安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

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描述

价格(含税)

库存

操作

独立式耐压:4.7V 电流:2.5uA@1.5V

型号：1SMA5917BT3G 编号：C72594

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1038
50+
￥0.9148
150+
￥0.8203
500+
￥0.7495
2500+
￥0.6841
5000+
￥0.6557

有货

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TinyLogic UHS D型带预置和清零功能的触发器

型号：NC7SZ74L8X 编号：C184651

封装：UFQFN-8(1.6x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

NC7SZ74 是一款单路 D 型 CMOS 触发器，具备预置和清零功能，属于超高速系列产品。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在 1.65V 至 5V 这一极宽的 Vcc 工作电压范围内保持较低的静态功耗。

数据手册

5+
￥1.1599
50+
￥1.0287
150+
￥0.9724
500+
￥0.9022
2500+
￥0.6938
5000+
￥0.675

有货

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独立式耐压:4.7V 电流:5uA

型号：1SMB5917BT3G 编号：C89739

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1828
50+
￥0.9431
150+
￥0.8404
500+
￥0.7123
2500+
￥0.6096
5000+
￥0.5753

有货

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独立式耐压:13V 电流:1uA@9.9V

型号：1SMB5928BT3G 编号：C53168

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.1909
50+
￥0.9346
150+
￥0.8247
500+
￥0.6877
2500+
￥0.5758
5000+
￥0.5391

有货

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耐压:400V 电流:2A 反向恢复时间：75ns

型号：MURS140T3G 编号：C21243

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

该超快整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.1943
50+
￥0.9448
150+
￥0.8379
500+
￥0.7045
2500+
￥0.5604
5000+
￥0.5247

有货

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独立式耐压:120V 电流:1uA@91.2V

型号：1SMB5951BT3G 编号：C152508

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1947
50+
￥0.9327
150+
￥0.8203
500+
￥0.6802
2500+
￥0.6178
5000+
￥0.5803

有货

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15V 500mA 35V

型号：MC78M15CDTRKG 编号：C95992

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

高 PSRR

数据手册

5+
￥1.2072
50+
￥0.9493
150+
￥0.8388
500+
￥0.6406
2500+
￥0.5792
5000+
￥0.5424

有货

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B后缀系列CMOS门电路

型号：MC14081BDR2G 编号：C52342

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

B系列逻辑门采用P沟道和N沟道增强型器件构建在单一的单片结构中（互补金属氧化物半导体，即CMOS）。它们主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。

数据手册

5+
￥1.2119
50+
￥0.9448
150+
￥0.8303
500+
￥0.6875
2500+
￥0.6239
5000+
￥0.5857

有货

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5V 100mA 30V

型号：MC79L05ACDR2G 编号：C154823

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

负电压 -5V 100mA

数据手册

5+
￥1.2153
50+
￥0.9387
150+
￥0.8201
500+
￥0.6722
2500+
￥0.5593
5000+
￥0.5198

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:1.1A

型号：NVR5124PLT1G 编号：C417287

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

汽车用功率 MOSFET。60V，230 mΩ，单 N 沟道逻辑电平，SOT?23 通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

5+
￥1.223
50+
￥0.9803
150+
￥0.8763
500+
￥0.7466
3000+
￥0.6888
6000+
￥0.6541

有货

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独立式耐压:68V 电流:1uA@51.7V

型号：1SMB5945BT3G 编号：C238937

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.235
50+
￥0.9809
150+
￥0.872
500+
￥0.7362
2500+
￥0.6757
5000+
￥0.6394

有货

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单电源双运算放大器

型号：LM358ADR2G 编号：C84725

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

通用双通道运放，LM358A系列，LM358高精密度版本

数据手册

5+
￥1.2633
50+
￥0.9843
150+
￥0.8647
500+
￥0.7154
2500+
￥0.649
5000+
￥0.6091

有货

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四路三态同相缓冲器

型号：MC74HC126ADR2G 编号：C233530

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

高性能硅门极 CMOS MC74HC125A 和 MC74HC126A 与 LS125 和 LS126 的引脚输出相同。该器件输入兼容标准的 CMOS 输出；带有上拉电阻器，可兼容 LSTTL 输出。 HC125A 和 HC126A 非反相缓冲器适用于 3 态内存地址驱动器、时钟驱动器和其他总线导向系统。此类器件具有四个单独的输出启用，为有效低电平 (HC125A) 或有效高电平 (HC126A)。

数据手册

5+
￥1.3486
50+
￥1.1995
150+
￥1.1356
500+
￥1.0559
2500+
￥0.928
5000+
￥0.9068

有货

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1.2V~37V 500mA 40V

型号：LM317MBSTT3G 编号：C152536

封装：SOT-223-4

品牌：onsemi(安森美)

高PSRR 可调正向

数据手册

5+
￥1.4054
50+
￥1.0978
150+
￥0.9659
500+
￥0.7683
2500+
￥0.6951
4000+
￥0.6511

有货

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5V 500mA 25V

型号：MC78M05ABDTRKG 编号：C148320

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

高 PSRR

数据手册

5+
￥1.417
50+
￥1.1095
150+
￥0.9777
500+
￥0.7853
2500+
￥0.7121
5000+
￥0.6682

有货

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ESD 5.5V截止峰值浪涌电流：12A@8/20us

型号：NUP4114HMR6T1G 编号：C260431

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

NUP4114 ESD保护二极管阵列旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和高级别的ESD保护使这些器件非常适合用于USB 2.0高速应用。新型NUP4114是一款低电容ESD二极管阵列，旨在保护通信系统、计算机和计算机外设等敏感电子设备，使其免受ESD事件或瞬态过压情况造成的损坏。由于其电容较低，可用于高速I/O数据线。NUP4114的集成设计在单个封装（TSOP - 6）中集成了低电容转向二极管和ESD二极管。该器件可保护电源线免受过压情况影响，避免损坏电源和任何下游组件。

数据手册

5+
￥1.4951
50+
￥1.159
150+
￥1.0149
500+
￥0.8351
3000+
￥0.7551
6000+
￥0.7071

有货

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六路反相器

型号：MC14049BDR2G 编号：C7574

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14049B 六反相器/缓冲器和 MC14050B 六同相缓冲器采用 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件，集成于单一单片结构中。这些互补 MOS 器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。这些器件仅使用一个电源电压 VDD 即可实现逻辑电平转换

数据手册

5+
￥1.5346
50+
￥1.2034
150+
￥1.0615
500+
￥0.8228
2500+
￥0.7439
5000+
￥0.6966

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:1.7A

型号：NDS355AN 编号：C236917

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要采用非常小形的表面贴装封装，实现快速开关和线路内低功率损耗。

数据手册

5+
￥1.61
50+
￥1.297
150+
￥1.1628
500+
￥0.9955
3000+
￥0.8521
6000+
￥0.8074

有货

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5V 1A 20V

型号：NCV1117ST50T3G 编号：C156196

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

高PSRR

数据手册

5+
￥1.6278
50+
￥1.2649
150+
￥1.1094
500+
￥0.9154
2500+
￥0.829
4000+
￥0.7771

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD817A3SD 编号：C128788

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥1.6579
50+
￥1.3158
150+
￥1.1692
1000+
￥0.8358
2000+
￥0.7544
5000+
￥0.7055

有货

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电压:20V 电流:1A

型号：MBRM120LT1G 编号：C32150

封装：DO-216AA

品牌：onsemi(安森美)

肖特基POWERMITE采用肖特基势垒原理，结合势垒金属和外延结构，实现了正向电压降和反向电流的最佳平衡。先进的封装技术提供了高效的微型、节省空间的表面贴装整流器。凭借其独特的散热片设计，POWERMITE的热性能与SMA相同，同时占地面积小50%，高度低于1.1mm，是行业内高度较低的产品之一。由于其尺寸小，非常适合用于便携式和电池供电的产品。典型应用包括AC-DC和DC-DC转换器、电池反接保护以及多个电源电压的“或”操作，以及任何对性能和尺寸要求严格的应用。

数据手册

5+
￥1.7768
50+
￥1.3388
150+
￥1.1511
500+
￥0.9169
3000+
￥0.8126
6000+
￥0.75

有货

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15V 500mA 30V

型号：MC79M15BDTRKG 编号：C179584

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

固定输出负电压调节器，可作为流行的MC78M00系列设备的补充。提供 -5.0V、-8.0V、-12V 和 -15V 固定输出电压选项，采用限流、热关断和安全区补偿，在大多数工作条件下非常耐用。在有足够散热的情况下，可提供超过 0.5A 的输出电流。

数据手册

5+
￥1.8286
50+
￥1.4174
150+
￥1.2412
500+
￥1.0214
2500+
￥0.9235
5000+
￥0.8647

有货

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1个P沟道耐压:12V 电流:2.6A

型号：FDN306P 编号：C154510

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。

数据手册

5+
￥1.8469
50+
￥1.484
150+
￥1.3285
500+
￥1.1344
3000+
￥0.9879
6000+
￥0.936

有货

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耐压:600V 电流:4A 反向恢复时间：75ns

型号：MUR460RLG 编号：C16377

封装：DO-201AD

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

数据手册

5+
￥1.8801
50+
￥1.4592
150+
￥1.2789
1500+
￥1.0538
3000+
￥0.9536
4500+
￥0.8935

有货

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低电压、轨到轨运算放大器

型号：MC33202DR2G 编号：C43122

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC33201/2/4系列运算放大器在输入和输出端均支持轨到轨操作。输入信号的幅度可比电源轨高200 mV，而输出端不会出现相位反转，且输出摆幅可接近每个电源轨50 mV。这种轨到轨操作使用户能够充分利用可用的电源电压范围

数据手册

5+
￥1.8937
50+
￥1.4679
150+
￥1.2854
500+
￥1.0577
2500+
￥0.9564
5000+
￥0.8955

有货

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3.3V 1A 18V

型号：NCP1117LPST33T3G 编号：C146799

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCP1117LP是一款低压差（LDO）正电压固定或可调模式稳压器，输出能力为1 A。与早期的行业标准三端可调稳压器相比，这款LDO能显著降低压差，同时提高输出电压精度和温度稳定性。这些器件具备输出电流限制、安全工作区补偿和热关断保护功能，非常适合为众多消费和工业产品供电，方便设计师使用

数据手册

5+
￥1.9114
50+
￥1.5799
150+
￥1.4379
500+
￥1.2606
2500+
￥0.8761
4000+
￥0.8288

有货

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电压:200V 电流:3A

型号：MBRS3200T3G 编号：C86674

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.9379
50+
￥1.5599
150+
￥1.1487
500+
￥0.9466
2500+
￥0.8566
5000+
￥0.8026

有货

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四路二输入与门

型号：74VHC08MX 编号：C6142

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

VHC08 是一款采用硅栅 CMOS 技术制造的先进高速 CMOS 二输入与门。它能实现与等效双极型肖特基 TTL 相似的高速运行，同时保持 CMOS 的低功耗特性

数据手册

1+
￥1.9855 ￥2.09
10+
￥1.564 ￥1.84
30+
￥1.2975 ￥1.73
100+
￥1.2 ￥1.6
500+
￥1.155 ￥1.54
1000+
￥1.1325 ￥1.51

有货

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六路施密特触发反相器

型号：MC74VHC14DR2G 编号：C233550

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC14 是一款先进的高速 CMOS 施密特逆变器，采用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行，同时还保持 CMOS 低功耗。引脚配置和功能与 MC74VHC04 相同，但输入存在迟滞，通过其施密特触发器功能，VHC14 可用作线路接收器，接收缓慢的输入信号。该内部电路由三级组成，包括一个提供高抗扰性和稳定输出的缓冲器输出。输入耐压达 7V，支持 5V 系统到 3V 系统的接口。

数据手册

5+
￥2.0678
50+
￥1.6142
150+
￥1.4198
500+
￥1.127
2500+
￥1.019
5000+
￥0.9541

有货

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三态输出，四路缓冲器，高性能硅栅CMOS

型号：MC74ACT125DR2G 编号：C113254

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

输出源/汲

数据手册

5+
￥2.0944
50+
￥1.6358
150+
￥1.4392
500+
￥1.194
2500+
￥1.0848
5000+
￥1.0192

有货

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