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首页 > 热门关键词 > 瓷片电容0
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电容器由陶瓷圆盘制成,圆盘两侧镀银。连接引线由镀锡铜或镀锡铜包钢制成,直径为 0.020" (0.51 mm) 或 0.025" (0.64 mm)。电容器可以提供径向弯折或直引线,引线间距为 0.250" (6.35 mm) 或 0.375" (9.5 mm)。标准公差为 ±20%。涂层由树脂涂层或符合 “UL 94 V 0” 的阻燃环氧树脂制成。电容范围为 10 pF 至 0.1 μF,额定电压为 1000 VDC。引线之间的介电强度:元件测试为 2500 VDC,持续 2 s。陶瓷介质为 C0G、U2J(1 类)、X5F、X7R、Y5U、Z5U(2 类)。
数据手册
  • 1+

    ¥7.72
  • 10+

    ¥6.28
  • 30+

    ¥5.49
  • 有货
    • 20+

      ¥0.13581 ¥0.1509
    • 200+

      ¥0.13347 ¥0.1483
    • 1000+

      ¥0.13185 ¥0.1465
    • 2000+

      ¥0.13032 ¥0.1448
  • 有货
  • Y5P;D=12.3max;CP线 0.55mm;引脚长20min.mm;直脚/直引线;引线间距7.5mm
    • 5+

      ¥0.5097
    • 50+

      ¥0.3993
    • 150+

      ¥0.3441
    • 500+

      ¥0.3027
    • 2500+

      ¥0.2696
    • 5000+

      ¥0.2531
  • 订货
  • 本规格书适用的瓷片电容器用于电子设备,额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可在电路中作温度补偿。该类陶瓷介质由标称温度系数(alpha)确定,如NP0、N750、SL等。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。该类陶瓷介质以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征,如Y5P、Y5U、Y5V等。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤。
    • 50+

      ¥0.121695 ¥0.1281
    • 500+

      ¥0.09652 ¥0.1016
    • 2000+

      ¥0.082555 ¥0.0869
    • 4000+

      ¥0.074195 ¥0.0781
    • 24000+

      ¥0.066975 ¥0.0705
    • 50000+

      ¥0.062985 ¥0.0663
  • 有货
  • 本产品适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可在电路中作温度补偿。该类陶瓷介质由标称温度系数(alpha)确定,如NP0、N750、SL等。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。该类陶瓷介质以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征,如Y5P、Y5U、Y5V等。产品可适用于自动化生产线,符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.15086 ¥0.1588
    • 200+

      ¥0.132715 ¥0.1397
    • 1000+

      ¥0.11267 ¥0.1186
    • 2000+

      ¥0.106685 ¥0.1123
    • 10000+

      ¥0.101365 ¥0.1067
    • 20000+

      ¥0.09861 ¥0.1038
  • 有货
  • 适用于额定电压不超过直流 8kV 或最大标称电容量为 0.22uF 的电子设备。温度补偿型(1 类瓷)电容器专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可在电路中作温度补偿。该类陶瓷介质由标称温度系数确定,如 NP0、N750、SL 等。高介电常数型(2 类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路,具有高介电常数。该类陶瓷介质以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征,如 Y5P、Y5U、Y5V 等。可适用于自动化生产线,符合 RoHS 2.0、REACH 标准,无卤。
    • 20+

      ¥0.17385 ¥0.183
    • 200+

      ¥0.13794 ¥0.1452
    • 1000+

      ¥0.11799 ¥0.1242
    • 2000+

      ¥0.10602 ¥0.1116
    • 10000+

      ¥0.09557 ¥0.1006
    • 20000+

      ¥0.09006 ¥0.0948
  • 有货
  • 适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计并用在低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路中,可在电路中作温度补偿之用,该类陶瓷介质由标称温度系数(alpha)确定,如NP0、N750、SL等。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中,具有高介电常数,该类陶瓷介质以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征,如Y5P、Y5U、Y5V等。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤。
    • 1+

      ¥8.6925 ¥9.15
    • 10+

      ¥7.1915 ¥7.57
    • 30+

      ¥6.365 ¥6.7
    • 100+

      ¥5.434 ¥5.72
    • 500+

      ¥5.016 ¥5.28
    • 1000+

      ¥4.826 ¥5.08
  • 有货
  • 该电容器由陶瓷圆盘构成,其两侧均镀银。连接引线由镀锡铜包钢丝制成,直径为0.65mm和0.80mm。电容器可提供直引线,引线间距为9.5mm和12.5mm。涂层采用符合“UL 94 V 0”的阻燃环氧树脂。
    • 1+

      ¥15.36
    • 10+

      ¥13.16
    • 30+

      ¥11.78
    • 250+

      ¥10.36
    • 500+

      ¥9.72
    • 1000+

      ¥9.44
  • 有货
  • 温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计并适用于谐振电路应用,在低损耗和高电容稳定性至关重要或需要精确定义温度系数的地方,例如用于补偿电路中的温度影响。该类陶瓷介质由标称温度系数(alpha)确定,如NP0、N750、SL等。高介电常数型(2类瓷)电容器具有高介电常数,适用于旁路和耦合应用或对低损耗和高电容稳定性要求不高的鉴频电路。该类陶瓷介质以在类别温度范围内电容的非线性变化为特征,如Y5P、Y5U、Y5V等。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤。
    • 10+

      ¥0.36024 ¥0.3792
    • 100+

      ¥0.285095 ¥0.3001
    • 300+

      ¥0.247475 ¥0.2605
    • 1000+

      ¥0.21926 ¥0.2308
    • 5000+

      ¥0.19665 ¥0.207
    • 10000+

      ¥0.18544 ¥0.1952
  • 有货
  • 陶瓷电容器使用陶瓷作为介质,铜线或镀锡钢线作为导线,(蓝色)环氧树脂或(黄色)酚醛(符合UL94 V0)树脂包封;圆片型,导线单向引出。陶瓷电容器是以被银瓷片作为芯片,镀锡铜包钢线(CP线)为引线、(蓝色)环氧树脂或(黄色)酚醛(符合UL94 V0)树脂包封。CC包含温度补偿型电容器、高介电常数型电容器与半导体型电容器三种。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.09424 ¥0.0992
    • 500+

      ¥0.07467 ¥0.0786
    • 2000+

      ¥0.05928 ¥0.0624
    • 4000+

      ¥0.05282 ¥0.0556
    • 24000+

      ¥0.04712 ¥0.0496
    • 50000+

      ¥0.04408 ¥0.0464
  • 有货
  • 陶瓷电容器使用陶瓷作为介质,铜线或镀锡钢线作为导线,(蓝色)环氧树脂或(黄色)酚醛(符合UL94 V0)树脂包封;圆片型,导线单向引出。陶瓷电容器是以被银瓷片作为芯片,镀锡铜包钢线(CP线)为引线、(蓝色)环氧树脂或(黄色)酚醛(符合UL94 V0)树脂包封。CC包含温度补偿型电容器、高介电常数型电容器与半导体型电容器三种。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.110865 ¥0.1167
    • 500+

      ¥0.088065 ¥0.0927
    • 2000+

      ¥0.07011 ¥0.0738
    • 5000+

      ¥0.06251 ¥0.0658
    • 25000+

      ¥0.05586 ¥0.0588
    • 50000+

      ¥0.052345 ¥0.0551
  • 有货
  • 陶瓷电容器使用陶瓷作为介质,铜线或镀锡钢线作为导线,(蓝色)环氧树脂或(黄色)酚醛(符合UL94 V0)树脂包封;圆片型,导线单向引出。陶瓷电容器是以被银瓷片作为芯片,镀锡铜包钢线(CP线)为引线、(蓝色)环氧树脂或(黄色)酚醛(符合UL94 V0)树脂包封。CC包含温度补偿型电容器、高介电常数型电容器与半导体型电容器三种。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.10476 ¥0.1164
    • 500+

      ¥0.08244 ¥0.0916
    • 2000+

      ¥0.06498 ¥0.0722
    • 5000+

      ¥0.05751 ¥0.0639
    • 25000+

      ¥0.05103 ¥0.0567
    • 50000+

      ¥0.04761 ¥0.0529
  • 有货
  • 电容器由陶瓷圆盘制成,圆盘两侧镀银。连接引线由镀锡铜或镀锡铜包钢制成,直径为 0.020" (0.51 mm) 或 0.025" (0.64 mm)。电容器可以提供径向弯折或直引线,引线间距为 0.250" (6.35 mm) 或 0.375" (9.5 mm)。标准公差为 ±20%。涂层由树脂涂层或符合 “UL 94 V 0” 的阻燃环氧树脂制成。电容范围为 10 pF 至 0.1 μF,额定电压为 1000 VDC。引线之间的介电强度:元件测试为 2500 VDC,持续 2 s。陶瓷介质为 C0G、U2J(1 类)、X5F、X7R、Y5U、Z5U(2 类)。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.58
    • 10+

      ¥7.39
    • 30+

      ¥7.27
  • 有货
  • 电容器由陶瓷圆盘制成,圆盘两侧镀银。连接引线由镀锡铜或镀锡铜包钢制成,直径为 0.020" (0.51 mm) 或 0.025" (0.64 mm)。电容器可以提供径向弯折或直引线,引线间距为 0.250" (6.35 mm) 或 0.375" (9.5 mm)。标准公差为 ±20%。涂层由树脂涂层或符合 “UL 94 V 0” 的阻燃环氧树脂制成。电容范围为 10 pF 至 0.1 μF,额定电压为 1000 VDC。引线之间的介电强度:元件测试为 2500 VDC,持续 2 s。陶瓷介质为 C0G、U2J(1 类)、X5F、X7R、Y5U、Z5U(2 类)。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.19
    • 10+

      ¥9.98
    • 30+

      ¥9.83
  • 有货
  • 电容器由陶瓷圆盘制成,圆盘两侧镀银。连接引线由镀锡铜或镀锡铜包钢制成,直径为 0.020" (0.51 mm) 或 0.025" (0.64 mm)。电容器可以提供径向弯折或直引线,引线间距为 0.250" (6.35 mm) 或 0.375" (9.5 mm)。标准公差为 ±20%。涂层由树脂涂层或符合 “UL 94 V 0” 的阻燃环氧树脂制成。电容范围为 10 pF 至 0.1 μF,额定电压为 1000 VDC。引线之间的介电强度:元件测试为 2500 VDC,持续 2 s。陶瓷介质为 C0G、U2J(1 类)、X5F、X7R、Y5U、Z5U(2 类)。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.81
    • 10+

      ¥2.28
    • 30+

      ¥2.05
    • 250+

      ¥1.76
    • 500+

      ¥1.64
    • 1000+

      ¥1.56
  • 订货
  • 半导体型陶瓷电容器是一种具有半导体特征的陶瓷电容器,其介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征。该类电容器具有体积小、容量大的特点,适用于旁路和耦合等电子电路。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.14497 ¥0.1526
    • 200+

      ¥0.114095 ¥0.1201
    • 1000+

      ¥0.08987 ¥0.0946
    • 2000+

      ¥0.07961 ¥0.0838
    • 10000+

      ¥0.07068 ¥0.0744
    • 20000+

      ¥0.065835 ¥0.0693
  • 有货
  • 特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2358
    • 200+

      ¥0.1899
    • 1000+

      ¥0.1497
    • 2000+

      ¥0.1344
    • 10000+

      ¥0.1211
    • 20000+

      ¥0.1139
  • 有货
    • 20+

      ¥0.25002 ¥0.2778
    • 200+

      ¥0.20151 ¥0.2239
    • 1000+

      ¥0.15903 ¥0.1767
    • 2000+

      ¥0.14283 ¥0.1587
    • 10000+

      ¥0.12888 ¥0.1432
    • 20000+

      ¥0.12132 ¥0.1348
  • 有货
  • 特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2217
    • 200+

      ¥0.1731
    • 1000+

      ¥0.1461
    • 2000+

      ¥0.1299
    • 10000+

      ¥0.1159
    • 20000+

      ¥0.1083
  • 有货
  • 特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
    数据手册
    • 10+

      ¥0.306
    • 100+

      ¥0.2469
    • 300+

      ¥0.2174
    • 1000+

      ¥0.174
    • 5000+

      ¥0.1563
    • 10000+

      ¥0.1474
  • 有货
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