安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

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操作

MC33161DR2G

型号：MC33161DR2G 编号：C233686

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34161/MC33161是通用电压监测器，适用于各种电压感应应用。这些器件为电路设计人员提供了一种经济的正负电压检测解决方案。该电路由两个带迟滞的比较器通道、一个用于通道编程的独特模式选择输入、一个引出的2.54 V参考电压和两个能够吸收超过10 mA电流的开集电极输出组成。每个比较器通道可通过模式选择输入配置为反相或同相。这允许对正负电压进行过压、欠压和窗口检测。这些器件要完全正常工作所需的最小电源电压，对于正电压感应为2.0 V，对于负电压感应为4.0 V。

数据手册

1+
￥6.46
10+
￥5.2
30+
￥4.58
100+
￥3.95
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￥3.58
1000+
￥3.38

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45V 15A

型号：MBRB2545CTT4G 编号：C129732

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。

数据手册

1+
￥7.46
10+
￥6.29
30+
￥5.64
100+
￥4.92
500+
￥4.21
800+
￥4.06

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NPN 电流:8A 电压:150V

型号：MJE15030G 编号：C233749

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适合用作音频放大器中的高频驱动器。

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1+
￥7.58
10+
￥6.3
50+
￥5.6
100+
￥4.81
500+
￥4.45

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1个N沟道耐压:150V 电流:12A

型号：FDMS86252L 编号：C606108

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥7.88
10+
￥6.48
30+
￥5.71
100+
￥4.84
500+
￥4.45
1000+
￥4.28

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600V

型号：NCP1399AADR2G 编号：C99733

封装：SOIC-16-EP

品牌：onsemi(安森美)

NCP1399 是一款用于半桥谐振转换器的高性能电流模式控制器。此控制器实施了 600 V 门极驱动器，简化了布局，减少了外部部件数量。内置的欠电压输入功能简化了该控制器在所有应用中的实施。在需要 PFC 前级的应用中，NCP1399 具有一个专门的输出来驱动 PFC 控制器。此功能结合专门的跳过模式技术进一步提高了整个应用的轻负载能效。NCP1399 提供了一套保护功能，可实现在任何应用中的安全运行。其中包括：过载保护、放置硬开关周期的过电流保护、欠电压检测、开路光耦合器检测、自动停滞时间调节、过电压 (OVP) 和高温 (OTP) 保护。

数据手册

1+
￥7.96
10+
￥6.6
30+
￥5.93
100+
￥3.95
500+
￥3.55
1000+
￥3.34

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耐压:1.2kV 电流:8A 反向恢复时间：70ns

型号：RHRP8120 编号：C11770

封装：TO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

RHRP8120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。

数据手册

1+
￥9.02
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￥7.52
50+
￥6.58
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￥5.65
500+
￥5.24
800+
￥5.05

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1/2.7英寸 2.1 MP CMOS图像传感器 CMOS图像传感器

型号：AR0237CSSC12SHRA0-DR 编号：C512869

封装：PLCC-48(11.4x11.4)

品牌：onsemi(安森美)

AR0237 是一款 1/2.7 英寸 CMOS 数字图像传感器，带有 1928 (H) × 1088 (V) 有效像素阵列。它能在线性或高动态范围模式下捕捉图像，且带有卷帘快门读取，其中包含了复杂的摄像头功能，如像素内装仓、开窗以及视频和单帧模式。它适用于低光度和高动态范围场景性能，可通过一个简单的两线串行接口进行编程。 AR0237 可产生非常清晰、锐利的数字图像，并且能够同时捕捉连续视频和单帧图像，适用于监控和高清视频等多种应用。

数据手册

1+
￥13.3456 ￥35.12
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￥9.4136 ￥33.62
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￥5.886 ￥32.7
100+
￥5.7492 ￥31.94

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1个N沟道耐压:900V 电流:6A

型号：FQP6N90C 编号：C128798

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

N沟道 900V 6A

数据手册

1+
￥15.29
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￥13.1
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￥9.92
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￥8.52
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￥7.89
1000+
￥7.62

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1个N沟道耐压:150V 电流:130A

型号：FDP075N15A-F102 编号：C128790

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥15.41
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￥13.27
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￥11.47
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￥10.1
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￥9.49
800+
￥9.22

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1.2kV 160A

型号：NGTB40N120FL3WG 编号：C411217

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

此绝缘门双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的超场截止沟槽结构，在要求较高的开关应用中提供卓越的性能，还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。该 IGBT 非常适用于 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的共封装续流二极管，带有较低正向电压。

数据手册

1+
￥20.42
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￥17.66
30+
￥15.24
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￥13.58
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￥12.81
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￥12.47

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650V 80A

型号：FGA40N65SMD 编号：C444005

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电感加热、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

数据手册

1+
￥21.46
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￥18.47
30+
￥13.69
90+
￥11.78
450+
￥10.91
900+
￥10.53

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耐压:1.2kV 电流:30A 反向恢复时间：85ns

型号：RHRP30120 编号：C11752

封装：TO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

RHRP30120 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。

数据手册

1+
￥21.58
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￥18.72
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￥16.72
100+
￥15
500+
￥14.21
800+
￥13.85

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1个N沟道耐压:500V 电流:24A

型号：FDA24N50F 编号：C898137

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥24.85
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￥21.13
30+
￥18.92
90+
￥16.69
450+
￥15.66
900+
￥15.19

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100V 200mA

型号：BAS16HT3G 编号：C896652

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。

数据手册

50+
￥0.1061
500+
￥0.0829
1500+
￥0.07
10000+
￥0.0623
20000+
￥0.0556
50000+
￥0.052

有货

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电压:30V 电流:200mA

型号：BAT54LT1G 编号：C94399

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间受限的手持和便携式应用。

数据手册

20+
￥0.1546
200+
￥0.1221
600+
￥0.104
3000+
￥0.0904
9000+
￥0.081
21000+
￥0.0759

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ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：1A@8/20us

型号：CM1293A-04SO 编号：C393377

封装：SC-74

品牌：onsemi(安森美)

CM1293A−04SO专为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供静电放电（ESD）保护而设计。该器件非常适合保护具有高数据和时钟速率的系统，或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成，可将正或负ESD电流脉冲导向正（Vₚ）或负（Vₙ）电源轨。在Vₚ和Vₙ之间嵌入了一个齐纳二极管，有助于保护V₍₎₎轨免受ESD冲击。根据IEC 61000−4−2 4级标准，该器件可防护高达±8 kV（接触放电）的ESD脉冲。该器件特别适合保护使用高速端口的系统，如USB2.0、IEEE1394（FireWire、i.LINK）、串行ATA、DVI、HDMI，以及可移动存储设备、数码摄像机、DVD−RW驱动器等应用中的相应端口，这些应用需要在小封装尺寸下实现极低的负载电容和ESD保护。

数据手册

10+
￥0.1804
100+
￥0.1758
300+
￥0.1727
1000+
￥0.1697

有货

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独立式耐压:5.6V 电流:1uA@2V

型号：BZX84C5V6LT1G 编号：C82471

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

10+
￥0.2299
100+
￥0.1814
300+
￥0.1571
3000+
￥0.1343
6000+
￥0.1198
9000+
￥0.1125

有货

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独立式耐压:18V 电流:0.05uA

型号：MM3Z18VT1G 编号：C82043

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.2364
200+
￥0.1852
600+
￥0.1568
3000+
￥0.1398
9000+
￥0.125
21000+
￥0.1171

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:310mA

型号：2N7002ET1G 编号：C71533

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道 MOSFET，小信号，60V，310mA，2.5 Ω 沟槽，N 沟道， SOT23

数据手册

20+
￥0.2393
200+
￥0.1915
600+
￥0.165
3000+
￥0.1408
9000+
￥0.127
21000+
￥0.1195

有货

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独立式耐压:16V 电流:0.1uA@12V

型号：MMSZ5246BT1G 编号：C52809

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

20+
￥0.2536
200+
￥0.1996
600+
￥0.1696
3000+
￥0.1301
9000+
￥0.1145
21000+
￥0.1061

有货

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电压:30V 电流:30mA

型号：RB751S40T5G 编号：C604669

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

这些肖特基势垒二极管专为高速开关应用、电路保护和电压钳位而设计。极低的正向电压可降低传导损耗。微型表面贴装封装非常适合空间有限的手持和便携式应用。

数据手册

20+
￥0.2698
200+
￥0.2164
600+
￥0.1867
2000+
￥0.1689
8000+
￥0.1426

有货

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NPN+PNP 电流:200mA 电压:40V

型号：MBT3946DW1T1G 编号：C28272

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

MBT3946DW1T1G器件是我们广受欢迎的SOT−23/SOT−323三引脚器件的衍生产品。它专为通用放大器应用而设计，采用SOT−363−6表面贴装封装。通过将两个分立器件封装在一个封装中，该器件非常适合对电路板空间要求较高的低功耗表面贴装应用

数据手册

10+
￥0.2803
100+
￥0.2215
300+
￥0.192
3000+
￥0.1565
6000+
￥0.1388

有货

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75V 300mA

型号：1N914BWT 编号：C896167

封装：SOD-523F

品牌：onsemi(安森美)

小信号二极管

数据手册

10+
￥0.3272
100+
￥0.2668
300+
￥0.2366
1000+
￥0.2139
5000+
￥0.1895

有货

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独立式耐压:9.1V 电流:0.5uA@6V

型号：MM3Z9V1ST1G 编号：C327500

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

10+
￥0.3805
100+
￥0.3085
300+
￥0.2725
3000+
￥0.2455
6000+
￥0.2239
9000+
￥0.2131

有货

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600V 1A

型号：RS1J 编号：C232849

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：玻璃钝化结。适用于表面贴装应用。内置应力消除，适合自动贴装。 UL认证：证书编号E326243

数据手册

5+
￥0.4523
50+
￥0.3906
150+
￥0.3597
500+
￥0.3365
2500+
￥0.318

有货

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600V 1A

型号：S1J 编号：C184326

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

1.0A通用整流器

数据手册

10+
￥0.5191
100+
￥0.4359
300+
￥0.3942
1000+
￥0.363
7500+
￥0.3127
15000+
￥0.3002

有货

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独立式耐压:5.1V 电流:5uA@2V

型号：SZMMSZ5231BT1G 编号：C231290

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

5+
￥0.5953
50+
￥0.4758
150+
￥0.4161
500+
￥0.3712
3000+
￥0.327
6000+
￥0.3091

有货

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独立式耐压:3.3V 电流:50uA@1.0V

型号：1SMA5913BT3G 编号：C235775

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.6259
50+
￥0.5386
150+
￥0.5011
500+
￥0.4544
2500+
￥0.4001
5000+
￥0.3876

有货

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独立式耐压:9.1V 电流:5uA@7V

型号：1SMB5924BT3G 编号：C53166

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.6511
50+
￥0.5075
150+
￥0.4357
500+
￥0.3818
2500+
￥0.3387
5000+
￥0.3172

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:1.3A

型号：NTR1P02LT3G 编号：C896854

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。这些 P 沟道小信号 MOSFET 的典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。

数据手册

5+
￥0.7206
50+
￥0.5439
150+
￥0.4555
500+
￥0.3893
2500+
￥0.3266
5000+
￥0.3

有货

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