333瓷片电容_厂家_价格_品牌_库存

型号：RS3092 编号：C712657

封装：插件,P=15mm

品牌：CRC(创容)

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1+
￥1.3664 ￥1.708
10+
￥1.09144 ￥1.3643
30+
￥0.9736 ￥1.217
300+
￥0.82656 ￥1.0332
600+
￥0.76112 ￥0.9514
900+
￥0.72184 ￥0.9023

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型号：C822J333J60Q350 编号：C2979718

封装：插件,P=15mm

品牌：faratronic(厦门法拉)

特性：双面金属化聚丙烯膜。低损耗,内部温升小。负电容量温度系数。优异的阻燃性能。应用：广泛应用于高压高频脉冲电路中。电子镇流器和节能灯中

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6+
￥1.408
60+
￥1.1056
180+
￥0.976

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型号：CC1812KKX7RCBB333 编号：C513703

封装：1812

品牌：YAGEO(国巨)

特性：RoHS合规。无卤合规。MSL等级为MSL I。焊接符合J-STD-020D标准。由陶瓷介质矩形块组成,内部包含多个交错的金属电极,单位体积电容高。内部电极连接到两个端部终端,终端覆盖一层镀锡(NiSn),终端无铅。应用：个人电脑。硬盘

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5+
￥2.3107
50+
￥1.8386
150+
￥1.6363

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型号：FV55X333K202EHG 编号：C1021534

封装：2220

品牌：PSA(信昌电陶)

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1+
￥2.89
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￥2.29
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￥2.03

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型号：GCM32E5C2J333JX0AL 编号：C20044159

封装：1210

品牌：muRata(村田)

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1+
￥3.96
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￥3.25
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￥2.89

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型号：C1210C333JBGACAUTO 编号：C2182848

封装：1210

品牌：KEMET(基美)

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￥7.17
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￥5.88
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￥5.24
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￥4.61

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型号：CKC21C333JDGACAUTO 编号：C1015287

封装：2220

品牌：KEMET(基美)

设计用于满足在更高电压、温度和频率下运行的快速开关宽带隙 (WBG) 半导体不断增长的需求。采用C0G/NPO贱金属电极 (BME) 电介质系统,适用于功率转换器、逆变器、缓冲器和谐振器等对效率要求较高的应用。具有极低的有效串联电阻 (ESR) 和非常低的热阻,可在非常高的纹波电流下运行,电容随直流电压无变化,随温度变化可忽略不计。工作温度为150°C,可在高功率密度应用中靠近快速开关半导体安装,所需冷却极少。

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￥34.55
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￥29.53
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型号：CC0402X7R50V333KN 编号：C53084511

封装：0402

品牌：TORCH(火炬)

100+
￥0.0157
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￥0.0119
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￥0.0099

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型号：CC0402MRX7R6BB333 编号：C527022

封装：0402

品牌：YAGEO(国巨)

特性：以卷带形式供应。镍阻挡层端接。符合RoHS标准。符合无卤标准。MSL等级:一级。应用：个人电脑、硬盘、游戏电脑。 DVD、摄像机

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型号：1206B333K101CT 编号：C2992621

封装：1206

品牌：Walsin(华新科)

MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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20+
￥0.0441 ￥0.147
200+
￥0.0233 ￥0.1165
600+
￥0.00996 ￥0.0996
4000+
￥0.00894 ￥0.0894
8000+
￥0.00806 ￥0.0806
20000+
￥0.00758 ￥0.0758

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型号：C0402C333K3RACTU 编号：C2169942

封装：0402

品牌：KEMET(基美)

X7R电介质的最高工作温度为125°C,被认为是温度稳定的。电子元件、组件和材料协会 (EIA) 将X7R电介质归类为II类材料。此类组件是固定陶瓷介质电容器,适用于去耦和旁路应用,或适用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R的电容随时间和电压的变化可预测,并且相对于环境温度的电容变化极小。在 -55°C至 +125°C的温度范围内,电容变化限制在 ±15%。

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￥0.0809
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￥0.0639
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型号：CL11-100V333KP6 编号：C2888203

封装：插件,P=7.5mm

品牌：东通电子

特性：采用聚酯膜作介质和以铝箔作电极卷绕而成。外部浸封绝缘材料,单向引出。适用于电子设备的直流和脉动电路中

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￥0.1335
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￥0.1054
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￥0.0834
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型号：1206B333K101NT 编号：C6563235

封装：1206

品牌：FH(风华)

高频类:此类介质材料的电容器为 I 类电容器,包括通用型高频 COG、COH 电容器和温度补偿型高频 HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL 电容器。其中 COG、COH 电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路,HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL 电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比 I 类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。