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价格(含税)

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12V 1A 27V

型号：MC7812BTG 编号：C45387

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计用作各种应用（包括本地、板载调节）的固定电压调节器。这些调节器采用内部限流、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。虽然主要设计用作固定电压调节器，但这些器件可与外部组件配合使用，以获得可调电压和电流。

数据手册

1+
￥3.47
10+
￥2.75
50+
￥2.2
100+
￥1.81
500+
￥1.64
1000+
￥1.53

有货

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12V 1A 35V

型号：MC7912CTG 编号：C126459

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

固定输出负电压调节器是流行的 MC7800 系列设备的补充。这些负电压调节器提供与 MC7800 设备相同的七种电压选项。此外，MECL 系统中常用的一种额外电压选项在负 MC7900 系列中也可用。提供从 -5.0V 到 -24V 的固定输出电压选项，这些调节器采用了限流、热关断和安全区补偿功能，使其在大多数工作条件下都非常坚固。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。

数据手册

1+
￥3.55
10+
￥2.85
50+
￥2.45
100+
￥2.08
500+
￥1.91
1000+
￥1.81

有货

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15V 1A 30V

型号：MC7815CD2TR4G 编号：C35946

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计用作固定电压调节器，适用于包括本地板载调节在内的各种应用。这些调节器采用了内部电流限制、热关断和安全区补偿功能。在有足够散热措施的情况下，它们能够提供超过1A的输出电流

数据手册

1+
￥3.57
10+
￥2.85
30+
￥2.48
100+
￥2.12
500+
￥1.9
800+
￥1.79

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DC输入隔离电压(rms):2500V

型号：MOCD213R2M 编号：C258244

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD213M 器件包含两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

数据手册

1+
￥3.58
10+
￥2.8
30+
￥2.47
100+
￥2.06
500+
￥1.75
1000+
￥1.64

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1个P沟道耐压:60V 电流:20A

型号：FDD5614P 编号：C236892

封装：TO-252-2

品牌：onsemi(安森美)

60V P-Channel MOSFET采用高压PowerTrench工艺，针对电源管理应用进行了优化。

数据手册

1+
￥3.63
10+
￥2.94
30+
￥2.59
100+
￥2.25
500+
￥2.05
1000+
￥1.94

有货

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电压:60V 电流:3A

型号：MBRD360T4G 编号：C10667

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器用作开关电源、逆变器和其他电感开关电路中的输出整流器、续流、保护和转向二极管。

数据手册

1+
￥3.64
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￥2.98
30+
￥2.65
100+
￥2.32
500+
￥2.1
1000+
￥2

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1个N沟道耐压:50V 电流:14A

型号：RFD14N05LSM9A 编号：C464112

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此性能是通过一个特殊的门极氧化层设计实现的，该设计可在 3V 到 5V 电压内的门极偏置下提供全额定传导，因此可以真正实现直接从逻辑电平 (5V) 集成电路中的开关电源控制。之前的开发型号为 TA09870。

数据手册

1+
￥3.67
10+
￥2.95
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￥2.65
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￥2.05
500+
￥1.88
1000+
￥1.78

有货

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电压:60V 电流:3A

型号：MBRD660CTT4G 编号：C72267

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

数据手册

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￥3.86
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￥3.15
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￥2.8
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￥2.45
500+
￥2.24
1000+
￥2.13

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集成负载开关 FDC6326L

型号：FDC6326L 编号：C890874

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

该设备特别适用于需要3V至20V输入和1.8A输出电流能力的便携式电子设备中的紧凑型电源管理。此负载开关在一个小巧的SuperSOT-6封装中集成了一个小N沟道功率MOSFET（Q1），用来驱动一个大P沟道功率MOSFET（Q2）。

数据手册

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￥3.9
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￥3.5
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￥3.31
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￥3.11
500+
￥2.48
1000+
￥2.42

有货

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电压:150V 电流:10A

型号：FSV10150V 编号：C719814

封装：TO-277-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低正向压降。低热阻。超薄外形：典型高度为1.1mm。沟槽肖特基技术。符合IEC61249标准的绿色模塑料。这些器件无铅、无卤且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥3.98
10+
￥3.22
30+
￥2.84
100+
￥2.47
500+
￥2.24
1000+
￥2.13

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:1.7A

型号：FQT7N10LTF 编号：C154506

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

数据手册

1+
￥4.11
10+
￥3.25
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￥2.81
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￥2.39
500+
￥1.89
1000+
￥1.76

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:11A

型号：FQD13N06LTM 编号：C236914

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

数据手册

1+
￥4.17
10+
￥3.34
30+
￥2.92
100+
￥2.51
500+
￥1.94
1000+
￥1.81

有货

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15V 1A 35V

型号：MC7915CD2TR4G 编号：C153065

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

固定输出负电压调节器是流行的 MC7800 系列设备的补充。这些负电压调节器提供与 MC7800 设备相同的七种电压选项。此外，MECL 系统中常用的一种额外电压选项在负 MC7900 系列中也可用。提供从 -5.0V 到 -24V 的固定输出电压选项，这些调节器采用了限流、热关断和安全区补偿功能，使其在大多数工作条件下都非常坚固。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。

数据手册

1+
￥4.18
10+
￥3.4
30+
￥3.01
100+
￥2.62
500+
￥2.06
800+
￥1.94

有货

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1.2V~37V 1.5A 40V

型号：LM337BTG 编号：C74415

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

高PSRR 可调负向

数据手册

1+
￥4.57
10+
￥3.71
30+
￥3.28
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￥2.85
500+
￥2.59
1000+
￥2.46

有货

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16V电机驱动芯片

型号：LV8548MC-AH 编号：C19950

封装：SOIC-10-1mm

品牌：onsemi(安森美)

电机驱动器，正向/反向，低饱和电压，12V

数据手册

1+
￥4.72
10+
￥3.81
30+
￥3.35
100+
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500+
￥2.39
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￥2.25

有货

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耐压:40V 电流:90A

型号：FDD9509L-F085 编号：C605022

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

P 沟道，PowerTrench MOSFET，-40 V，-100 A，4.4 mΩ

数据手册

1+
￥4.7595 ￥5.01
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￥3.8165 ￥4.49
30+
￥3.15 ￥4.2
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￥2.91 ￥3.88
500+
￥2.805 ￥3.74
1000+
￥2.7525 ￥3.67

有货

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9V~28V

型号：NCP1380DDR2G 编号：C415858

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1380 是一款高性能器件，旨在为准谐振转换器供电。该控制器基于专属的谷锁闭系统，可以在功率负载变轻时进行切换并降低开关频率。这样将产生稳定的运行，即使在漏极-源极谷中总是触发的开关事件下也是如此。此系统可在低至第 4 个谷的条件下运行，并在之后切换到变频模式，确保卓越的待机功率性能。为了提高过载条件下的安全性，该控制器包括了过功率保护 (OPP) 电路，可对高电平线路处提供的电源进行箝制。具有安全功能的固定内部计时器依赖反馈电压来检测故障。一旦计时器到期，控制器则停止并保持选项 A 和 C 的锁存状态，或者进入选项 B 和 D 的自动恢复模式。该控制器尤其适用于适配器应用，有一个引脚来实施过电压/高温组合保护（版本 A 和 B）或欠电压/过电压组合保护（版本 C 和 D）。

数据手册

1+
￥5.13
10+
￥4.09
30+
￥3.57
100+
￥3.05
500+
￥2.75
1000+
￥2.59

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:750mA

型号：MVGSF1N02LT1G 编号：C463102

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

汽车用功率 MOSFET。此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型功率管理电路。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥5.22
10+
￥4.15
30+
￥3.62
100+
￥3.09
500+
￥2.78
1000+
￥2.62

有货

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带低导通电阻的受控负载开关，用于高级负载管理

型号：NCP4545IMNTWG 编号：C154786

封装：QFN-18-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4545 负载开关提供了一种减少组件和面积的解决方案，通过软启动限制涌流来实现高效的电源域切换。它设计为在一个单一设备中集成了控制和驱动功能以及高性能低导通电阻的功率MOSFET。这种成本效益高的解决方案非常适合需要在小尺寸内实现低功耗的电源管理和热插拔应用。

数据手册

1+
￥5.2542 ￥8.34
10+
￥4.0651 ￥7.67
30+
￥3.1218 ￥7.26
100+
￥2.9369 ￥6.83
500+
￥2.8552 ￥6.64
1000+
￥2.8208 ￥6.56

有货

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1.25V~10V 500mA 12V

型号：NCP3334DADJR2G 编号：C130124

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP3334是一款高性能、低压差稳压器。它在电压和负载变化时的精度为±0.9%，且具有超低静态电流和噪声，具备当今消费电子产品所需的所有必要特性。

数据手册

1+
￥5.63
10+
￥4.48
30+
￥3.91
100+
￥3.34
500+
￥3
1000+
￥2.82

有货

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NPN 电流:8A 电压:250V

型号：MJE15032G 编号：C134071

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适合用作音频放大器中的高频驱动器。

数据手册

1+
￥5.83
10+
￥4.78
50+
￥3.98
100+
￥3.45
500+
￥3.14
1000+
￥2.97

有货

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降压型 1A 2.3V~5.5V

型号：FAN53611AUC18X 编号：C464153

封装：WLCSP-6(0.9x1.2)

品牌：onsemi(安森美)

FAN53611是一种6MHz降压开关电压调节器,提供1A输出电流,输入电压范围为2.3V至5.5V。该调节器采用同步整流技术,具有92%的峰值效率,轻负载时效率仍保持在80%以上。它以6MHz的固定频率运行,支持外部频率同步和低纹波PFM模式。典型静态电流为24μA,关断模式下电源电流降至1μA以下。支持热关断和过载保护。

数据手册

1+
￥5.9057 ￥8.09
10+
￥5.7962 ￥7.94
30+
￥5.7232 ￥7.84
100+
￥5.6502 ￥7.74

有货

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耐压:600V 电流:15A 反向恢复时间：60ns

型号：MUR1560G 编号：C61702

封装：TO-220-2

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

数据手册

1+
￥6.12
10+
￥4.89
50+
￥4.16
100+
￥3.55
500+
￥3.19
1000+
￥3

有货

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PNP 电流:8A 电压:250V

型号：MJE15033G 编号：C134072

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适合用作音频放大器中的高频驱动器。

数据手册

1+
￥6.19
10+
￥4.95
30+
￥4.34
100+
￥3.72
500+
￥3.35
1000+
￥3.17

有货

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自保护高边驱动器，具备温度关断和电流限制功能

型号：NCV8452STT1G 编号：C477982

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCV8452 是一款完全保护的高压侧驱动器，可用于开关各种负载，如灯泡、电磁阀和其他致动器。该器件可以通过有源电流限制和高温关断针对过载情况进行内部保护。

数据手册

1+
￥7.35
10+
￥6.02
30+
￥5.29
100+
￥4.46
500+
￥4.09
1000+
￥3.93

有货

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耐压:40V 电流:300A

型号：NTMFS5C410NT1G 编号：C604434

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，40 V，0.92 mΩ，300 A，单 N 沟道

数据手册

1+
￥7.66
10+
￥6.47
30+
￥5.14
100+
￥4.55
500+
￥4.19
1500+
￥4.01

有货

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高速双MOSFET驱动器

型号：MC33151DR2G 编号：C233738

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器，针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。

数据手册

1+
￥8.03
10+
￥6.73
30+
￥6.02
100+
￥5.21
500+
￥4.85
1000+
￥4.69

有货

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型号：NUP4302MR6T1G 编号：C68418

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

NUP4302MR6旨在保护高速数据线接口免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和浪涌的影响。

数据手册

1+
￥8.48
10+
￥7.03
30+
￥6.23
100+
￥5.33
500+
￥4.52
1000+
￥4.34

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耐压:1kV 电流:8A 反向恢复时间：100ns

型号：MUR8100EG 编号：C23545

封装：TO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

超快“E”系列，具有很高的反向能量吸收能力……适用于开关电源、逆变器和用作续流二极管，此类先进器件具有下列特性：

数据手册

1+
￥8.53
10+
￥7.21
50+
￥6.15
100+
￥5.32
500+
￥4.96
1000+
￥4.79

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:46A

型号：NTD5865NLT4G 编号：C145546

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道,60V,16A,16mΩ@10V

数据手册

1+
￥8.81
10+
￥7.38
30+
￥6.59
100+
￥5.7
500+
￥4.86
1000+
￥4.68

有货

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