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特性:标准齐纳击穿电压范围:-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级(>16kV)。 平坦的操作表面,便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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  • 该 Ultrafast 功率整流器适用于高电压、高频率整流,或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管,在此类应用中紧凑的尺寸和重量至关重要。
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  • 此类 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用,在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。
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  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级(>16kV)。 平坦的操作表面,便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级(>16kV)。 平坦的操作表面,便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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  • NC7SP125 是一款带三态输出的单缓冲器,属于安森美半导体的 TinyLogic 超低功耗 (ULP) 系列。此产品适用于电池寿命至关重要的应用,在 0.9V 到 3.6V 的 VCC 运行范围内具有超低功耗。内部电路由一个最小的缓冲器级组成,其中包括输出缓冲器,可实现超低静态和动态功耗。NC7SP125 用于更低的驱动要求,具有优化的功耗和速度独特设计,采用先进的 CMOS 工艺,可实现高速运行,同时和保持低 CMOS 功耗。
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  • ESD7CxxD系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使这些器件非常适合用于电路板空间有限的设计中的ESD保护。由于其尺寸小巧,适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。
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  • LM833是一款标准的低成本单片双路通用运算放大器,采用双极技术,并融入了适用于音频系统应用的创新高性能理念。借助高频PNP晶体管,LM833具备低电压噪声(4.5 nV/√Hz)、15 MHz的增益带宽积、7.0 V/μs的压摆率、0.3 mV的输入失调电压以及2.0 μV/℃的输入失调电压温度系数。LM833的输出级无死区交越失真,输出电压摆幅大,具有出色的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源/灌交流频率响应。
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  • NC7WZ07 是一款带开路漏极输出的双缓冲器,属于安森美半导体的 TinyLogic 超高速系列。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造,可实现超高速和高输出驱动,同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V VCC。当 VCC 为 0V 时,输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V,而无论 VCC 运行电压任何。
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  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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  • 此开关二极管适用于高速开关应用。 此双二极管器件包含串联封装的两个二极管,采用 SOT-23 表面贴装封装。
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  • MC33071/72/74、MC34071/72/74、NCV33072/74A 系列单片运算放大器采用了优质双极制造工艺和创新设计理念。该系列运算放大器在不使用 JFET 器件技术的情况下,可提供 4.5 MHz 的增益带宽积、13 V/μs 的压摆率和快速建立时间。
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  • MC74VHC14 是一款先进的高速 CMOS 施密特逆变器,采用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行,同时还保持 CMOS 低功耗。引脚配置和功能与 MC74VHC04 相同,但输入存在迟滞,通过其施密特触发器功能,VHC14 可用作线路接收器,接收缓慢的输入信号。该内部电路由三级组成,包括一个提供高抗扰性和稳定输出的缓冲器输出。输入耐压达 7V,支持 5V 系统到 3V 系统的接口。
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      ¥1.4749
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      ¥0.9722
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  • 该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD31、MJD31C (NPN) 和 MJD32、MJD32C (PNP) 为互补器件。
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      ¥0.963
    • 5000+

      ¥0.9365
  • 有货
  • 该 Ultrafast 整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。
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      ¥1.5174
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      ¥1.2098
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      ¥0.8401
    • 5000+

      ¥0.7962
  • 有货
  • 采用肖特基势垒原理的大面积金属硅功率二极管。先进的几何结构,具有外延结构、氧化物钝化和金属覆盖接触。非常适合低压、高频整流,或在对系统尺寸和重量要求苛刻的表面贴装应用中用作续流和极性二极管。
    数据手册
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      ¥1.6032
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      ¥1.2447
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      ¥1.091
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      ¥0.8993
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      ¥0.8139
    • 5000+

      ¥0.7627
  • 有货
  • 该 Ultrafast 功率整流器适用于高电压、高频率整流,或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管,在此类应用中紧凑的尺寸和重量至关重要。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.692
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      ¥1.3392
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      ¥0.8929
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      ¥0.8089
    • 5000+

      ¥0.7585
  • 有货
  • 此双路双向适用于需要电压保护功能的应用。 它适用于过电压和 ESD 敏感性设备。此器件具有一个双结共阴极配置,用于保护两个单独的线路。
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      ¥1.7619
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      ¥0.9859
    • 2500+

      ¥0.8918
  • 有货
  • MC1496B 适用于输出电压为输入电压(信号)和开关功能(载波)的共同结果的场合。典型应用包括抑制载波和放大调制、同步检测、调频 (FM) 检测、相位检测和斩波器应用。
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      ¥1.8568
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      ¥1.4757
    • 150+

      ¥1.3123
    • 500+

      ¥1.1085
    • 2500+

      ¥1.0177
    • 5000+

      ¥0.9633
  • 有货
  • 低 VCE(sat) 双极晶体管是具有超低饱和电压 VCE(sat) 和高电流增益能力的微型表面贴装器件。此类器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8738
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      ¥1.4723
    • 150+

      ¥1.3002
    • 500+

      ¥1.0855
    • 3000+

      ¥0.9876
    • 6000+

      ¥0.9302
  • 有货
  • 该超快整流器采用先进的带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于高电压、高频率整流,或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用,其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.941
    • 50+

      ¥1.5141
    • 150+

      ¥1.3311
    • 500+

      ¥1.1029
    • 2500+

      ¥0.9589
    • 5000+

      ¥0.8979
  • 有货
  • 超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。
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      ¥1.9529
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      ¥1.5138
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      ¥1.3256
    • 1500+

      ¥1.0908
    • 3000+

      ¥0.9863
    • 4500+

      ¥0.9235
  • 有货
  • 这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管,其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装,可在所有常见环境条件下提供保护。
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    • 5+

      ¥1.9879
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      ¥1.5595
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      ¥1.3759
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      ¥1.1469
    • 2500+

      ¥1.0775
    • 4000+

      ¥1.0163
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  • 特性:输出驱动能力:±24mA。 工作电压范围:2至6V(AC00);4.5至5.5V(ACT00)。 低输入电流:1.0μA。 具备CMOS器件的高抗噪特性。 符合JEDEC标准第7A号要求。 芯片复杂度:32个FET。 这些是无铅器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9894
    • 50+

      ¥1.5555
    • 150+

      ¥1.3696
    • 500+

      ¥1.1376
  • 有货
  • 该肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流,或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用,其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
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    • 5+

      ¥1.9926
    • 50+

      ¥1.5879
    • 150+

      ¥1.4145
    • 500+

      ¥1.1981
    • 2500+

      ¥1.1017
    • 5000+

      ¥1.0439
  • 有货
  • MM74HC08 AND 门极采用先进的硅门极 CMOS 工艺制造,运行速度与 LS-TTL 门极相媲美,并具有标准 CMOS 集成电路的低功耗。HC08 具备缓冲输出,可提供高抗扰度,并能够驱动 10 个 LS-TTL 负载。74HC 逻辑系列与标准 74LS 逻辑系列在功能和引脚输出方面兼容。通过将内部二极管箝位到 VCC 和接地,防止所有输入因静电放电受损。
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      ¥1.18
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      ¥1.15
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