流:15A

型号：NCV8403ASTT1G 编号：C266786

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCV8403 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件提供保护，适用于严苛的汽车环境。

数据手册

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￥6.69
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￥4.68
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￥4.02
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￥3.62
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￥3.41

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2个N沟道耐压:100V 电流:4.5A

型号：FDS3992 编号：C512899

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：rDS(ON) = 54mΩ（典型值），VGS = 10V，ID = 4.5A。 Qg(tot) = 11nC（典型值），VGS = 10V。低米勒电荷。低QRR体二极管。高频下效率优化。 UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。应用：DC/DC转换器和离线UPS。分布式电源架构和VRM

数据手册

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￥6.99
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￥6.36
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￥5.97
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￥5.57
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￥5.38
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￥5.3

有货

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700 mA四通道恒流LED驱动器

型号：CAT4104V-GT3 编号：C236266

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT4104 提供四个匹配的低压差电流沉，以驱动每通道高达175 mA的高亮度LED串。LED通道电流通过连接到RSET引脚的外部电阻设置。LED引脚兼容高达25 V的高压，支持长串LED的应用。EN/PWM逻辑输入支持设备使能和高频外部脉宽调制（PWM）调光控制。设备内置热关断保护，在芯片温度超过150°C时禁用LED输出。该设备提供8焊盘TDFN 2 mm x 3 mm封装和SOIC 8引脚150 mil宽封装。

数据手册

1+
￥7.28
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￥6.07
30+
￥5.4
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￥4.65
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￥3.86
1000+
￥3.7

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1个N沟道耐压:150V 电流:4.1A

型号：FDS2582 编号：C455164

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，150 V，4.1 A，66mΩ

数据手册

1+
￥7.34
10+
￥6.03
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￥5.31
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￥4.5
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￥4.14
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￥3.98

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：FOD3150ASD 编号：C411200

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

能够驱动大多数800V/20A的IGBT或MOSFET。非常适合用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中的功率IGBT和MOSFET的快速开关驱动。利用安森美半导体获得专利的共面封装技术Optoplanar和优化的IC设计，实现高抗噪性，其特点是具有高共模抑制能力。由一个砷化镓铝（AlGaAs）发光二极管和一个带有推挽MOSFET输出级高速驱动器的集成电路光耦合而成。

数据手册

1+
￥7.98
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￥6.67
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￥6.02
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￥5.37
500+
￥3.34
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￥3.14

有货

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600V 9.5V~20V

型号：NCP1396ADR2G 编号：C328039

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

NCP1396 A/B 提供构建可靠耐用的谐振模式电源所需的一切功能。其独特结构包括了一个 500 kHz 电压控制振荡器，其控制模式可在需要 OR 功能时带来灵活性，如多反馈路径实施中。由于其专属高电压技术，该控制器适用于与一个自举 MOSFET 驱动器一起用于半桥应用，接受最高 600 V 的大电压。多种反应时间的保护功能，如立即关断或基于计时器的事件、欠电压、断开光耦合器检测等，有助于产生更安全的转换器设计，而不会提高电路复杂度。可调死区时间还有利于降低击穿电流，也有利于提高开关频率。

数据手册

1+
￥7.99
10+
￥6.52
30+
￥5.71
100+
￥4.79
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￥4.39
1000+
￥4.2

有货

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NCP1631DR2G

型号：NCP1631DR2G 编号：C154590

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

NCP1631 控制器用于 2 相交错式功率因数校正预转换器。交错由并联的两个小级组成，代替了一个大级。此方式具有若干优点，如实施简单、能够使用更小组件，更好的散热。这些属性使得该交错式 PFC 拓扑结构适用于薄型应用，如平板电视和超薄笔记本电脑适配器。交错还可以扩展到高能效且成本高效（无需低 trr 二极管）的临界导通运行模式的功率范围。NCP1631 在频率箝位临界导通模式 (FcCrM) 下运行。该电路利用频率折回将箝位频率作为功率的函数进行线性降低。因此，NCP1631 在整个负载范围内提供了优化的能效。另外，NCP1631 驱动器具有 180 相移位，可大大减少电流波纹，因此降低了 EMI，减少了大容量电容器中的 rms 电流。NCP1631 结合了构建耐用紧凑的交错式 PFC 级所需的所有功能，且外部组件数量极少。采用 SOIC-16 封装。

数据手册

1+
￥9.24
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￥7.82
30+
￥7.03
100+
￥4.8
500+
￥4.41
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￥4.23

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耐压:300V 电流:30A 反向恢复时间：55ns

型号：FFA60UP30DNTU 编号：C11758

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

FFA60UP30DN 是具备低正向压降和强健 UIS 能力的超快速二极管。该器件在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流和箝位二极管。特别适合用于开关电源与焊接器和 UPS 等工业应用。

数据手册

1+
￥11.15
10+
￥9.62
30+
￥7.01
90+
￥6.03
450+
￥5.59
900+
￥5.4

有货

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高端和低端栅极驱动IC

型号：FAN73901MX 编号：C380794

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN73901 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得 FAN73901 适用于开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用。

数据手册

1+
￥12.07
10+
￥11.09
30+
￥10.48
100+
￥8.68
500+
￥8.39
1000+
￥8.27

有货

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具有同步整流控制功能的先进次级端LLC谐振变换器控制器

型号：FAN7688SJX 编号：C604981

封装：SOP-16-5.4mm

品牌：onsemi(安森美)

FAN7688 是一款用于 LLC 谐振转换器的先进脉冲频率调制 (PFM) 控制器，且带有同步整流 (SR)，为隔离式 DC/DC 转换器提供业内最佳能效。它采用基于电荷控制的最新模式控制技术，其中来自振荡器的三角波形与集成开关电流信息相结合来确定开关频率。这提供了功率级更好的控制-输出传递功能，简化了反馈回路设计，同时实现了真正的输入功率限制功能。闭环软启动防止了误差放大器的饱和，允许输出电压的单调上升，而不管负载条件如何。双缘跟踪自适应停滞时间控制最大程度缩短了体二极管导通时间，从而最大程度提高能效。

数据手册

1+
￥12.31
10+
￥10.35
30+
￥9.12
100+
￥7.87
500+
￥7.3
1000+
￥7.06

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精密运算放大器，25μV失调，零漂移，36V电源，2MHz

型号：NCS21911SN2T1G 编号：C603837

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCS2191x系列高精度运算放大器具有低输入失调电压，且随时间和温度的漂移近乎为零。这些运算放大器在4 V至36 V的宽电源电压范围内工作，静态电流低。轨到轨输出摆幅可达到离电源轨10 mV以内。该系列包括单通道NCS(V)21911、双通道NCS(V)21912和四通道NCS(V)21914，提供多种封装形式。所有版本均规定在-40°C至+125°C的温度范围内工作。带有NCV前缀的产品为汽车级合格选项。

数据手册

1+
￥13.16
10+
￥11.12
30+
￥9.84
100+
￥8.12
500+
￥7.53
1000+
￥7.28

有货

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PNP 电流:15A 电压:250V

型号：NJW0302G 编号：C160665

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管卓越的增益线性和安全运行区域性能使其适用于高保真音频放大器输出级和其他线性应用。

数据手册

1+
￥13.73
10+
￥12
30+
￥9.3
90+
￥8.19
510+
￥7.69
990+
￥7.47

有货

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高压高端和低端驱动器

型号：NCP5181DR2G 编号：C435715

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥（或任何其他高端 + 低端）配置排列的2个N沟道功率MOSFET。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。该驱动器配有2个独立输入，适用于任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源钳位和全桥等）

数据手册

1+
￥14.07
10+
￥12.2
30+
￥11.03
100+
￥7.59
500+
￥7.05
1000+
￥6.81

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:27.5A

型号：NTB25P06T4G 编号：C223555

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。此类器件针对电源、转换器和电源电机控制中的低压、高速开关应用而设计，尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。

数据手册

1+
￥18.08
10+
￥15.22
30+
￥13.43
100+
￥11.59
500+
￥10.77
800+
￥10.41

有货

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1个N沟道耐压:400V 电流:23A

型号：FDA24N40F 编号：C898136

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的反向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，反向 dv/dt 抗扰度为15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥19.07
10+
￥16.39
30+
￥14.79
100+
￥13.18
450+
￥12.44
900+
￥12.11

有货

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1个N沟道耐压:500V 电流:28A

型号：FDA28N50 编号：C105685

封装：TO-3P-3

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥20.8
10+
￥17.87
30+
￥16.14
90+
￥14.38
450+
￥13.57
900+
￥13.2

有货

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NTH4L070N120M3S

型号：NTH4L070N120M3S 编号：C19673850

封装：TO-247-4L

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻 RDS(on) = 65 mΩ（VGS = 18 V）。超低栅极电荷（QG(tot) = 57 nC）。低电容高速开关（Coss = 57 pF）。 100%雪崩测试。该器件无卤，符合 RoHS 指令豁免条款 7a，二级互连无铅。应用：太阳能逆变器。电动汽车充电站

1+
￥27.61
10+
￥23.4
30+
￥20.89
90+
￥18.36
450+
￥17.19
900+
￥16.67

有货

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FGH40T120SMD

型号：FGH40T120SMD 编号：C462120

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止沟槽 IGBT 系列采用创新的场截止沟槽 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。

数据手册

1+
￥27.81
10+
￥22.25
30+
￥19.87
90+
￥17.46
510+
￥16.35
990+
￥15.85

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:20A

型号：NTHL190N65S3HF 编号：C898284

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统，实现系统小型化和更高能效。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

数据手册

1+
￥33.03
10+
￥28.56
30+
￥25.9
90+
￥23.21

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:35A

型号：FCH110N65F-F155 编号：C398042

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

数据手册

1+
￥37.6584 ￥48.28
10+
￥32.7756 ￥42.02
30+
￥29.8038 ￥38.21
100+
￥27.3078 ￥35.01

有货

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600V 160A

型号：SGL160N60UFDTU 编号：C11757

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

绝缘栅双极晶体管（IGBT）提供低传导和开关损耗。专为需要高速开关的应用而设计，如电机控制和通用逆变器。

数据手册

1+
￥59.8
10+
￥58.47
25+
￥53.12
100+
￥48.64

有货

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120V 200mA

型号：BAS19LT1G 编号：C232582

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高压开关二极管适合高压、高速开关应用。此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了两个电气隔离的高电压开关二极管。

数据手册

20+
￥0.096876 ￥0.1404
200+
￥0.07257 ￥0.123
600+
￥0.055517 ￥0.1133
3000+
￥0.052675 ￥0.1075
9000+
￥0.050176 ￥0.1024
21000+
￥0.048853 ￥0.0997

有货

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100V 200mA

型号：1N4148TA 编号：C124481

封装：DO-35

品牌：onsemi(安森美)

高电导快速二极管

数据手册

50+
￥0.1009
500+
￥0.0793
1500+
￥0.0673
5000+
￥0.0545
25000+
￥0.0482
50000+
￥0.0449

有货

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NPN 电流:200mA 电压:40V

型号：MMBT3904WT1G 编号：C58011

封装：SC-70(SOT-323)

品牌：onsemi(安森美)

此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-323/SC-70 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.176
200+
￥0.1397
600+
￥0.1195
3000+
￥0.0903
9000+
￥0.0798
21000+
￥0.0741

有货

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