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首页 > 热门关键词 > 安森美滤波器
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高端和低端栅极驱动器
型号：FAN7842MX 编号：C512885
封装：SOP-8
品牌：onsemi(安森美)
单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7842 可以驱动最高在 +200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器电路（源/汲）典型值分别为 350mA/650mA。
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    1个P沟道 耐压:500V 电流:2.1A
    型号：FQD3P50TM 编号：C246440
    封装：TO-252-2
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
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    512-Kb SPI 串行 EEPROM
    型号：CAT25512HU5I-GT3 编号：C463684
    封装：UDFN-8(2x3)
    品牌：onsemi(安森美)
    CAT25512是一款512 Kb串行EEPROM SPI器件，内部结构为64Kx8位。它具备128字节页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。该器件通过片选（CS）(overline)输入使能
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
    型号：FDMS86101 编号：C102622
    封装：Power56-8
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
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    耐压:600V 电流:8A 反向恢复时间：60ns
    型号：MUR1660CTG 编号：C40990
    封装：TO-220AB
    品牌：onsemi(安森美)
    超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：NVTFS5C673NLTAG 编号：C604646
    封装：WDFN-8(3x3)
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
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    电压:100V 电流:20A
    型号：FSV20100V 编号：C895438
    封装：TO-277-3
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：超低正向压降。 低热阻。 超薄外形：典型高度为 1.1mm。 沟槽肖特基技术。 符合 IEC61249 标准的绿色模塑料。 仅无 DAP 选项。 这些器件无铅、无卤且符合 RoHS 标准
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    高压，高端和低端驱动器
    型号：NCP5109BDR2G 编号：C190727
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    NCP5109 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V
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    NCP45524IMNTWG-H
    型号：NCP45524IMNTWG-H 编号：C603740
    封装：WFDFN-8-EP(2x2)
    品牌：onsemi(安森美)
    NCP4552x系列负载开关提供了一种组件和面积减少的解决方案，通过软启动实现带涌流限制的高效电源域切换。这些设备设计为在一个封装中集成控制和驱动功能以及高性能低导通电阻的电源MOSFET。这种成本效益高的解决方案非常适合需要在小尺寸内实现低功耗的电源管理和热插拔应用。
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    NCP1632DR2G
    型号：NCP1632DR2G 编号：C603642
    封装：SOIC-16
    品牌：onsemi(安森美)
    NCP1632 集成了一个双 MOSFET 驱动器，用于交错式 PFC 应用。交错由并联的两个小级组成，代替了一个难以设计的更大级。此方式具有若干优点，如实施简单、能够使用更小组件，更好的散热。 另外，交错还可以扩展到高能效且成本高效（无需低 trr 二极管）的临界导通运行模式的功率范围。此外，NCP1632 驱动器为 180° 移位相位，可大大降低电流波纹。该电路采用 SOIC16 封装，结合了构建耐用紧凑的交错式 PFC 级所需的所有功能，且外部组件数量极少。
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    32 抽头数字电位器
    型号：CAT5115ZI-10-GT3 编号：C890423
    封装：MSOP-8
    品牌：onsemi(安森美)
    CAT5115 是一款单数字电位计，设计用于替代机械电位计和调整电位计。适用于自动化调整的高产量生产线，也适合在难以访问或位于危险或远程环境中的设备中使用。
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    1个N沟道 耐压:900V 电流:4A
    型号：FQP4N90C 编号：C350835
    封装：TO-220
    品牌：onsemi(安森美)
    这款N沟道增强型功率MOSFET采用专利平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器
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    250V 200mA
    型号：NSVBAS21M3T5G 编号：C896450
    封装：SOT-723-3
    品牌：onsemi(安森美)
    该开关二极管是我们受欢迎的 SOT-23 三引线器件的副产品。该器件适用于高电压开关应用，采用 SOT-723 表面贴装封装。该器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
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    ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：1A@8/20us
    型号：CM1293A-04SO 编号：C393377
    封装：SC-74
    品牌：onsemi(安森美)
    CM1293A−04SO专为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供静电放电（ESD）保护而设计。该器件非常适合保护具有高数据和时钟速率的系统，或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成，可将正或负ESD电流脉冲导向正（Vₚ）或负（Vₙ）电源轨。在Vₚ和Vₙ之间嵌入了一个齐纳二极管，有助于保护V₍₎₎轨免受ESD冲击。根据IEC 61000−4−2 4级标准，该器件可防护高达±8 kV（接触放电）的ESD脉冲。该器件特别适合保护使用高速端口的系统，如USB2.0、IEEE1394（FireWire、i.LINK）、串行ATA、DVI、HDMI，以及可移动存储设备、数码摄像机、DVD−RW驱动器等应用中的相应端口，这些应用需要在小封装尺寸下实现极低的负载电容和ESD保护。
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54T1G 编号：C152458
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    此类肖特基势垒二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。
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    独立式 耐压:12V 电流:1uA@9.1V
    型号：MMBZ5242BLT1G 编号：C236184
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
    数据手册

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    PNP 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC857ALT1G 编号：C163726
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2162

    • 200+

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    独立式 耐压:10V 电流:3uA@8V
    型号：MMBZ5240BLT1G 编号：C29115
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。
    数据手册

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      ￥0.2441

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    NPN 电流:600mA 电压:160V
    型号：MMBT5551LT3G 编号：C152516
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2656

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    独立式 耐压:9.1V 电流:3uA@7V
    型号：MMSZ5239BT1G 编号：C891728
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

    • 10+

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      ￥0.1255
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54XV2T1G 编号：C81572
    封装：SOD-523
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。
    数据手册

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    NPN 电流:500mA 电压:80V
    型号：MMBTA06LT3G 编号：C232558
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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    电压:40V 电流:250mA
    型号：NSR0340HT1G 编号：C90392
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    肖特基整流器针对极低正向电压降和低漏电流进行了优化，用于便携式器件中的多种 DC-DC 转换器、箝位和保护应用。NSR0340H 采用 SOD-323 微型封装，有助于设计人员完成具有挑战性的任务：提高能效并满足缩小空间的要求。
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    独立式 耐压:5.6V 电流:10uA@4V
    型号：MMSZ4690T1G 编号：C152307
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5板）。 宽齐纳反向电压范围：1.8 V至43 V。 为优化自动电路板组装而设计的封装。 小封装尺寸，适用于高密度应用。 人体模型静电放电（ESD）等级为3级（>16 kV）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
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    三态输出，同相缓冲器
    型号：NL17SZ125DFT2G 编号：C97774
    封装：SOT-353
    品牌：onsemi(安森美)
    NL17SZ125是一款高性能同相缓冲器，工作电源电压范围为1.65 V至5.5 V。
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    电压:70V 电流:70mA
    型号：BAS70LT1G 编号：C232585
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。
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    电压:20V 电流:1A
    型号：NSR0320MW2T1G 编号：C48192
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    此类肖特基势垒二极管具有高电流处理能力和低正向电压性能。
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    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：SMMBT2222ALT1G 编号：C604704
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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    1对共阳极 耐压:27V 电流:0.05uA
    型号：SZMMBZ27VALT1G 编号：C236224
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
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    100V 200mA
    型号：MMBD4148CC 编号：C236939
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    高导通超高速二极管
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