安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存

型号：FQPF4N90C 编号：C2696

封装：TO-220F-3

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,900V,4A,4.2Ω@10V

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￥8.95
10+
￥7.44
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￥6.13
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￥5.19
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￥4.78
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￥4.59

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型号：FDD86367 编号：C903589

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻：在VGS = 10V，ID = 80A时为3.3mΩ。典型总栅极电荷：在VGS = 10V，ID = 80A时为68nC。具有UIS能力。无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。应用：动力总成管理。电磁阀和电机驱动器

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￥9.04
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￥7.41
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￥6.52
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￥5.06
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型号：SG3525ADWR2G 编号：C30293

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

SG3525A PWM 控制器提供了更高性能，更少的外部零部件数量，可实施用于控制所有类型的开关电源。片上 +5.1 V 参考微调为 +/-1%，误差放大器具有包括参考电压的输入共哦电压范围，因此无需外部分压器电阻。振荡器的同步输入让多个设备可以成为从属设备，也可以让一个设备与外部系统时钟进行同步。通过在 CT 和放电引脚之间联接的一个电阻可以变成较宽的停滞时间范围。此器件还具有内置软启动电路，仅需一个外部计时电容器。一个关断引脚同时控制软启动电路和输出级，通过带脉冲关断的 PW 锁存以及带有更长关断命令的软启动再循环提供瞬时关断。当 VCC 低于标称值时，欠压锁定将禁止软启动电容器的输出和更换。输出级为图腾柱设计，可以接收和提供超过 200 mA 的电流。SG3525A 的输出级具有 NOR 逻辑，可对于关状态产生低输出。

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￥9.15
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￥7.63
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￥6.8
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￥5.07
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￥4.65
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型号：HCPL2631M 编号：C899527

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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￥9.69
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￥7.02
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￥5.48
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型号：RHRP1560 编号：C124447

封装：TO-220-2

品牌：onsemi(安森美)

RHRP1560 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。

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￥9.82
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￥8.03
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￥6.8
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￥5.69
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￥5.2
800+
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型号：LM2576D2TR4-5G 编号：C70354

封装：D2PAK-5

品牌：onsemi(安森美)

LM2576系列稳压器是单片集成电路，非常适合用于轻松便捷地设计降压型开关稳压器（降压转换器）。该系列的所有电路都能驱动3.0 A负载，且具有出色的线性和负载调节特性。这些器件提供3.3 V、5.0 V、12 V、15 V的固定输出电压版本，以及可调输出版本

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￥13.3
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￥11.26
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￥9.98
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￥8.33
500+
￥7.74
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型号：FDA59N30 编号：C140696

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥13.5
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￥11.36
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￥10.02
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￥8.65
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￥8.04
900+
￥7.77

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型号：NJW0281G 编号：C10664

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管卓越的增益线性和安全运行区域性能使其适用于高保真音频放大器输出级和其他线性应用。

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￥13.55
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￥11.84
30+
￥10.04
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￥8.95
510+
￥8.45
990+
￥8.24

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型号：NVMFS5A160PLZT1G 编号：C604586

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5 x 6 mm），适用于紧凑设计。低导通电阻（RDS(on)），可降低传导损耗。可选择可焊侧翼选项，便于光学检测。通过AEC-Q101认证，可提供PPAP文件。无铅且符合RoHS标准

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￥15.21
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￥14.46
30+
￥14.01
100+
￥11.53
500+
￥11.32

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型号：FDA38N30 编号：C463458

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥15.39
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￥13
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￥11.02
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￥9.49
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￥8.8
990+
￥8.5

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型号：ADT7461ARMZ-R7 编号：C255590

封装：MSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

ADT7461 是一款双沟道数字温度计和温度过低/过高报警器，用于 PC 和热管理系统。它可与 ADM1032 实现引脚和寄存器兼容。ADT7461 具有三个附加功能：串联电阻抵消（可自动从温度结果中抵消与温度监控二极管串联的最大 3 kΩ（典型值）的电阻，因此实现噪声滤波）；可配置的 ~ALERT 输出；以及扩展的可切换温度测量范围。

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1+
￥16.79
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￥14.39
30+
￥12.89
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￥11.35
500+
￥10.66
1000+
￥10.36

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型号：MC33035DWR2G 编号：C424244

封装：SOIC-24-300mil

品牌：onsemi(安森美)

MC33035 是一款高性能的第二代单片无刷直流电机控制器，包含了实施全功能开环、三相或四相电机控制系统所需的所有有效功能。该器件包括用于正确换向顺序的转子位置解码器、能够为传感器供电的温度补偿参考、频率可编程的锯齿波振荡器、三个开路收集器顶部驱动器，以及三个高电流图腾柱底部驱动器，适用于驱动功率 MOSFET。还包含了保护功能，有欠压锁定、按周期电流限制且带有可选择时间延迟的关断模式、内部高温关断以及可以接口到微处理器控制系统中的独特故障输出。典型的电机控制功能包括开环速度、前向或反向、运行启用和动态制动。MC33035 用于运行电子传感器相位为 60°/300° 或 120°/240° 的无刷电机，还可高效控制电刷直流电机。

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1+
￥22.42
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￥19.46
30+
￥15.18
100+
￥13.4
500+
￥12.58
1000+
￥12.21

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型号：NTHL080N120SC1 编号：C898280

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型RDS(on) = 80 mΩ。超低栅极电荷（典型QG(tot) = 56 nC）。低有效输出电容（典型Cₒₛₛ = 80 pF）。 100% UIL测试。该器件无卤化物，符合RoHS指令豁免条款7a，二级互连无铅。应用：UPS。 DC-DC转换器

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1+
￥42.7269 ￥58.53
10+
￥35.3115 ￥56.05
30+
￥28.9009 ￥54.53
90+
￥28.2278 ￥53.26

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型号：FGL60N100BNTDTU 编号：C105610

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

此款为新型号与FGL60N100BNTD无区别

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1+
￥85.74
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￥71.03
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￥65.14
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￥60

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型号：MMBT3904TT1G 编号：C242260

封装：SOT-416

品牌：onsemi(安森美)

此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-416/SC-75 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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100+
￥0.0353
1000+
￥0.0277
3000+
￥0.0235
9000+
￥0.021
51000+
￥0.0188
99000+
￥0.0176

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型号：MM3Z5V1T1G 编号：C75074

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

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20+
￥0.213
200+
￥0.1687
600+
￥0.1441
3000+
￥0.1252

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型号：MMSZ4687T1G 编号：C236157

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5电路板）。宽齐纳反向电压范围：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。专为优化自动电路板组装设计的封装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级 (>16 kV)。带SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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20+
￥0.227
200+
￥0.1774
600+
￥0.1498
3000+
￥0.1333
9000+
￥0.119
21000+
￥0.1112

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型号：MMBT2222AWT1G 编号：C28273

封装：SC-70(SOT-323)

品牌：onsemi(安森美)

此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-323/SC-70 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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10+
￥0.2403
100+
￥0.1876
300+
￥0.1612
3000+
￥0.1414
6000+
￥0.1256

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型号：BCW66GLT1G 编号：C165612

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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20+
￥0.2427
200+
￥0.1898
600+
￥0.1604
3000+
￥0.127
9000+
￥0.1118
21000+
￥0.1035

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型号：BAT54XV2T5G 编号：C146759

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

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10+
￥0.2483
100+
￥0.1978
300+
￥0.1725
1000+
￥0.1536
5000+
￥0.1384
8000+
￥0.1308

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型号：MMBT5179 编号：C416012

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

NPN RF晶体管该器件可以在共发射极或共基极模式的操作中用于集电极电流为100 mA至30 mA的低噪声UHF/VHF放大器，此外还可用于低频漂移和高输出UHF振荡器。采用工艺40设计。

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10+
￥0.250244 ￥0.3428
100+
￥0.191268 ￥0.3036
300+
￥0.15052 ￥0.284
3000+
￥0.142782 ￥0.2694
6000+
￥0.136528 ￥0.2576
9000+
￥0.133454 ￥0.2518

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型号：MMUN2133LT1G 编号：C86182

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。

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20+
￥0.2563
200+
￥0.2068
600+
￥0.1794
3000+
￥0.1328

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型号：BAS21TMR6T1G 编号：C463210

封装：SC-74

品牌：onsemi(安森美)

BAS21TMR6T1G 器件在 SC-74 表面贴装封装内承载三个高电压开关二极管。该器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。

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10+
￥0.2619
100+
￥0.228
300+
￥0.2077
3000+
￥0.195
6000+
￥0.1848
9000+
￥0.1797

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型号：MMSZ3V6T1G 编号：C236186

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34-封装样式提供了方便的替代方案。

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10+
￥0.2623
100+
￥0.2081
300+
￥0.1811
3000+
￥0.1608
6000+
￥0.1446
9000+
￥0.1364

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型号：MMBT5551LT3G 编号：C152516

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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20+
￥0.2656
200+
￥0.2176
600+
￥0.191
2000+
￥0.175

有货

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型号：DTC114EET1G 编号：C94400

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。

数据手册

10+
￥0.2714
100+
￥0.2149
300+
￥0.1866
3000+
￥0.1542

有货

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型号：DTC144EET1G 编号：C242410

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省板空间。

数据手册

10+
￥0.2749
100+
￥0.2182
300+
￥0.1898
3000+
￥0.1686
6000+
￥0.1516
9000+
￥0.143

有货

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型号：MMBTA14LT1G 编号：C232604

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 NPN 双极达林顿晶体管适用于开关应用，如打印锤、继电器、电磁阀和灯驱动器。此器件采用 SOT-23 封装，适合低功率表面贴装应用。

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20+
￥0.2983
200+
￥0.2445
600+
￥0.2145
3000+
￥0.1966
9000+
￥0.181
21000+
￥0.1726

有货

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型号：BC807-25LT1G 编号：C152312

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.3194
100+
￥0.2593
300+
￥0.2293
3000+
￥0.2067
6000+
￥0.1887
9000+
￥0.1797

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型号：NC7SZ125P5X 编号：C112084

封装：SC-70-5

品牌：onsemi(安森美)

NC7SZ125 是一款带三态输出的单缓冲器，属于安森美半导体的 TinyLogic 超高速 (UHS) 系列。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为接地以上高阻抗。输入耐压达 6V，而无论 VCC 运行电压任何。在 3 态条件下，输出耐压高于 VCC。

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10+
￥0.3735
100+
￥0.2911
300+
￥0.2499
3000+
￥0.219
6000+
￥0.1943
9000+
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