安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

首页 > 热门关键词 > 安森美滤波器

综合排序价格销量

-

现货商品

折扣

符合条件商品：共89834件

图片

关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

TinyLogic UHS带施密特触发输入的双缓冲器

型号：NC7WZ17L6X 编号：C457663

封装：MicroPaK-6

品牌：onsemi(安森美)

NC7WZ17 是一款来自 TinyLogic 产品超高速（UHS）系列的双缓冲器，带有施密特触发输入。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在非常宽的 VCC 工作电压范围内保持低静态功耗。该器件的工作电压范围为 1

数据手册

5+
￥1.0294
50+
￥0.9076
150+
￥0.8554
500+
￥0.7903
2500+
￥0.6438
5000+
￥0.6264

有货

立即购买

独立式耐压:16V 电流:1uA@12.2V

型号：1SMB5930BT3G 编号：C235979

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0824
50+
￥0.8447
150+
￥0.7428
500+
￥0.6157
2500+
￥0.5471
5000+
￥0.5132

有货

立即购买

独立式耐压:36V 电流:1uA@27.4V

型号：1SMB5938BT3G 编号：C48869

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.0973
50+
￥0.8629
150+
￥0.7625
500+
￥0.6372
2500+
￥0.5357
5000+
￥0.5022

有货

立即购买

独立式耐压:9.1V 电流:5uA@7V

型号：1SMB5924BT3G 编号：C53166

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.1093
50+
￥0.8734
150+
￥0.7722
500+
￥0.646
2500+
￥0.5899
5000+
￥0.5561

有货

立即购买

独立式耐压:3.6V 电流:75uA@1V

型号：1SMB5914BT3G 编号：C129230

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1186
50+
￥0.8671
150+
￥0.7593
500+
￥0.6248
2500+
￥0.5649
5000+
￥0.529

有货

立即购买

超高速双反相器，带施密特触发器输入

型号：NC7WZ14L6X 编号：C118211

封装：UFDFN-6

品牌：onsemi(安森美)

NC7WZ14 是一款带施密特触发器输入的双逆变器，属于安森美半导体的 TinyLogic 超高速 (UHS) 系列，采用节省空间的 SC70 6 引线封装。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V VCC。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 7V，而无论 VCC 运行电压任何。施密特触发器输入在 5V 下可实现正向和负向输入阈值电压之间的 1V 典型迟滞值。

数据手册

5+
￥1.1243
50+
￥0.9109
150+
￥0.8194
500+
￥0.7053
2500+
￥0.6545
5000+
￥0.624

有货

立即购买

独立式耐压:30V 电流:0.5uA

型号：1SMA5936BT3G 编号：C235765

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1639
50+
￥0.9386
150+
￥0.8421
500+
￥0.7216
2500+
￥0.6133
5000+
￥0.5811

有货

立即购买

独立式耐压:8.2V 电流:5uA@1V

型号：1SMB5923BT3G 编号：C235766

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件

数据手册

5+
￥1.1652
50+
￥0.9132
150+
￥0.8052
500+
￥0.6704
2500+
￥0.6104
5000+
￥0.5744

有货

立即购买

低失调电压双比较器

型号：LM2903VDR2G 编号：C91736

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

电压-输入失调（最大值）7mV

数据手册

5+
￥1.1687
50+
￥0.9093
150+
￥0.7981
500+
￥0.6593
2500+
￥0.5976
5000+
￥0.5605

有货

立即购买

独立式耐压:3.9V 电流:25uA@1V

型号：1SMB5915BT3G 编号：C152473

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.2122
50+
￥0.9527
150+
￥0.8415
500+
￥0.6369
2500+
￥0.5751
5000+
￥0.538

有货

立即购买

单电源双运算放大器

型号：NCV2904DR2G 编号：C152295

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

这些双运算放大器采用了为四运算放大器优化的电路设计，具有低功耗、共模输入电压范围扩展至地/VEE 以及单电源或双电源供电的特点。LM358 系列相当于半个 LM324。在单电源应用中，相较于标准运算放大器类型，这些放大器具有多个显著优势

数据手册

5+
￥1.258
50+
￥1.0089
150+
￥0.9022
500+
￥0.7691
2500+
￥0.5856
5000+
￥0.55

有货

立即购买

六路反相器

型号：MC14069UBDR2G 编号：C36955

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

由MOS P沟道和N沟道增强型器件在单一单片结构中构建而成。这些反相器主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的地方。六个反相器中的每一个都是单级的，以尽量减少传播延迟。

数据手册

5+
￥1.2777
50+
￥0.9954
150+
￥0.8745
500+
￥0.7236
2500+
￥0.6564
5000+
￥0.616

有货

立即购买

单向ESD 3.3V截止

型号：ESD7C3.3DT5G 编号：C233386

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

ESD7CxxD系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中ESD保护的理想选择。因其尺寸小巧，适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。

数据手册

5+
￥1.2786
50+
￥1.0389
150+
￥0.9362
500+
￥0.8081
2500+
￥0.6218
5000+
￥0.5876

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:750mA

型号：MGSF1N02LT1G 编号：C236202

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。

数据手册

5+
￥1.4339
50+
￥1.1197
150+
￥0.985
500+
￥0.817
3000+
￥0.6425
6000+
￥0.5976

有货

立即购买

电压:40V 电流:2A

型号：MBRS240LT3G 编号：C8165

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

在金属 - 硅功率整流器中采用肖特基势垒原理。具备采用氧化物钝化和金属覆盖层接触的外延结构。非常适合用于低压、高频开关电源；续流二极管和极性保护二极管

数据手册

5+
￥1.4622
50+
￥1.1334
150+
￥0.9925
500+
￥0.8167
2500+
￥0.7385
5000+
￥0.6915

有货

立即购买

独立式耐压:7.5V 电流:5uA@6V

型号：1SMB5922BT3G 编号：C50528

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.4818
50+
￥1.1967
150+
￥1.0745
500+
￥0.922
2500+
￥0.7366
5000+
￥0.6959

有货

立即购买

1个P沟道耐压:20V 电流:1A

型号：NDS332P 编号：C258217

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

此类 P 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑电源管理、便携式电子设备和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速高压侧开关和线路内低功率损耗。

数据手册

5+
￥1.518
50+
￥1.2055
150+
￥1.0716
500+
￥0.9045
3000+
￥0.8301
6000+
￥0.7855

有货

立即购买

四路2输入与门，高性能硅栅CMOS

型号：MC74ACT08DR2G 编号：C233452

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

特性：输出源/灌电流：24 mA。 -ACT08具有与TTL兼容的输入。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.5656
50+
￥1.2531
150+
￥1.1191
500+
￥0.8954
2500+
￥0.821
5000+
￥0.7763

有货

立即购买

双向ESD 12V截止峰值浪涌电流：15A@8/20us

型号：SD12CT1G 编号：C328100

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

SD12C旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态事件的影响。出色的钳位能力、低漏电流和快速响应时间，使该器件非常适合用于电路板空间有限的设计中的ESD保护。

数据手册

5+
￥1.6599
50+
￥1.2855
150+
￥1.125
500+
￥0.9248
3000+
￥0.8357

有货

立即购买

单向ESD 6.5V截止

型号：MA3075WALT1G 编号：C233442

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

数据手册

5+
￥1.7508
50+
￥1.3949
150+
￥1.2424
500+
￥1.0521
3000+
￥0.9195
6000+
￥0.8687

有货

立即购买

单比较器

型号：LM311DR2G 编号：C231850

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

该器件能够在5.0 V至30 V的单电源或±15 V的双电源（运算放大器常用电源）下工作，这使得LM211/LM311成为一款真正通用的比较器。此外，该器件的输入可以与系统地隔离，而输出可以驱动以地、VCC或VEE电源为参考的负载。这种灵活性使得它能够驱动DTL、RTL、TTL或MOS逻辑电路。输出还能在50 mA电流下切换高达50 V的电压，因此，LM211/LM311可用于驱动继电器、指示灯或螺线管。

数据手册

5+
￥1.7549
50+
￥1.456
150+
￥1.3279
500+
￥1.1222
2500+
￥1.051
5000+
￥1.0083

有货

立即购买

电压:20V 电流:4A

型号：MBRS320T3G 编号：C236151

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.8312
50+
￥1.4265
150+
￥1.2531
500+
￥1.0367
2500+
￥0.9403
5000+
￥0.8825

有货

立即购买

NPN 电流:200mA 电压:40V

型号：PZT3904T1G 编号：C232396

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

特性：S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准

数据手册

5+
￥1.8547
50+
￥1.4608
150+
￥1.2919
1000+
￥1.0813
2000+
￥0.9875

有货

立即购买

18V 500mA 33V

型号：MC78M18CDTRKG 编号：C115123

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

与流行的MC7800系列器件相同，只是其输出电流仅为MC7800系列的一半。与MC7800器件一样，三端稳压器适用于本地板载电压调节。内部电流限制、热关断电路和内部传输晶体管的安全区补偿相结合，使这些器件在大多数工作条件下都非常耐用。在有足够散热的情况下，最大输出电流为500mA。

数据手册

5+
￥1.9107
50+
￥1.4977
150+
￥1.3207
500+
￥1.0998
2500+
￥1.0015
5000+
￥0.9425

有货

立即购买

8MHz 4位二进制正数/倒数计数器

型号：MC14516BDR2G 编号：C70412

封装：SOIC-16-150mil

品牌：onsemi(安森美)

MC14516B 同步正数/倒数二进制计数器在一个单片结构中使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。此计数器可通过对预设输入（P0、P1、P2、P3）应用所需的二进制值，然后将预设启用 (PE) 置于高电平，来进行预设。计数方向通过向 UP/DOWN 输入应用高电平（用于正数）或低电平（用于倒数）来进行控制。计数器的状态基于时钟输入的正向转换来变化。级联可通过对每个计数器进行并行计时的同时，将输出进位条与下一阶段的输入进位条相联接来完成。通过对重置 (R) 引脚应用高电平，可将输出（Q0、Q1、Q2、Q3）重置为低电平状态。此 CMOS 计数器主要用于正数/倒数和差异计数。其他应用包括： (1) 需要低功耗和/或高抗扰性的频率合成器应用，(2) 模拟-数字和数字-模拟转换，以及 (3) 量级和符号生成。

数据手册

5+
￥1.9325
50+
￥1.5056
150+
￥1.3227
500+
￥1.0944
2500+
￥0.9928
5000+
￥0.9318

有货

立即购买

六施密特触发器

型号：MC14106BDR2G 编号：C100035

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC14106B六施密特触发器采用MOS P沟道和N沟道增强型器件，集成于单一的单片结构中。这些器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。MC14106B可替代MC14069UB六反相器，以增强抗噪性或对缓慢变化的波形进行“整形”

数据手册

5+
￥1.9998
50+
￥1.5903
150+
￥1.4149
500+
￥1.1959
2500+
￥1.0984
5000+
￥1.0399

有货

立即购买

3.3V 500mA 5.5V

型号：CAT6219-330TDGT3 编号：C255621

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

CAT6219是一款500 mA的CMOS低压差稳压器，在负载电流和线电压变化时能提供快速响应时间。快速启动功能允许使用外部旁路电容来降低整体输出噪声，且不会影响仅150 μs的开启时间。

数据手册

5+
￥2.001
50+
￥1.61
150+
￥1.4425
500+
￥1.2334
3000+
￥1.0643

有货

立即购买

耐压:100V 电流:0.5A

型号：MB1S 编号：C232821

封装：SOIC-4

品牌：onsemi(安森美)

MB 系列桥式整流器是0.5 A 整流器系列，实现高浪涌电流吸收，占位极小MB 系列外形小为 35 mm2，具有极佳的浪涌能力。为了吸收高浪涌电流，该设计支持正向浪涌峰值电流 (IFSM) 额定值 35 A 和 5.0 A 2 秒 I2T 能力。该系列器件还具有高达 1000 V 的额定击穿电压。这些功能使得 MB 系列适用于需要略强浪涌能力的小型电源。如果需要更高的 IFAV 额定电流，更小型封装，或者更低 VF 值，请了解安森美半导体 MDB 系列桥式整流器。如果需要降低 MB 封装内的 VF 和提高能效值，或需要更高的浪涌能力，请了解安森美半导体即将推出的 MBxSV 系列。

数据手册

5+
￥2.0122
50+
￥1.5838
150+
￥1.4002
500+
￥1.1712

有货

立即购买

3.3V 1A 10V

型号：NCP1117DT33T5G 编号：C152529

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

是低 dropout 正电压调节器，能够提供超过 1.0A 的输出电流，在 800mA 时最大 dropout 电压为 1.2V。该系列包含 1.5V、1.8V、1.9V、2.0V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V 和 12V 九种固定输出电压，无需最小负载即可保持稳压。此外，还有一个可调输出版本，可通过两个外部电阻从 1.25V 编程到 18.8V。片上微调将参考/输出电压调整到 ±1.0% 的精度。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和热关断。可在高达 20V 的输入下工作。器件采用 SOT-223 和 DPAK 封装。

数据手册

5+
￥2.0245
50+
￥1.5867
150+
￥1.399
500+
￥1.1419
2500+
￥1.0376
5000+
￥0.975

有货

立即购买

六路施密特触发反相器

型号：MC74HC14ADTR2G 编号：C152539

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC14A的引脚排列与LS14、LS04和HC04相同。该器件的输入与标准CMOS输出兼容；通过上拉电阻，可与LSTTL输出兼容。HC14A可有效改善缓慢的输入信号上升和下降时间，使波形更接近方波

数据手册

5+
￥2.0293
50+
￥1.6076
150+
￥1.4269
500+
￥1.2014
2500+
￥1.101
5000+
￥1.0408

有货

立即购买

共2995页，89834条记录到页

<上一页
1
...
27
28
29
30
31
...
2995
下一页

立创商城为您提供安森美滤波器型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息，为您购买安森美滤波器提供详细信息

您的浏览器版本过低（IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式），存在严重安全漏洞，请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
推荐您下载并使用立创商城APP 或者最新版谷歌浏览器、火狐浏览器、360浏览器、搜狗浏览器、QQ浏览器的极（高）速模式进行访问。

海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

立创芯应用
面板定制
立创工业品
嘉立创社区
3D打印
嘉立创FPC
嘉立创PCB
嘉立创FA
立创电子设计大赛
立创开源硬件
Global Website LCSC
中信华PCB

© 深圳市立创电子商务有限公司版权所有

粤公网安备 44030402002194号

粤ICP备13005967号

|

提示

您确定要删除此收货地址的吗？

请填写订单取消原因

提示

您确定删除此收货地址吗？

成功提示

content

失败提示

content

提示

content