安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

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描述

价格(含税)

库存

操作

电压:40V 电流:1A

型号：MBRM140T3G 编号：C145540

封装：DO-216AA

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用势垒金属和外延结构，可产生优化的正向压降-逆向电流权衡。这种先进的封装技术可用于实现高能效的微型、节省空间的表面贴装整流器。由于其独特的散热设计，该整流器与 SMA 具有相同的热性能，而占位减小 50%，提供了业内最小高度的外形，不到 1.1 mm。由于其尺寸小巧，适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA 卡等便携式电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多个供应电压的“OR”操作，以及性能和尺寸性能至关重要的其他应用。

数据手册

5+
￥1.4594
50+
￥1.1095
150+
￥0.9596
500+
￥0.7726
2500+
￥0.6893

有货

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5V 1A 20V

型号：NCV1117DT50RKG 编号：C513026

封装：TO-252-2

品牌：onsemi(安森美)

是低压差正电压调节器，能够提供超过1.0A的输出电流，在800mA和整个温度范围内的最大压差电压为1.2V。该系列包含九种固定输出电压，分别为1.5V、1.8V、1.9V、2.0V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V和12V，无需最小负载即可保持稳压。还包括一个可调输出版本，可通过两个外部电阻将其编程为1.25V至18.8V。片上微调可将参考/输出电压调整到±1.0%的精度。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和热关断。可在高达20V的输入电压下工作。器件有SOT-223和DPAK封装。

数据手册

5+
￥1.4678
50+
￥1.2562
150+
￥1.1655
500+
￥1.0523
2500+
￥1.002
5000+
￥0.9717

有货

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1.2V~37V 500mA 40V

型号：LM317MBDTRKG 编号：C179570

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

高PSRR 可调正向

数据手册

5+
￥1.4721
50+
￥1.1411
150+
￥0.9992
500+
￥0.8222
2500+
￥0.7434
5000+
￥0.6962

有货

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耐压:3V 电流:1uA@1.0V

型号：SZMM5Z3V0T1G 编号：C463430

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

此类齐纳二极管稳压器采用 SOD-523 表面贴装封装。此类稳压器可提供电压调节保护，特别适用于空间宝贵的情况。此类器件非常适用于蜂窝电话、手持便携设备和高密度 PC 主板等应用。

数据手册

5+
￥1.52114 ￥1.6012
50+
￥1.08307 ￥1.2742
150+
￥0.8505 ￥1.134
500+
￥0.7194 ￥0.9592
3000+
￥0.660975 ￥0.8813
6000+
￥0.62595 ￥0.8346

有货

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独立式耐压:8.2V 电流:2.5uA@6.5V

型号：SZ1SMA5923BT3G 编号：C604742

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。 ESD 等级：人体模型 3 级（>16kV）。扁平操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。通过 AEC-Q101 认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

1+
￥1.5732 ￥2.76
10+
￥1.1609 ￥2.47
30+
￥0.8621 ￥2.33
100+
￥0.8103 ￥2.19
500+
￥0.7807 ￥2.11
1000+
￥0.7622 ￥2.06

有货

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单电源四通道比较器

型号：LM2901DR2G 编号：C63822

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

这些比较器设计用于消费、汽车和工业电子应用中的电平检测、低电平传感和存储器应用。

数据手册

5+
￥1.6444
50+
￥1.3018
150+
￥1.1549
500+
￥0.9716
2500+
￥0.7629
5000+
￥0.714

有货

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高性能硅栅CMOS工艺，四路2输入或非门

型号：MC74HC02ADR2G 编号：C7328

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

该产品引脚排列与LS02相同，其输入与标准CMOS输出兼容，通过上拉电阻，也可与LSTTL输出兼容。

数据手册

5+
￥1.6566
50+
￥1.3528
150+
￥1.2226
500+
￥1.0602
2500+
￥0.8974
5000+
￥0.854

有货

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耐压:6.2V 电流:1uA@3V

型号：1N5341BG 编号：C898880

封装：插件,D3.3xL8.4mm

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

数据手册

5+
￥1.6845
50+
￥1.4947
150+
￥1.4133
1000+
￥1.1309
2000+
￥1.0857
5000+
￥1.0586

有货

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5V 1A 20V

型号：NCP1117ST50T3G 编号：C17314

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

是低 dropout 正电压调节器，能够提供超过 1.0A 的输出电流，在 800mA 时最大压降为 1.2V。该系列包含 1.5V、1.8V、1.9V、2.0V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V 和 12V 九种固定输出电压，无需最小负载即可保持稳定。还有一个可调输出版本，可通过两个外部电阻从 1.25V 编程到 18.8V。片上微调可将参考/输出电压调整到±1.0%的精度。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和热关断。可在高达 20V 的输入下工作，器件提供 SOT-223 和 DPAK 封装。

数据手册

5+
￥1.7128
50+
￥1.4018
150+
￥1.0683
500+
￥0.902
2500+
￥0.828
4000+
￥0.7836

有货

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耐压:10V 电流:5uA

型号：1N5347BG 编号：C898885

封装：插件,D3.3xL8.4mm

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

数据手册

5+
￥1.7313
50+
￥1.353
150+
￥1.1909
1000+
￥0.9887
2000+
￥0.8986
5000+
￥0.8445

有货

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电压:100V 电流:3A

型号：MBRS3100T3G 编号：C12790

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该器件在大面积金属 - 硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。其先进的几何结构采用了带有氧化物钝化和金属覆盖层接触的外延结构。非常适合用于低压、高频整流，或作为续流和极性保护二极管，应用于尺寸和重量对系统至关重要的表面贴装应用中

数据手册

5+
￥1.8433
50+
￥1.4486
150+
￥1.1915
500+
￥0.9805
2500+
￥0.8865
5000+
￥0.8301

有货

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高性能硅栅CMOS工艺，四路2输入与门

型号：MC74HC08ADTR2G 编号：C154816

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC08A与LS08的引脚排列相同。该器件的输入与标准CMOS输出兼容；接上拉电阻后，可与LSTTL输出兼容。

数据手册

5+
￥1.8436
50+
￥1.4675
150+
￥1.3064
500+
￥0.9914
2500+
￥0.9019
5000+
￥0.8481

有货

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四路2输入异或门

型号：MC74HC86ADR2G 编号：C152540

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

产品引脚排列与LS86相同。设备输入与标准CMOS输出兼容；通过上拉电阻，它们与LSTTL输出兼容。

数据手册

5+
￥1.8611
50+
￥1.479
150+
￥1.3152
500+
￥1.1109
2500+
￥0.917
5000+
￥0.8624

有货

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平衡调制器/解调器

型号：MC1496BDR2G 编号：C512980

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC1496B 适用于输出电压为输入电压（信号）和开关功能（载波）的共同结果的场合。典型应用包括抑制载波和放大调制、同步检测、调频 (FM) 检测、相位检测和斩波器应用。

数据手册

5+
￥1.8768
50+
￥1.4956
150+
￥1.3322
500+
￥1.1284
2500+
￥1.0377
5000+
￥0.9832

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:2.2A

型号：NVR5198NLT1G 编号：C153742

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

汽车用功率 MOSFET，60V，155 mΩ，单 N 沟道，逻辑电平，SOT?23 AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

数据手册

5+
￥1.9038
50+
￥1.5118
150+
￥1.3438
500+
￥1.005

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:2.3A

型号：FDC86244 编号：C3290085

封装：SSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道MOSFET采用先进的POWERTRENCH工艺制造，该工艺集成了屏蔽栅技术。此工艺在导通电阻rDS(on)、开关性能和耐用性方面均进行了优化。

数据手册

5+
￥1.955
50+
￥1.558
150+
￥1.3878
500+
￥1.1755
3000+
￥1.081

有货

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电压:30V 电流:3A

型号：MBRS330T3G 编号：C236152

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.9631
50+
￥1.5644
150+
￥1.3935
500+
￥1.1803
2500+
￥1.0854
5000+
￥1.0284

有货

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电压:40V 电流:3A

型号：NRVBA340NT3G 编号：C606305

封装：DO-214AC

品牌：onsemi(安森美)

采用肖特基势垒原理，应用于大面积金属硅功率二极管。先进的几何结构采用外延结构，具有氧化物钝化和金属覆盖接触。非常适合低压、高频整流，或作为表面贴装应用中的续流和极性二极管，在这些应用中，紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.9804
50+
￥1.5094
150+
￥1.3075
500+
￥1.0556
2500+
￥0.8874
5000+
￥0.82

有货

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高性能硅栅CMOS工艺，四路2输入与非门

型号：MC74AC00DR2G 编号：C233513

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

特性：输出驱动能力：±24mA。工作电压范围：2至6V（AC00）；4.5至5.5V（ACT00）。低输入电流：1.0μA。具备CMOS器件的高抗噪特性。符合JEDEC标准第7A号要求。芯片复杂度：32个FET。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.9863
50+
￥1.5525
150+
￥1.3665
500+
￥1.1346

有货

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电压:10V 电流:2A

型号：MBRA210LT3G 编号：C145190

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

运用肖特基势垒原理，采用金属-硅功率二极管。它具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。适用于低压高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多个供应电压的“OR”操作，以及性能和尺寸性能至关重要的其他应用。

数据手册

5+
￥2.122
50+
￥1.6533
150+
￥1.4151
500+
￥1.1644
2500+
￥1.0528
5000+
￥0.9859

有货

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64 Kb串行CMOS电可擦除可编程只读存储器

型号：CAT25640VI-GT3 编号：C153776

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25640 是一款 EEPROM 串行 64-Kb SPI 器件，内部组织为 8kx8 位。它具有 64 字节页写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25640 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

数据手册

5+
￥2.1353
50+
￥1.6552
150+
￥1.4494
500+
￥1.1927
3000+
￥1.0784
6000+
￥1.0098

有货

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15V 500mA 35V

型号：MC79M15CDTRKG 编号：C126298

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

固定输出负电压调节器，有 -5.0V、-8.0V、-12V 和 -15V 固定输出电压选项。采用限流、热关断和安全区补偿，在大多数工作条件下非常耐用。有足够散热时可提供超过 0.5A 的输出电流。

数据手册

5+
￥2.1751
50+
￥1.7094
150+
￥1.4233
500+
￥1.1742
2500+
￥1.0634
5000+
￥0.9968

有货

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3.3V 300mA 13V

型号：MC33275ST-3.3T3G 编号：C153747

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

高PSRR

数据手册

5+
￥2.2447
50+
￥1.7532
150+
￥1.5425
500+
￥1.2797
2500+
￥1.1626
4000+
￥1.0924

有货

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PNP 电流:1.5A 电压:80V

型号：BCP53-16T1G 编号：C82081

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件安装在 SOT-223 封装中，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

5+
￥2.2646
50+
￥1.8612
150+
￥1.6883

有货

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2.44V~36V 并联 50ppm/℃

型号：TL431BVDR2G 编号：C242262

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

该集成电路是三端可编程并联稳压器二极管。这些单片IC电压基准可作为低温系数齐纳二极管工作，可通过两个外部电阻从Vref编程至36 V。这些器件的工作电流范围为1.0 mA至100 mA，典型动态阻抗为0.22 Ω。这些基准的特性使其成为许多应用（如数字电压表、电源和运算放大器电路）中齐纳二极管的理想替代品。2.5 V基准便于从5.0 V逻辑电源获得稳定的基准，并且由于该集成电路作为并联稳压器工作，因此可用作正电压或负电压基准。

数据手册

1+
￥2.3
10+
￥1.79
30+
￥1.58
100+
￥1.31
500+
￥1.14
1000+
￥1.07

有货

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1.2V~37V 500mA

型号：LM317MSTT3G 编号：C894888

封装：SOT-223-3

品牌：onsemi(安森美)

LM317M 是一款可调输出的正电压线性稳压器,能够提供超过 500mA 的输出电流,输出电压范围为 1.2 V 至 37 V。该稳压器非常易于使用,只需两个外部电阻即可设置输出电压。内部集成了电流限制、热关断和安全区域补偿功能,使其几乎不会发生故障。LM317M 适用于多种应用,包括本地卡上调节。此外,它还可以用作可调开关稳压器、可编程输出稳压器或精密电流调节器。

数据手册

5+
￥2.3617
50+
￥1.8728
150+
￥1.6632
500+
￥1.4017
2500+
￥1.2853

有货

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CMOS小规模集成电路，四路异或门和或非门

型号：MC14070BDR2G 编号：C274657

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC14070B 四异或门和 MC14077B 四异或非门采用 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件，以单块结构制成。这些互补 MOS 逻辑门主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。

数据手册

5+
￥2.3714
50+
￥1.9019
150+
￥1.7007
500+
￥1.1663
2500+
￥1.0545
5000+
￥0.9874

有货

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双施密特触发器反相器

型号：NL27WZ14DTT1G 编号：C233559

封装：TSOP-6-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NL27WZ14 是一款高性能双反相器，带有施密特触发器输入，工作电源电压范围为 1.65 至 5.5 V。

数据手册

5+
￥2.3838
50+
￥1.9608
150+
￥1.7794
500+
￥1.5532
3000+
￥1.1518
6000+
￥1.0913

有货

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PNP 电流:6A 电压:60V

型号：NSS60600MZ4T1G 编号：C235754

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

低饱和电压和高增益组合使得此双极晶体管成为适用于节电高速开关应用中的理想器件。

数据手册

5+
￥2.3997
50+
￥1.8453
150+
￥1.6077
1000+
￥1.3113
2000+
￥1.1793
5000+
￥1.1

有货

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PNP 电流:3A 电压:80V

型号：MJE172G 编号：C27682

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

MJE170/180 系列适用于低功率音频放大器和低电流高速开关应用。MJE170、MJE171、MJE172 (PNP)；MJE180、MJE181、MJE182 (NPN) 为互补器件。

数据手册

5+
￥2.48
50+
￥1.9578
150+
￥1.734
500+
￥1.2971
2500+
￥1.1728
5000+
￥1.0982

有货

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