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首页 > 热门关键词 > 安森美滤波器
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描述
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操作
NPN 电流:500mA 电压:45V
型号：BC817-16LT1G 编号：C94373
封装：SOT-23
品牌：onsemi(安森美)
该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
数据手册

  • 20+

    ￥0.2868

  • 200+

    ￥0.2274

  • 600+

    ￥0.1944

  • 3000+

    ￥0.1431

  • 9000+

    ￥0.1259
  • 有货
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    100V 200mA
    型号：SBAS16XV2T1G 编号：C327512
    封装：SOD-523
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：高速开关应用。引脚镀层：100%雾锡（锡）。合格回流温度：260°C。极小的SOD-523封装。S前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）且符合RoHS标准
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3034

    • 100+

      ￥0.2522

    • 300+

      ￥0.2267

    • 3000+

      ￥0.2075

    • 6000+

      ￥0.1921

    • 9000+

      ￥0.1845
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:75V 电流:0.045uA@52.5V
    型号：MM3Z75VC 编号：C891646
    封装：SOD-323F
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：宽齐纳电压范围选择，2.4V至75V。VZ公差选择为 ±5%（C系列）。非常小且薄的贴片封装。哑光镀锡（Sn）表面处理，无铅
    数据手册

    • 5+

      ￥0.334486 ￥0.4582

    • 50+

      ￥0.255717 ￥0.4059

    • 150+

      ￥0.201241 ￥0.3797

    • 500+

      ￥0.190853 ￥0.3601

    • 3000+

      ￥0.182532 ￥0.3444

    • 6000+

      ￥0.178345 ￥0.3365
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:13V 电流:0.5uA@9.9V
    型号：MMSZ5243BT1G 编号：C188411
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3465

    • 100+

      ￥0.2842

    • 300+

      ￥0.253

    • 3000+

      ￥0.2205

    • 6000+

      ￥0.2018

    • 9000+

      ￥0.1925
  • 有货
    • 立即购买
    250V 200mA
    型号：MMSD103T1G 编号：C232610
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    此高压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。 此器件采用 SOD-123 表面贴装封装，适合自动插装。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.3664

    • 200+

      ￥0.288

    • 600+

      ￥0.2445

    • 3000+

      ￥0.2019

    • 9000+

      ￥0.1792

    • 21000+

      ￥0.167
  • 有货
    • 立即购买
    100V 200mA
    型号：SMMSD4148T1G 编号：C132796
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    此开关二极管适用于高速开关应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3743

    • 100+

      ￥0.3045

    • 300+

      ￥0.2696

    • 3000+

      ￥0.2237

    • 6000+

      ￥0.2027

    • 9000+

      ￥0.1923
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:4.7V 电流:3uA@2V
    型号：MMSZ4V7T1G 编号：C9995
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。 齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。 封装设计适合优化自动电路板组装。 小封装尺寸，适用于高密度应用。 人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。 带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3775

    • 100+

      ￥0.3098

    • 300+

      ￥0.2759

    • 3000+

      ￥0.2505

    • 6000+

      ￥0.2302

    • 9000+

      ￥0.22
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:2.5V 电流:100uA@1V
    型号：MMSZ5222BT1G 编号：C150078
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3839

    • 100+

      ￥0.3083

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      ￥0.2705

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      ￥0.2341
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    双NPN偏置电阻晶体管
    型号：MUN5214DW1T1G 编号：C94403
    封装：SOT-363
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4082

    • 100+

      ￥0.3182

    • 300+

      ￥0.2731

    • 3000+

      ￥0.2394

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      ￥0.2124

    • 9000+

      ￥0.1989
  • 有货
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    独立式 耐压:10V 电流:0.5uA@6V
    型号：MM3Z10VST1G 编号：C235983
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功耗为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，在空间有限的情况下特别有吸引力。适用于手机、手持便携式设备和高密度PC板等应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4441

    • 100+

      ￥0.3665

    • 300+

      ￥0.3277

    • 3000+

      ￥0.258

    • 6000+

      ￥0.2347

    • 9000+

      ￥0.223
  • 有货
    • 立即购买
    600V 1A
    型号：S1J 编号：C184326
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：onsemi(安森美)
    1.0A通用整流器
    数据手册

    • 10+

      ￥0.5105

    • 100+

      ￥0.4286

    • 300+

      ￥0.3876

    • 1000+

      ￥0.3569

    • 7500+

      ￥0.3074

    • 15000+

      ￥0.2952
  • 有货
    • 立即购买
    100V 200mA
    型号：MMBD1205 编号：C236936
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5319

    • 50+

      ￥0.4276

    • 150+

      ￥0.3754

    • 500+

      ￥0.3363

    • 3000+

      ￥0.305

    • 6000+

      ￥0.2893
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:56V 电流:1uA@42.6V
    型号：1SMB5943BT3G 编号：C179562
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5797

    • 50+

      ￥0.5037

    • 150+

      ￥0.4656

    • 500+

      ￥0.4371

    • 2500+

      ￥0.4143

    • 5000+

      ￥0.4029
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:5.1V 电流:10uA@1V
    型号：1N4733A 编号：C140851
    封装：DO-41
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6619

    • 50+

      ￥0.5354

    • 150+

      ￥0.4721

    • 500+

      ￥0.4128

    • 3000+

      ￥0.3748
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:1.8V 电流:7.5uA@1V
    型号：SZMMSZ4678T1G 编号：C513070
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5电路板）。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级 (>16 kV)。带SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6732

    • 50+

      ￥0.5484

    • 150+

      ￥0.486

    • 500+

      ￥0.4392

    • 3000+

      ￥0.3386
  • 有货
    • 立即购买
    ESD 5.5V截止 峰值浪涌电流：3.6A@8/20us
    型号：ESD8011MUT5G 编号：C462721
    封装：X3-DFN-2(0.3x0.6)
    品牌：onsemi(安森美)
    ESD8011静电放电（ESD）保护二极管旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7705

    • 50+

      ￥0.6193

    • 150+

      ￥0.5437

    • 500+

      ￥0.487

    • 2500+

      ￥0.4416

    • 5000+

      ￥0.4095
  • 有货
    • 立即购买
    电压:60V 电流:1A
    型号：MBRA160T3G 编号：C49187
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：onsemi(安森美)
    该器件在大面积金属 - 硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。其先进的几何结构采用了带有氧化物钝化和金属覆盖层接触的外延结构。非常适合用于低电压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性二极管
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8265

    • 50+

      ￥0.6474

    • 150+

      ￥0.5579

    • 500+

      ￥0.4907

    • 2500+

      ￥0.437

    • 5000+

      ￥0.4101
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间：15ns
    型号：ES1D 编号：C84602
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：适用于表面贴装应用。 玻璃钝化结。 低外形封装。 易于拾取和放置。 内置应力消除。 超快恢复时间，效率高
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8853

    • 50+

      ￥0.7102

    • 150+

      ￥0.6226

    • 500+

      ￥0.5569

    • 2500+

      ￥0.413

    • 7500+

      ￥0.3868
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:3.5A
    型号：NTR4171PT1G 编号：C146715
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    30 V，3.5 A，75 mΩ，单 P 沟道，功率 MOSFET，SOT-23
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8903

    • 50+

      ￥0.6886

    • 150+

      ￥0.5878

    • 500+

      ￥0.5121

    • 3000+

      ￥0.4516

    • 6000+

      ￥0.4213
  • 有货
    • 立即购买
    ESD 16V截止
    型号：SZESD7462N2T5G 编号：C604773
    封装：X2DFN-2(0.6x1)
    品牌：onsemi(安森美)
    ESD7462旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。它在不同电压下具有业界领先的电容线性度，非常适合射频（RF）应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使该器件非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9108

    • 50+

      ￥0.8976

    • 150+

      ￥0.8888

    • 500+

      ￥0.88
  • 有货
    • 立即购买
    电压:30V 电流:1A
    型号：MBRA130LT3G 编号：C82067
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用金属-硅功率整流器。该肖特基整流器具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9115

    • 50+

      ￥0.7259

    • 150+

      ￥0.6331

    • 500+

      ￥0.5635

    • 2500+

      ￥0.4417

    • 5000+

      ￥0.4138
  • 有货
    • 立即购买
    1kV 1A
    型号：S1MFL 编号：C604670
    封装：SOD-123F
    品牌：onsemi(安森美)
    表面通用整流器
    数据手册

    • 5+

      ￥0.92

    • 50+

      ￥0.7357

    • 150+

      ￥0.6436

    • 500+

      ￥0.5745

    • 3000+

      ￥0.4844
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:5.1V 电流:2uA@2V
    型号：SZMM3Z5V1T1G 编号：C152297
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.92

    • 50+

      ￥0.7699

    • 150+

      ￥0.6949

    • 500+

      ￥0.6386

    • 3000+

      ￥0.4989
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:6.2V 电流:2.5uA@4.0V
    型号：1SMA5920BT3G 编号：C141342
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级（>16kV）。 平坦的操作表面，便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0014

    • 50+

      ￥0.7773

    • 150+

      ￥0.6812

    • 500+

      ￥0.5613

    • 2500+

      ￥0.508

    • 5000+

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    低失调电压双比较器
    型号：NCV2903DR2G 编号：C231830
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    LM393系列是双路独立精密电压比较器，可采用单电源或双电源供电。这些器件设计允许在单电源供电时实现共模范围至地电平。低至2.0 mV的输入失调电压规格使该器件成为消费、汽车和工业电子众多应用的理想选择。
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    双向ESD 32V截止 峰值脉冲电流：8A@8/20us
    型号：NUP3105LT1G 编号：C133092
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    SZ/NUP3105L 专为保护 24 V 系统中的 CAN 收发器免受 ESD 及其他有害瞬态电压事件的影响而设计。该器件采用单个紧凑型 SOT−23 封装，为每条数据线提供双向保护，为系统设计师提供了一种低成本的方案，以提高系统可靠性并满足严格的 EMI 要求。
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    1.24V~16V 并联 150nA
    型号：TLV431BSN1T1G 编号：C91075
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    低压精确可调分路稳压器
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    5V 100mA 30V
    型号：MC78L05ACDR2G 编号：C7372
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    正电压调节器是价格实惠、易于使用的设备，适用于多种需要高达100 mA稳压电源的应用。与功率更高的同类产品一样，这些调节器具有内部限流和热关断功能，非常耐用。在许多应用中，该设备无需外部组件。与传统的齐纳二极管-电阻组合相比，这些设备具有显著的性能优势，因为输出阻抗和静态电流大幅降低。
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    独立式 耐压:39V 电流:0.5uA
    型号：1SMA5939BT3G 编号：C238874
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    1个P沟道 耐压:20V
    型号：FDN340P 编号：C75469
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。
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