安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存

型号：NCV8405ASTT1G 编号：C223559

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCV8405 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件适用于严苛的汽车环境。

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1+
￥5.37
10+
￥4.34
30+
￥3.83
100+
￥3.32
500+
￥2.84
1000+
￥2.68

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型号：MC79M05BDTRKG 编号：C126401

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

固定输出负电压调节器，有 -5.0V、-8.0V、-12V 和 -15V 固定输出电压选项。采用限流、热关断和安全区补偿，在大多数工作条件下非常耐用。有足够散热时可提供超过 0.5A 的输出电流。

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5+
￥2.1065
50+
￥1.7178
150+
￥1.2428
500+
￥1.035
2500+
￥0.9424
5000+
￥0.8869

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型号：CAT24C128WI-GT3 编号：C81195

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C128是一款128 kb的串行CMOS EEPROM，内部组织为16,384个8位字。它具有64字节的页写缓冲区，支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速增强（1 MHz）I²C协议。

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1+
￥2.41
10+
￥1.88
30+
￥1.66
100+
￥1.37
500+
￥1.25
1000+
￥1.17

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型号：MC1413BDR2G 编号：C7289

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

高电压、大电流达林顿晶体管阵列

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5+
￥2.6174
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￥2.0963
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￥1.873
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￥1.3151
2500+
￥1.1911
5000+
￥1.1166

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型号：CAT24C256HU4IGT3 编号：C233771

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb I2C，内部组织为 512 页，每页 64 字节。它具有 64 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C256 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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1+
￥4.13
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￥3.28
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￥2.86
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￥2.45
500+
￥2.2
1000+
￥2.07

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型号：FUSB302BMPX 编号：C132291

封装：WFQFN-14(2.5x2.5)

品牌：onsemi(安森美)

支持双角色功能，自主DRP切换，能够连接为主机或设备，基于所连接的设备。支持USB Type-C 1.2标准，集成CC引脚功能，包括连接/断开检测、电流能力指示等。

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1+
￥4.9
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￥4.23
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￥3.76
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￥3.37
500+
￥2.71
1000+
￥2.63

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型号：FDMS86263P 编号：C455156

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，并针对卓越的开关性能进行了优化。

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1+
￥6.37
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￥5.29
30+
￥4.76
100+
￥4.18
500+
￥3.86
1000+
￥3.69

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型号：BZX84C39LT1G 编号：C165614

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

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20+
￥0.1042
200+
￥0.0906
600+
￥0.0831
3000+
￥0.0694
9000+
￥0.0655
21000+
￥0.0634

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型号：MMBT5401LT3G 编号：C512989

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高电压 PNP 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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20+
￥0.1944
200+
￥0.1523
600+
￥0.1289
2000+
￥0.1149
10000+
￥0.1015
20000+
￥0.0949

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型号：BZX84C4V7LT1G 编号：C82472

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

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20+
￥0.2291
200+
￥0.1758
600+
￥0.1462
3000+
￥0.1284
9000+
￥0.113
21000+
￥0.1047

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型号：BAS20HT1G 编号：C152543

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。

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20+
￥0.237
200+
￥0.1896
600+
￥0.1632
3000+
￥0.1152
9000+
￥0.1015
21000+
￥0.0941

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型号：BZX84C5V1LT1G 编号：C47075

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

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20+
￥0.2407
200+
￥0.1909
600+
￥0.1633
3000+
￥0.1467
9000+
￥0.1323
21000+
￥0.1245

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型号：MMSZ5232BT1G 编号：C72743

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

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20+
￥0.2454
200+
￥0.1937
600+
￥0.1649
3000+
￥0.1418
9000+
￥0.1269
21000+
￥0.1188

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型号：MMSZ5V1T1G 编号：C132283

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

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20+
￥0.2498
200+
￥0.2007
600+
￥0.1734
3000+
￥0.1487
9000+
￥0.1345
21000+
￥0.1269

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型号：BZX84C5V6LT1G 编号：C82471

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

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20+
￥0.3486
200+
￥0.269
600+
￥0.2248
3000+
￥0.1917
9000+
￥0.1687
21000+
￥0.1563

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型号：NCP115ASN330T2G 编号：C603505

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP115是一款300 mA的低压差线性稳压器（LDO），能为工程师提供非常稳定、精确且低噪声的电压，适用于空间受限、对噪声敏感的应用场景。为了优化电池供电便携式应用的性能，NCP115采用动态静态电流调整技术，在空载时实现极低的IO功耗。

数据手册

5+
￥0.5139
50+
￥0.4155
150+
￥0.3663
500+
￥0.3294
3000+
￥0.2999
6000+
￥0.2851

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型号：MC74HC1G14DFT2G 编号：C99676

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC1G14 是一款高速 CMOS 逆变器，带有采用硅门极 CMOS 技术制造的施密特触发器输入。该内部电路由多级组成，包括一个提供高抗扰性和稳定输出的缓冲器输出。MC74HC1G14 输出驱动电流是 MC74HC 系列的 1/2。

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5+
￥0.5261
50+
￥0.4116
150+
￥0.3544
500+
￥0.3115
3000+
￥0.2772
6000+
￥0.26

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型号：SM12T1G 编号：C92455

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这些双片式硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

数据手册

5+
￥0.5609
50+
￥0.441
150+
￥0.381
500+
￥0.3361
3000+
￥0.3001
6000+
￥0.2821

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型号：NL17SZ08DFT2G-F22038 编号：C5207835

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

NL17SZ08 是一款采用超小尺寸封装的单路 2 输入与门。

数据手册

5+
￥0.5756
50+
￥0.4662
150+
￥0.4115
500+
￥0.3705
3000+
￥0.3081
6000+
￥0.2917

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型号：MRA4004T3G 编号：C40324

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该标准恢复整流器具有玻璃钝化结构。适用于表面贴装汽车应用。

数据手册

5+
￥0.5767
50+
￥0.4495
150+
￥0.3859
500+
￥0.3382
2500+
￥0.3
5000+
￥0.281

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型号：NC7WZ04P6X 编号：C457618

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

NC7WZ04 是安森美半导体（ON Semiconductor）TinyLogic 超高速（UHS）系列的双反相器。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在较宽的 VCC 工作电压范围内保持较低的静态功耗。该器件可在非常宽的 VCC 工作电压范围内工作

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5+
￥0.6512
50+
￥0.4958
150+
￥0.418
500+
￥0.3598
3000+
￥0.1634
6000+
￥0.14

有货

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型号：BSS138LT3G 编号：C83790

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：低阈值电压（VGS(th)：0.5V-1.5V），适用于低电压应用。微型SOT-23表面贴装封装，节省电路板空间。BVSS前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、PCM/CIA卡、移动电话和无绳电话

数据手册

5+
￥0.7116
50+
￥0.5638
150+
￥0.4898
500+
￥0.4344
2500+
￥0.3606
5000+
￥0.3385

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型号：NSVBAS21HT1G 编号：C232623

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

此高电压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。此器件采用 SOD-323 表面贴装封装，适用于自动化插入。

数据手册

5+
￥0.7991
50+
￥0.6701
150+
￥0.6056
500+
￥0.5573
3000+
￥0.4715
6000+
￥0.4521

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型号：MMBFJ112 编号：C258195

封装：SOT-23-3L

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道开关此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。

数据手册

5+
￥0.9067
50+
￥0.7439
150+
￥0.6625
500+
￥0.6015
3000+
￥0.4645
6000+
￥0.44

有货

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型号：1SMB5913BT3G 编号：C53169

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.9829
50+
￥0.8054
150+
￥0.7166
500+
￥0.6501
2500+
￥0.5968

有货

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型号：MBR140SFT1G 编号：C43381

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构具有铬势垒金属、带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。

数据手册

5+
￥1.1798
50+
￥0.9186
150+
￥0.8067
500+
￥0.6539
3000+
￥0.5917
6000+
￥0.5544

有货

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型号：MC14093BDR2G 编号：C36616

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC14093B施密特触发器采用MOS P沟道和N沟道增强型器件，以单块结构制成。这些器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合

数据手册

5+
￥1.2153
50+
￥0.9749
150+
￥0.8718
500+
￥0.7118
2500+
￥0.6546
5000+
￥0.6202

有货

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型号：1SMA5919BT3G 编号：C20555

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

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