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首页 > 热门关键词 > 安森美滤波器
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符合条件商品:共89458
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这是一个 30 V N 沟道功率 MOSFET。
数据手册
  • 10+

    ¥0.3969
  • 100+

    ¥0.3201
  • 300+

    ¥0.2817
  • 3000+

    ¥0.2282
  • 6000+

    ¥0.2051
  • 9000+

    ¥0.1936
  • 有货
  • 该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络:一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中,因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省板空间。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4423
    • 50+

      ¥0.3843
    • 150+

      ¥0.3553
    • 500+

      ¥0.3335
    • 2500+

      ¥0.3161
    • 5000+

      ¥0.3074
  • 有货
  • PNP外延硅晶体管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5027
    • 50+

      ¥0.4022
    • 150+

      ¥0.352
    • 500+

      ¥0.3144
    • 2000+

      ¥0.2842
    • 4000+

      ¥0.2692
  • 有货
  • PNP外延硅晶体管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5219
    • 50+

      ¥0.4089
    • 150+

      ¥0.3523
    • 500+

      ¥0.31
    • 2500+

      ¥0.276
    • 5000+

      ¥0.2591
  • 有货
  • 特性:硅平面功率齐纳二极管。 用于高功率额定值的稳定和限幅电路。 标准齐纳电压容差为 ±5%。 通过 AEC-Q101 认证。应用:电压稳定
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5267
    • 50+

      ¥0.419
    • 150+

      ¥0.3651
    • 500+

      ¥0.3247
    • 3000+

      ¥0.2923
  • 有货
    • 5+

      ¥0.5876
    • 50+

      ¥0.458
    • 150+

      ¥0.3932
    • 500+

      ¥0.3446
    • 2500+

      ¥0.3057
    • 5000+

      ¥0.2863
  • 有货
    • 5+

      ¥0.5907
    • 50+

      ¥0.4728
    • 250+

      ¥0.4041
    • 500+

      ¥0.3599
    • 2500+

      ¥0.3245
  • 有货
  • 该器件适用于通用高压放大器和气体放电显示驱动器。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6362
    • 50+

      ¥0.5085
    • 150+

      ¥0.4447
    • 500+

      ¥0.3969
    • 2000+

      ¥0.3463
    • 4000+

      ¥0.3271
  • 有货
    • 5+

      ¥0.6397
    • 50+

      ¥0.5097
    • 150+

      ¥0.4448
    • 500+

      ¥0.396
    • 2500+

      ¥0.3571
    • 5000+

      ¥0.3376
  • 有货
  • NPN外延硅晶体管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.656
    • 50+

      ¥0.5206
    • 150+

      ¥0.4529
    • 500+

      ¥0.4022
    • 2500+

      ¥0.3616
    • 5000+

      ¥0.3413
  • 有货
  • 该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。该器件采用 TO-92 封装,适用于中等功率应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.67
    • 50+

      ¥0.5222
    • 150+

      ¥0.4482
    • 1000+

      ¥0.3805
    • 2000+

      ¥0.3362
  • 有货
  • 低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7969
    • 50+

      ¥0.7075
    • 150+

      ¥0.6692
    • 500+

      ¥0.4852
    • 3000+

      ¥0.4639
    • 6000+

      ¥0.4511
  • 有货
    • 5+

      ¥0.8512
    • 50+

      ¥0.6785
    • 150+

      ¥0.5922
    • 500+

      ¥0.5274
    • 3000+

      ¥0.4756
  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力(SZ1SMB59xxT3G)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8521
    • 50+

      ¥0.7002
    • 150+

      ¥0.6243
    • 500+

      ¥0.5674
  • 有货
  • 特性:500 mW额定功率(FR-4或FR-5板)。 宽齐纳反向电压范围:2.4 V至110 V。 专为优化自动电路板组装设计的封装。 小封装尺寸,适用于高密度应用。 通用型、中等电流。 人体模型静电放电等级3级(> 16 kV)。 峰值功率:225 W(8 x 20 μs)。 SZ前缀适用于需要独特产地和控制变更要求的汽车及其他应用;符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)能力。 提供无铅封装
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8766
    • 50+

      ¥0.69736 ¥0.758
    • 150+

      ¥0.579904 ¥0.7072
    • 500+

      ¥0.527916 ¥0.6438
    • 3000+

      ¥0.50471 ¥0.6155
    • 6000+

      ¥0.490852 ¥0.5986
  • 有货
  • SZ/NUP3105L 专为保护 24 V 系统中的 CAN 收发器免受 ESD 及其他有害瞬态电压事件的影响而设计。该器件采用单个紧凑型 SOT−23 封装,为每条数据线提供双向保护,为系统设计师提供了一种低成本的方案,以提高系统可靠性并满足严格的 EMI 要求。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9149
    • 50+

      ¥0.7101
    • 150+

      ¥0.6224
    • 500+

      ¥0.5128
    • 3000+

      ¥0.4641
  • 有货
  • 此类齐纳二极管稳压器采用 SOD-523 表面贴装封装。此类稳压器可提供电压调节保护,特别适用于空间宝贵的情况。此类器件非常适用于蜂窝电话、手持便携设备和高密度 PC 主板等应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0073
    • 50+

      ¥0.801412 ¥0.8711
    • 150+

      ¥0.666414 ¥0.8127
    • 500+

      ¥0.606636 ¥0.7398
    • 3000+

      ¥0.580068 ¥0.7074
    • 6000+

      ¥0.564078 ¥0.6879
  • 有货
  • 特性:超薄外形:最大高度1.08mm。 UL可燃性94V-0分类。 MSL-1。 绿色模具化合物。 这些器件无铅、无卤素且符合RoHS标准
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0523
    • 50+

      ¥0.8457
    • 150+

      ¥0.7571
    • 500+

      ¥0.6466
    • 3000+

      ¥0.5339
    • 6000+

      ¥0.5043
  • 有货
  • 该肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用金属-硅功率整流器。它具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0755
    • 50+

      ¥0.8479
    • 150+

      ¥0.7503
    • 500+

      ¥0.6286
    • 2500+

      ¥0.5745
    • 5000+

      ¥0.5419
  • 有货
  • 低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0768
    • 50+

      ¥0.8257
    • 150+

      ¥0.718
    • 500+

      ¥0.5837
    • 3000+

      ¥0.5239
    • 6000+

      ¥0.488
  • 有货
  • 正电压调节器适合多种需要最高100 mA稳压电源的应用。与更高功率的MC7800和MC78M00系列类似,这些调节器具有内部限流和热关断功能,非常耐用。在许多应用中,MC78L00设备无需外部组件。与传统的齐纳二极管-电阻组合相比,这些设备在输出阻抗和静态电流方面有显著的性能优势。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0802
    • 50+

      ¥0.8549
    • 150+

      ¥0.7583
    • 500+

      ¥0.6378
    • 2500+

      ¥0.524
    • 5000+

      ¥0.4918
  • 有货
  • 该肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用金属-硅功率整流器。该肖特基整流器具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1438
    • 50+

      ¥0.9099
    • 150+

      ¥0.7929
    • 500+

      ¥0.7052
    • 2500+

      ¥0.5517
  • 有货
  • 适用于高压、高频整流,或作为表面贴装应用中的续流和保护二极管,在系统中对尺寸和重量要求严苛的场景。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1878
    • 50+

      ¥0.9353
    • 150+

      ¥0.8272
    • 500+

      ¥0.6922
    • 2500+

      ¥0.6321
    • 5000+

      ¥0.5961
  • 有货
  • MC1455 单片计时器电路是一款稳定性很好的控制器,能够产生准确的时间延迟或振荡。如果需要,可提供附加的端子用于触发或重置。在时间延迟模式下,时间由一个外部电阻和电容器进行精确控制。要作为振荡器稳定运行,空转频率和占空比均通过两个外部电阻和一个电容器进行准确控制。该电路可在下降波形时进行触发和重置,输出结构可以源/汲最高 200 mA 的电流或驱动 TTL 电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.379
    • 50+

      ¥1.2196
    • 150+

      ¥1.1513
    • 500+

      ¥0.865
    • 2500+

      ¥0.827
    • 5000+

      ¥0.8043
  • 有货
  • 这些整流器在大面积的金属 - 硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。先进的几何结构采用了具有氧化物钝化和金属重叠接触的外延结构。非常适合用作低压、高频逆变器中的整流器、续流二极管和极性保护二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3848
    • 50+

      ¥1.093
    • 150+

      ¥0.9679
    • 500+

      ¥0.8119
    • 2500+

      ¥0.7424
    • 5000+

      ¥0.7007
  • 有货
  • 这是一个完整的3W齐纳二极管系列,具有一定限制和出色的工作特性,体现了氧化硅钝化结的卓越性能。采用轴向引线、传递模塑塑料封装,可在所有常见环境条件下提供保护。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3966
    • 50+

      ¥1.1004
    • 150+

      ¥0.9735
    • 500+

      ¥0.8151
    • 2500+

      ¥0.6858
    • 6000+

      ¥0.6435
  • 有货
  • 此类双 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻,提供了坚固可靠的性能和快速的开关。此类器件尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.509
    • 50+

      ¥1.1929
    • 150+

      ¥1.0574
    • 500+

      ¥0.8795
    • 3000+

      ¥0.8042
  • 有货
  • 与流行的MC7800系列器件相同,只是其输出电流仅为MC7800系列的一半。与MC7800器件一样,三端稳压器适用于本地板载电压调节。内部电流限制、热关断电路和内部传输晶体管的安全区补偿相结合,使这些器件在大多数工作条件下都非常耐用。在有足够散热的情况下,最大输出电流为500mA。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5506
    • 50+

      ¥1.2081
    • 150+

      ¥1.0613
    • 500+

      ¥0.8781
    • 2500+

      ¥0.7966
    • 5000+

      ¥0.7476
  • 有货
  • 该肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用势垒金属和外延结构, 可产生优化的正向压降-逆向电流权衡。这种先进的封装技术可用于实现高能效的微型、节省空间的表面贴装整流器。由于其独特的散热设计,该整流器与 SMA 具有相同的热性能,而占位减小 50%,提供了业内最小高度的外形,不到 1.1 mm。由于其尺寸小巧,适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA 卡等便携式电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多个供应电压的“OR”操作,以及性能和尺寸性能至关重要的其他应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6089
    • 50+

      ¥1.2652
    • 150+

      ¥1.1179
    • 500+

      ¥0.9341
    • 3000+

      ¥0.7527
    • 6000+

      ¥0.7036
  • 有货
  • 此 20V N 沟道 MOSFET 使用高压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6172
    • 50+

      ¥1.2759
    • 150+

      ¥1.1296
    • 500+

      ¥0.9471
    • 3000+

      ¥0.8658
  • 有货
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