安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存

封装：D2PAK(TO-263)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥7.47
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型号：HGTD1N120BNS9A 编号：C462776

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

HGTD1N120BNS9A 基于无通冲孔 (NPT) IGBT 设计。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。

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型号：MBRB20200CTT4G 编号：C236141

封装：D2PAK-3

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。此先进器件适用于高频率开关电源和转换器，最高为 48 V 输出。此器件会阻挡高达 200 v 电压，在 250 kHz 至 5.0MHz 的频率下提供改善的肖特基性能。

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￥8.74
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￥7.15
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型号：NCV57001DWR2G 编号：C603965

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV57001是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特性包括互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定（UVLO）、退饱和（DESAT）保护以及退饱和时的软关断功能。NCV57001兼容5 V和3.3V

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￥10.52
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￥8.72
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型号：LM2596DSADJR4G 编号：C99046

封装：D2PAK-5

品牌：onsemi(安森美)

LM2596稳压器是一款单片集成电路，非常适合用于轻松便捷地设计降压型开关稳压器（降压转换器）。它能够驱动3.0 A的负载，具备出色的线性和负载调节能力。该器件有可调输出版本，并且内部经过补偿，可减少外部元件数量，从而简化电源设计

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￥14.4
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￥12.11
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型号：RHRP3060 编号：C11772

封装：TO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

RHRP3060 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。

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￥16.48
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￥14.34
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￥11.9
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￥9.9
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￥9.63

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型号：FDA28N50 编号：C105685

封装：TO-3P-3

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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1+
￥19.66
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￥16.76
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￥15.04
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￥13.29
450+
￥12.49
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￥12.13

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型号：BAV70TT1G 编号：C232586

封装：SC-75

品牌：onsemi(安森美)

此共阴极开关二极管适用于超高速开关应用。此器件采用 SOT-416/SC-75 封装，适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。

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20+
￥0.2094
200+
￥0.1717
600+
￥0.1507
3000+
￥0.1001
9000+
￥0.0892
21000+
￥0.0833

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型号：BC807-16LT3G 编号：C232631

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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20+
￥0.2284
200+
￥0.1758
600+
￥0.1466
2000+
￥0.129
10000+
￥0.1138
20000+
￥0.1057

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型号：BAV70WT1G 编号：C93031

封装：SOT-323-3

品牌：onsemi(安森美)

此共阴极开关二极管适用于超高速开关应用。此器件采用 SC-70 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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20+
￥0.2322
200+
￥0.1838
600+
￥0.1568
3000+
￥0.1407
9000+
￥0.1267

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型号：MMSZ5259BT1G 编号：C235987

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

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10+
￥0.2416
100+
￥0.1888
300+
￥0.1624
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￥0.1268
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型号：MMSZ5234BT1G 编号：C194181

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

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10+
￥0.249792 ￥0.2602
100+
￥0.179052 ￥0.2082
300+
￥0.138548 ￥0.1823
3000+
￥0.123728 ￥0.1628
6000+
￥0.111872 ￥0.1472
9000+
￥0.105944 ￥0.1394

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型号：MM3Z8V2T1G 编号：C130143

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

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10+
￥0.2628
100+
￥0.2081
300+
￥0.1807
3000+
￥0.1523
6000+
￥0.1359
9000+
￥0.1277

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型号：BAT54XV2T5G 编号：C146759

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

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10+
￥0.2634
100+
￥0.2098
300+
￥0.183
1000+
￥0.1629
5000+
￥0.1468
8000+
￥0.1388

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型号：BAS70LT1G 编号：C232585

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

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10+
￥0.3024
100+
￥0.2367
300+
￥0.2039
3000+
￥0.1793
6000+
￥0.1596
9000+
￥0.1497

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型号：MMBTA14LT1G 编号：C232604

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 NPN 双极达林顿晶体管适用于开关应用，如打印锤、继电器、电磁阀和灯驱动器。此器件采用 SOT-23 封装，适合低功率表面贴装应用。

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10+
￥0.3025
100+
￥0.2424
300+
￥0.2124
3000+
￥0.1899
6000+
￥0.1718
9000+
￥0.1628

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型号：NL17SZ07DFT2G 编号：C113255

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

NL17SZ07是一款高性能单路同相缓冲器，具有漏极开路输出，工作电源电压范围为1.65至5.5 V。输出级为具备过压容限的漏极开路结构

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10+
￥0.33
100+
￥0.2628
300+
￥0.2292
3000+
￥0.204
6000+
￥0.1839
9000+
￥0.1738

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型号：NZ9F12VT5G 编号：C463408

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

这一系列齐纳二极管采用SOD-923表面贴装封装。它们旨在提供电压调节保护，在空间有限的情况下特别有吸引力。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

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5+
￥0.342285 ￥0.3603
50+
￥0.29971 ￥0.3526
150+
￥0.260625 ￥0.3475
500+
￥0.2568 ￥0.3424

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型号：NSR0620P2T5G 编号：C91106

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

肖特基势垒二极管针对非常低的正向压降和低漏电流进行了优化，用于便携式设备中的各种直流-直流转换器、钳位和保护应用。SOD-923微型封装使设计人员能够应对提高效率和满足减小空间要求的挑战。

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10+
￥0.3869
100+
￥0.3092
300+
￥0.2703
1000+
￥0.2411
5000+
￥0.2175
8000+
￥0.2058

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型号：SMMBT2222ALT1G 编号：C604704

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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10+
￥0.4026
100+
￥0.3148
300+
￥0.2708
3000+
￥0.2288
6000+
￥0.2025
9000+
￥0.1893

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型号：NC7WZ14P6X 编号：C50793

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：onsemi(安森美)

超高速：在 VCC 为 5V 时，接入 50pF 负载，传输延迟（tPD）典型值为 3.2ns - 高输出驱动能力：VCC 为 3V 时，输出电流为±24mA - 宽泛的 VCC 工作电压范围：1.65V 至 5.5V - 在 VCC 为 3.3V 时，性能与 LCX 器件相匹配 - 掉电时输入/输出呈高阻态 - 输入过压容限功能，便于实现 5V 到 3V 电平转换 - 采用专有技术降低噪声和电磁干扰（EMI） - 采用超小型 MicroPak™ 封装 - 采用节省空间的 SC70 封装该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在非常宽泛的 VCC 工作电压范围内保持低静态功耗。该器件的 VCC 工作电压范围为 1.65V 至 5.5V。当 VCC 为 0V 时，输入和输出呈高阻态

数据手册

10+
￥0.4058
100+
￥0.3283
300+
￥0.2896
3000+
￥0.2558
6000+
￥0.2326
9000+
￥0.221

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型号：MM3Z5V6C 编号：C891635

封装：SOD-323F

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围选择宽，2.4V 至 75V。 VZ 公差选择为 ±5%（C 系列）。非常小且薄的贴片封装。哑光镀锡（Sn）表面处理。这些器件无铅且符合 RoHS 标准

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10+
￥0.4408
100+
￥0.3552
300+
￥0.3125
3000+
￥0.2804
6000+
￥0.2547

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型号：NSVMUN5111DW1T3G 编号：C463398

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省板空间。

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5+
￥0.4481
50+
￥0.3901
150+
￥0.3611
500+
￥0.3393
2500+
￥0.3219
5000+
￥0.3132

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型号：MMSZ9V1T1G 编号：C132795

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

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10+
￥0.4637
100+
￥0.3758
300+
￥0.3319
3000+
￥0.2629

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型号：NTS2101PT1G 编号：C140583

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 8.0 V P 沟道功率 MOSFET。

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10+
￥0.4959
100+
￥0.3999
300+
￥0.3519
3000+
￥0.2658
6000+
￥0.237
9000+
￥0.2226

有货

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型号：1SMA5913BT3G 编号：C235775

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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