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描述

价格(含税)

库存

操作

负载开关高效电源域切换及浪涌电流限制解决方案

型号：NCP45524IMNTWG-H 编号：C603740

封装：WFDFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4552x系列负载开关提供了一种组件和面积减少的解决方案，通过软启动实现带涌流限制的高效电源域切换。这些设备设计为在一个封装中集成控制和驱动功能以及高性能低导通电阻的电源MOSFET。这种成本效益高的解决方案非常适合需要在小尺寸内实现低功耗的电源管理和热插拔应用。

数据手册

1+
￥8.86
10+
￥7.59
30+
￥6.96
100+
￥6.33
500+
￥3.37
1000+
￥3.18

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:46A

型号：NTD5865NLT4G 编号：C145546

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道,60V,16A,16mΩ@10V

数据手册

1+
￥9.5
10+
￥7.95
30+
￥7.1
100+
￥6.14
500+
￥5.23
1000+
￥5.04

有货

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NPN 电流:15A 电压:250V

型号：NJW0281G 编号：C10664

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管卓越的增益线性和安全运行区域性能使其适用于高保真音频放大器输出级和其他线性应用。

数据手册

1+
￥11.68
10+
￥9.97
30+
￥8.17
90+
￥7.07
510+
￥6.58
990+
￥6.36

有货

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1个N沟道耐压:300V 电流:38A

型号：FDA38N30 编号：C463458

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥15.33
10+
￥12.94
30+
￥10.96
90+
￥9.43
510+
￥8.73
990+
￥8.43

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:30A

型号：FCP099N65S3 编号：C516097

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更简单的设计实施。

数据手册

1+
￥23.05
10+
￥19.96
50+
￥18.12
100+
￥16.26
500+
￥15.4
1000+
￥15.01

有货

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1个N沟道耐压:500V 电流:28.4A

型号：FQA28N50 编号：C2720

封装：TO-3P-3

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,500V,28.4A,160mΩ@10V

数据手册

1+
￥25.61
10+
￥21.91
30+
￥18.35
90+
￥16.13
510+
￥15.1
1200+
￥14.64

有货

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FGH40T120SMD

型号：FGH40T120SMD 编号：C462120

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止沟槽 IGBT 系列采用创新的场截止沟槽 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。

数据手册

1+
￥27.81
10+
￥22.25
30+
￥19.87
90+
￥17.46
510+
￥16.35
990+
￥15.85

有货

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650V

型号：FGA60N65SMD 编号：C444004

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

数据手册

1+
￥28.01
10+
￥24.03
30+
￥18.69
90+
￥16.14
450+
￥14.99
900+
￥14.49

有货

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NPN 电流:16A 电压:250V

型号：MJ15024G 编号：C2730

封装：TO-204

品牌：onsemi(安森美)

MJ15022和MJ15024是功率晶体管，专为高功率音频、磁盘磁头定位器及其他线性应用而设计。

数据手册

1+
￥34.09
10+
￥29.01
30+
￥25.92
100+
￥23.32

有货

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MJL1302AG

型号：MJL1302AG 编号：C327497

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

MJL3281A 和 MJL1302A 功率晶体管适用于大功率音频、磁盘头定位器和其他线性应用。

数据手册

1+
￥35.91
10+
￥31
25+
￥28.08
100+
￥25.13

有货

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600V 160A

型号：SGL160N60UFDTU 编号：C11757

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

绝缘栅双极晶体管（IGBT）提供低传导和开关损耗。专为需要高速开关的应用而设计，如电机控制和通用逆变器。

数据手册

1+
￥58.96
10+
￥57.67
25+
￥52.47
100+
￥48.1

有货

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1kV 60A

型号：FGL60N100BNTDTU 编号：C105610

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

此款为新型号与FGL60N100BNTD无区别

数据手册

1+
￥79.74
10+
￥65.03
25+
￥59.14
100+
￥54

有货

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1个N沟道耐压:1.2kV 电流:102A

型号：NVH4L020N120SC1 编号：C898285

封装：TO-247-4L

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻RDS(on) = 20 mΩ。超低栅极电荷QG(tot) = 220 nC。低电容高速开关（Coss = 258 pF）。100%雪崩测试。AEC-Q101认证且具备PPAP能力。该器件无卤化物，符合RoHS豁免7a，二级互连无铅。应用：汽车车载充电器。电动汽车/混合动力汽车的汽车直流-直流转换器

数据手册

1+
￥235.2
30+
￥222.6

有货

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NPN 电流:500mA 电压:25V

型号：BC818-40LT1G 编号：C154797

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2152
200+
￥0.1651
600+
￥0.1373
3000+
￥0.1206
9000+
￥0.1061
21000+
￥0.0983

有货

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单向TVS 22V截止峰值浪涌电流：1A

型号：MMBZ27VCLT1G 编号：C128609

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阴极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。SZ/MMBZ27VCL可用于保护单总线通信网络免受电磁干扰和静电放电瞬态浪涌电压的影响。2000年2月，美国汽车工程师协会（SAE）在J2411《车辆应用单总线CAN网络》规范中推荐使用SZ/MMBZ27VCL来解决瞬态电压问题。

数据手册

20+
￥0.2213
200+
￥0.1698
600+
￥0.1412
3000+
￥0.124
9000+
￥0.1092
21000+
￥0.1011

有货

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电压:40V 电流:120mA

型号：BAS40-06LT1G 编号：C161621

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该共阳极肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装极其适合空间受限的手持和便携式应用。

数据手册

10+
￥0.2252
100+
￥0.1766
300+
￥0.1523
3000+
￥0.1303
6000+
￥0.1157
9000+
￥0.1084

有货

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耐压:10V 电流:0.2uA@7V

型号：MMSZ10T1G 编号：C236094

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34封装形式提供了一个方便的替代方案。

数据手册

20+
￥0.2273
200+
￥0.1764
600+
￥0.1481
3000+
￥0.1311
9000+
￥0.1164
21000+
￥0.1085

有货

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PNP 电流:200mA 电压:40V

型号：SMMBT3906LT1G 编号：C232578

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.2436
100+
￥0.1943
300+
￥0.1696
3000+
￥0.1511
6000+
￥0.1363
9000+
￥0.1289

有货

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独立式耐压:75V 电流:0.1uA@56V

型号：MMSZ5267BT1G 编号：C80160

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

10+
￥0.2572
100+
￥0.1999
300+
￥0.1713
3000+
￥0.1498
6000+
￥0.1326
9000+
￥0.124

有货

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独立式耐压:28V 电流:0.1uA@21V

型号：MMSZ5255BT1G 编号：C242284

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

20+
￥0.258
200+
￥0.2054
600+
￥0.1762
3000+
￥0.1446
9000+
￥0.1294
21000+
￥0.1212

有货

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250V 200mA

型号：BAS21TMR6T1G 编号：C463210

封装：SC-74

品牌：onsemi(安森美)

BAS21TMR6T1G 器件在 SC-74 表面贴装封装内承载三个高电压开关二极管。该器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.2619
100+
￥0.228
300+
￥0.2077
3000+
￥0.195
6000+
￥0.1848
9000+
￥0.1797

有货

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独立式耐压:27V 电流:0.05uA@18.9V

型号：BZX84C27LT1G 编号：C38408

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这一系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

10+
￥0.2699
100+
￥0.2104
300+
￥0.1806
3000+
￥0.1583
6000+
￥0.1404
9000+
￥0.1315

有货

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独立式耐压:18V 电流:0.05uA

型号：MM3Z18VT1G 编号：C82043

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.2837
200+
￥0.2325
600+
￥0.204
3000+
￥0.1869
9000+
￥0.1721
21000+
￥0.1642

有货

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独立式耐压:2V 电流:5uA

型号：MMSZ4679T1G 编号：C236096

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5板）。宽齐纳反向电压范围：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计便于自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级3级 (>16 kV)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件，符合RoHS标准

数据手册

10+
￥0.2989
100+
￥0.2407
300+
￥0.2116
3000+
￥0.1897

有货

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耐压:3.9V 电流:0.1uA@1V

型号：MMSZ5228BT1G 编号：C236190

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

10+
￥0.3265
100+
￥0.2672
300+
￥0.2375
3000+
￥0.1867
6000+
￥0.1689
9000+
￥0.16

有货

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独立式耐压:3.6V 电流:5uA@1.0V

型号：MM3Z3V6T1G 编号：C116949

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

10+
￥0.3454
100+
￥0.2692
300+
￥0.2311
3000+
￥0.2026

有货

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独立式耐压:3.6V 电流:15uA@1V

型号：MMSZ5227BT1G 编号：C154803

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

10+
￥0.3524
100+
￥0.2933
300+
￥0.2637
3000+
￥0.223

有货

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1kV 1A

型号：1N4007G 编号：C232439

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

该款标准整流器适合通用及低功率应用。

数据手册

10+
￥0.3622
100+
￥0.2975
300+
￥0.2651
1000+
￥0.2292
5000+
￥0.2098

有货

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非反相三态缓冲器

型号：MC74VHC1G126DFT1G-Q 编号：C26032014

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

单门非反相三态缓冲器采用小尺寸封装。一款具有CMOS电平输入阈值，另一款具有TTL电平输入阈值。内部电路由三级组成，包括一个缓冲三态输出，提供高抗噪性和稳定输出。输入结构在施加高达5.5V的电压时提供保护，无论电源电压如何。这允许该器件用于将5V电路与3V电路连接。一些输出结构在VCC = 0V和输出电压超过VCC时也提供保护。这些输入和输出结构有助于防止因电源电压-输入/输出电压不匹配、电池备份、热插拔等原因导致的器件损坏。

10+
￥0.37
100+
￥0.2884
300+
￥0.2476
3000+
￥0.217
6000+
￥0.1925
9000+
￥0.1802

有货

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独立式耐压:3.3V 电流:5uA@1.0V

型号：MM3Z3V3ST1G 编号：C182011

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功耗为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，在空间有限的情况下特别有吸引力。适用于手机、手持便携式设备和高密度PC板等应用。

数据手册

10+
￥0.3915
100+
￥0.3127
300+
￥0.2734
3000+
￥0.2438
6000+
￥0.2202
9000+
￥0.2084

有货

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